阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:24087792 阅读:51 留言:0更新日期:2020-05-09 06:46
本发明专利技术一方面提供一种阵列基板。所述阵列基板定义有显示区以及被所述显示区围绕的相机孔区,所述相机孔区包括透光区以及围绕所述透光区的走线区。所述阵列基板包括基底、第一导电层、第二导电层。所述第一导电层包括绕开所述透光区设置的多条第一导线。所述第二导电层包括绕开所述透光区设置的多条第二导线。所述第一导电层还包括多个第一电容补偿图案,每一所述第一电容补偿图案位于相邻的两条所述第一导线之间。沿所述阵列基板的厚度方向,每一所述第一电容补偿图案在所述基底上的投影至少与一条所述第二导线的投影重叠。还提供一种显示面板和一种显示装置。

Array substrate, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、应用该阵列基板的显示面板以及应用该显示面板的显示装置。
技术介绍
显示装置诸如手机、平板电脑等,随着使用者对其功能的多样化的需求日益增加,往往需要结合具有其他功能的元件。其中,结合有摄像模组的显示装置已经被广泛地生产和应用。以显示装置中包括多条导线的阵列基板为例,阵列基板需设置暴露摄像模组的相机孔区域,然而,相机孔区域会影响阵列基板上的导线的排布方式,甚至影响电子装置的性能。
技术实现思路
本专利技术一方面提供一种阵列基板,所述阵列基板定义有显示区以及被所述显示区围绕的相机孔区,所述相机孔区包括透光区以及围绕所述透光区的走线区,所述阵列基板包括:基底;第一导电层,位于所述基底上,所述第一导电层包括多条第一导线,每一所述第一导线绕开所述透光区设置;第二导电层,位于所述第一导电层远离所述基底的一侧,所述第二导电层包括多条第二导线,每一所述第二导线绕开所述透光区设置;其中,所述第一导电层还包括与所述第一导线绝缘间隔设置的多个第一电容补偿图案,每一所述第一电容补偿图案位于相邻的两条所述第一导线之间;沿所述阵列基板的厚度方向,每一所述第一电容补偿图案在所述基底上的投影至少与一条所述第二导线的投影重叠。上述阵列基板中,由于第一电容补偿图案的设置,与该第一电容补偿图案重叠的第二导线的电容耦合量增加、耦合电压减小,进而耦合电压对第二导线的原始电压的影响减弱,从而改善了由于阵列基板的相机孔区域走线排布紧密,导致相邻走线之间的寄生电容较大,影响显示效果的现象。本专利技术另一方面提供一种显示面板,包括彩色滤光片基板、液晶层以及阵列基板,所述液晶层夹设于所述彩色滤光片基板与所述阵列基板之间,所述阵列基板为上述的阵列基板。该显示面板应用上述的阵列基板,其亦具有改善相机孔区域走线排布紧密,导致的相邻走线之间的寄生电容较大而影响显示的现象。本专利技术再一方面提供一种显示装置,其包括:上述的显示面板;背光模组,所述背光模组位于所述显示面板背离其显示面的一侧,所述背光模组定义有贯穿所述背光模组的安装孔,所述安装孔对准所述透光区;以及摄像模组,所述摄像模组安装于所述安装孔内并通过所述透光区采集影像信息。该显示装置应用上述的显示面板,其亦具有改善相机孔区域走线排布紧密,导致的相邻走线之间的寄生电容较大而影响显示的现象。附图说明图1为本专利技术一实施例的阵列基板的俯视示意图。图2为图1中阵列基板的走线的排布示意图。图3为图2中辅助数据线和数据线引线在连接位置处的剖面示意图。图4为图2中IV处的放大示意图。图5为图2中阵列基板的第一导电层在基底上的投影示意图。图6为图2中阵列基板的第二导电层在基底上的投影示意图。图7为图2中VII处的放大示意图。图8为本专利技术一实施例中第二补偿电容图案与四条第一导线上下层叠时的等效电路图。图9为本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图。图10为本专利技术一实施例的显示装置的剖面示意图。主要元件符号说明阵列基板10显示区A相机孔区B透光区B1走线区B2第一方向X第二方向Y第一对称轴L1第二对称轴L2左侧区AL右侧区AR上侧区AT下侧区AB扫描线12第一扫描线122第二扫描线124数据线14第一数据线142第二数据线144辅助数据线144a数据线引线144b第三数据线146第四数据线148子像素16薄膜晶体管162栅极GE源极SE漏极DE像素电极164基底11第一导电层13第一导线120第一电容补偿图案110第二导电层15第二导线140第二电容补偿图案130绝缘层17过孔19彩色滤光片基板20液晶层30显示面板40显示面40a摄像模组50背光模组60出光侧60a安装孔62显示装置100如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式如图1所示,本专利技术实施例的阵列基板10定义有显示区A以及被显示区A环绕的相机孔区B。相机孔区B定义有透光区B1以及围绕透光区B1的走线区B2。相机孔区B为透光的区域。本实施例中,相机孔区B以及透光区B1大致为圆形,走线区B2为圆环。于其他实施例中,相机孔区B也可以为其他形状。例如,相机孔区B也可以为椭圆形、多边形等。如图2所示,走线区B2具有第一对称轴L1以及第二对称轴L2。沿第一方向X上,走线区B2关于第二对称轴L2呈轴对称分布。沿第二方向Y上,走线区B2关于第一对称轴L1呈轴对称分布。第二方向Y与第一方向X交叉。如图2所示,沿第一方向X上,显示区A被第二对称轴L2划分为分别位于第二对称轴L2的相对两侧的左侧区AL和右侧区AR。沿第二方向Y上,显示区A被第一对称轴L1划分为分别位于第一对称轴L1的相对两侧的上侧区AT和下侧区AB。即,左侧区AL和右侧区AR构成整个显示区A。上侧区AT和下侧区AB亦构成整个显示区A。左侧区AL与上侧区AT、下侧区AB均有重叠区域,右侧区AR域上侧区AT、下侧区AB均有重叠区域。于一实施例中,第二方向Y垂直于第一方向X。如图2所示,阵列基板10包括基底11以及位于基底11上的扫描线12和数据线14。如图2所示,扫描线12包括多条第一扫描线122。多条第一扫描线122延伸跨越走线区B2并沿第二方向Y依次间隔设置。部分第一扫描线122在上侧区AT和走线区B2内延伸,另一部分第一扫描线122在下侧区AB和走线区B2内延伸。多条第一扫描线122关于第一对称轴L1呈轴对称分布。每一第一扫描线122在走线区B2内的部分关于第二对称轴L2呈轴对称分布。每一第一扫描线122在左侧区AL沿第一方向X延伸至走线区B2,在走线区B2内围绕透光区B1的外围轮廓弯折延伸,然后在右侧区AR内继续沿第一方向X延伸。即,每一第一扫描线122的布置均绕开透光区B1、跨越走线区B2并在显示区A内沿第一方向X延伸。其中,位于上侧区AT和走线区B2内的第一扫描线122沿透光区B1的上半部分弯折延伸,位于下侧区AB和走线区B2内的第一扫描线122沿透光区B1的下半部分弯折延伸。每一第一扫描线122包括在左侧区AL内沿第一方向X延伸的直线段部分、在走线区B2内围绕透光区B1的外围轮廓弯折延伸的曲线部分(图2中为圆弧)以及在右侧区AR内沿第一方向X延伸的直线段部分。其中,第一扫描线122的曲线部分的长度随着其距离第一对称轴L1的距离的远近而改变。距离第一对称轴L1越近的第一扫描线122,其曲线部分的长度越长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板定义有显示区以及被所述显示区围绕的相机孔区,所述相机孔区包括透光区以及围绕所述透光区的走线区,所述阵列基板包括:/n基底;/n第一导电层,位于所述基底上,所述第一导电层包括绕开所述透光区设置的多条第一导线;/n第二导电层,位于所述第一导电层远离所述基底的一侧,所述第二导电层包括绕开所述透光区设置的多条第二导线;/n其中,所述第一导电层还包括与所述第一导线绝缘间隔设置的多个第一电容补偿图案,每一所述第一电容补偿图案位于相邻的两条所述第一导线之间;/n沿所述阵列基板的厚度方向,每一所述第一电容补偿图案在所述基底上的投影至少与一条所述第二导线的投影重叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板定义有显示区以及被所述显示区围绕的相机孔区,所述相机孔区包括透光区以及围绕所述透光区的走线区,所述阵列基板包括:
基底;
第一导电层,位于所述基底上,所述第一导电层包括绕开所述透光区设置的多条第一导线;
第二导电层,位于所述第一导电层远离所述基底的一侧,所述第二导电层包括绕开所述透光区设置的多条第二导线;
其中,所述第一导电层还包括与所述第一导线绝缘间隔设置的多个第一电容补偿图案,每一所述第一电容补偿图案位于相邻的两条所述第一导线之间;
沿所述阵列基板的厚度方向,每一所述第一电容补偿图案在所述基底上的投影至少与一条所述第二导线的投影重叠。


2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层还包括与所述第二导线绝缘间隔设置的多个第二电容补偿图案,每一所述第二电容补偿图案位于相邻的两条所述第二导线之间;
沿所述阵列基板的厚度方向,每一所述第二电容补偿图案在所述基底上的投影至少与一条所述第一导线的投影重叠。


3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导线包括多条第一扫描线,每一所述第一扫描线绕开所述透光区、跨越所述走线区并在所述显示区内沿第一方向延伸;
相邻的两条所述第一扫描线之间设置有所述第一电容补偿图案。


4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导线包括多条第一数据线,每一所述第一数据线绕开所述透光区、跨越所述走线区并在所述显示区内沿第二方向延伸;
所述第二方向与所述第一方向交叉;
相邻的两条所述第一数据线之间设置有所述第二电容补偿图案。


5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条第二数据线,每一...

【专利技术属性】
技术研发人员:欧阳祥睿陈维成
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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