一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统技术方案

一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统，其特征在于：包括左固定座(1)、右固定座(2)、SiC单晶片(3)、PC(41)、电源(42)、第一信号发生器(51)、第一感应加热器(61)、第一感应加热线圈(71)、第一热像仪(81)、第二信号发生器(52)、第二感应加热器(62)、第二感应加热线圈(72)、第二热像仪(82)；还具有一种利用该晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统对SiC单晶片在短时间内完成双面检测的计算方法，包括以下步骤：缺陷图库建立步骤、开机检测步骤、选择卡部与放置晶片的步骤、检测步骤、形成报告步骤、批量测试步骤。

A double-sided infrared thermal image detection system for crystal surface defects

【技术实现步骤摘要】
一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统
本专利技术涉及晶体表面及内部缺陷检测的
，尤其涉及一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统。
技术介绍
对于碳化硅晶体来讲，是一种非常难熔的非金属化合物，SiC单晶具有半导体性能，可以制造二极管和其他半导体元件，质量好的SiC晶片是电子工业的重要原料，而且其耐磨、耐高温，机械性能也非常好，适于在严酷环境下坚持工作。碳化硅的理论化学组成例如是，Si70.04左右，C29.96左右，2600℃下均化学稳定，常温下比热容约为0.228卡/克*度，随着温度升高，比热容有所增加，目前用于半导体的SiC单晶大块，一般为黄色透明或者无色透明状，具有非线性伏安特性以及较强的化学稳定性。目前SiC多切成晶片应用，但是由于切割过程的应力或者原生制备过程的原因，SiC晶片往往有着这样那样的暗病，虽然其是透明的，但是往往存在暗纹、热斑、掺杂缺陷等肉眼不易检查的缺陷存在，而这些缺陷通过肉眼或者可见光的光学方法是难以发现和甄别的。现有技术中，激光与红外杂志的《C/SiC复合材料的红外热像无损检测研本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统，其特征在于：/n包括左固定座(1)、右固定座(2)、SiC单晶片(3)、PC(41)、电源(42)、第一信号发生器(51)、第一感应加热器(61)、第一感应加热线圈(71)、第一热像仪(81)、第二信号发生器(52)、第二感应加热器(62)、第二感应加热线圈(72)、第二热像仪(82)；/nSiC单晶片(3)是厚度在5-20mm之间的长方体薄片，所述SiC单晶片(3)的左侧放置在左固定座(1)上的左凹槽(15)内，SiC单晶片(3)的右侧放置在右固定座(2)上的右凹槽(25)内；/n所述第一热像仪(81)、第一感应加热线圈(71)、SiC单晶片(3)...

【技术特征摘要】
1.一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统，其特征在于：
包括左固定座(1)、右固定座(2)、SiC单晶片(3)、PC(41)、电源(42)、第一信号发生器(51)、第一感应加热器(61)、第一感应加热线圈(71)、第一热像仪(81)、第二信号发生器(52)、第二感应加热器(62)、第二感应加热线圈(72)、第二热像仪(82)；
SiC单晶片(3)是厚度在5-20mm之间的长方体薄片，所述SiC单晶片(3)的左侧放置在左固定座(1)上的左凹槽(15)内，SiC单晶片(3)的右侧放置在右固定座(2)上的右凹槽(25)内；
所述第一热像仪(81)、第一感应加热线圈(71)、SiC单晶片(3)、第二感应加热器(62)、第二热像仪(82)从前到后依次放置，且第一感应加热线圈(71)、SiC单晶片(3)、第二感应加热器(62)三者所处的平面相互平行，第一热像仪(81)和第二热像仪(82)均垂直于前述三者所处的平面设置，且第一热像仪(81)和第二热像仪(82)的镜头均大约对准SiC单晶片(3)的中心点处；
所述左固定座(1)由左底座(11)、左凹部(12)和左卡部(13)组成，左底座(11)为长方体状，且其上表面有一个前后开设的用于左凹部(12)下端塞入固定的左底座槽(111)，左凹部(12)整体是长方体，右上端设有一向左凹入的左凹槽(121)以使得左凹部(12)俯视呈凹口向右的“凹”字形，左卡部(13)从前面或后面看去呈倒“U”形，且其右侧中间的位置有一个左缺失部(131)，左凹部(12)的左侧到左凹槽(121)的左侧的距离，恰与左卡部(13)的内侧宽度相同，左卡部(13)从上方扣在左凹部(12)的上方使得左固定座(1)右侧形成左凹槽(15)；
所述右固定座(2)由右底座(21)、右凹部(22)和右卡部(23)组成，右底座(21)为长方体状，且其上表面有一个前后开设的用于右凹部(22)下端塞入固定的右底座槽(211)，右凹部(22)整体是长方体，左上端设有一向右凹入的右凹槽(221)以使得右凹部(22)俯视呈凹口向左的“凹”字形，右卡部(13)从前面或后面看去呈倒“U”形，且其左侧中间的位置有一个右缺失部(231)，右凹部(22)的右侧到右凹槽(221)的左侧的距离，恰与右卡部(23)的内侧宽度相同，右卡部(23)从上方扣在右凹部(22)的上方使得右固定座(2)左侧形成右凹槽(25)；
所述PC(41)上具备热像检测软件，电源(42)给PC(41)、第一信号发生器(51)、第一感应加热器(61)、第一热像仪(81)、第二信号发生器(52)、第二感应加热器(62)、第二热像仪(82)均单独供电；所述第一信号发生器(51)和第二信号发生器(52)的控制输入端口均连接至PC并从热像检测软件处接收控制信号，第一信号发生器(51)的输出端接入第一感应加热器(61)的输入端，第二信号发生器(52)的输出端接入第二感应加热器(62)的输入端；第一感应加热线圈(71)的两端接入第一感应加热器(61)的两个输出端，第二感应加热线圈(72)的两端接入第二感应加热器(62)的两个输出端；
所述第一感应加热线圈(71)和第二感应加热线圈(72)均为2-4匝绕线的电磁激励线圈，且圈部大体呈正方形且四角处呈圆角状，第一热像仪(81)的镜头从第一感应加热线圈(71)的圈内可获得SiC单晶片(3)前面表面至少90-95％的面积的视野，第二热像仪(82)的镜头从第二感应加热线圈(72)的圈内可获得SiC单晶片(3)后面表面至少90-95％的面积的视野。


2.如权利要求1所述的一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统，其特征在于：
所述SiC单晶片的厚度为5-20mm之间的整数；所述左卡部具有左缺失部前后宽度不同的一系列15个，该一系列15个的左缺失部前后宽度为从1mm到15...

【专利技术属性】
技术研发人员：张岩，董伟，赵然，黄甜甜，马鹏翔，付吉国，王美林，
申请(专利权)人：国宏华业投资有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11