【技术实现步骤摘要】
一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法
本专利技术属于电学性能检测领域，具体涉及利用拉曼光谱无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法。
技术介绍
随着现代工业技术的发展，对显示屏中各膜层电学性能进行无损，快速，且准确的评估是亟待开发的技术。尤其对显示器件中的膜层之一进行电学性能检测，而不影响后续薄膜的高质量生长，更是对这种无损检测技术提出了更高的要求。掺杂氧化物导电薄膜(如ITO,In2O3:Sn,FTO,SnO2:F,AZO,ZnO:Al等)作为现代显示屏中的主功能层。在现代科技研究和应用中拥有非常广阔的市场和巨大的开发潜力，几乎所有光电子器件研究和设备都要涉及到上述掺杂氧化物导电薄膜的选取和制备。特别是随着各类平面显示器(Flatpaneldisplay)、智能窗户(Smartwindows)等产业的兴起和发展，对掺杂氧化物导电薄膜的需求也与日俱增。磁控溅射法制备上述掺杂氧化物导电薄膜，是目前产业界应用最多的制备技术。因此，对磁控溅射法制备的掺杂氧化物导电薄膜的电学性能进行无损检测，在实际工程应用中显得尤为重要。<...
【技术保护点】
1.一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)将导电氧化物薄膜的拉曼信号中LO峰占比ξ
【技术特征摘要】
1.一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将导电氧化物薄膜的拉曼信号中LO峰占比ξLO、AM峰占比ξAM、E2high峰占比ξE分别与导电氧化物薄膜的电学参数载流子Ne、迁移率μ、电导率σ进行线性拟合得出如下关系式；
以LO峰信号：
Ne＝(-8.45×ξLO+6.03)×1020R2＝0.82(2-1)
μ＝-37.32×ξLO+29.82R2＝0.56(2-2)
σ＝-3867.07×ξLO+2232.92R2＝0.71(2-3)
以AM峰信号：
Ne＝(10.98×ξAM-1.83)×1020R2＝0.78(3-1)
μ＝50.40×ξAM-5.71R2＝0.58(3-2)
σ＝5144.18×ξAM-1403.23R2＝0.70(3-3)
以E2high峰信号：
Ne＝(18.34×ξE-0.92)×1020R2＝0.50(4-1)
μ＝74.31×ξE+0.95R2＝0.26(4-2)
σ＝8287.30×ξE-872.30R2＝0.39(4-3)；
(2)将待测导电氧化物薄膜的拉曼信号中LO峰占比ξLO、AM峰占比ξAM、E2high峰占比ξE分别代入上式即可间接无损地检测得到待测导电氧化物薄膜的载流子Ne、迁移率μ、电导率σ。
2.如权利要求1所述的无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，所述的导电氧化物薄膜采用通过射频与直流电源耦合的磁控溅射方法制备得到。
3.如权利要求1所述的无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，所述的导电氧化物薄膜为掺镓氧化锌薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉云，黄峰，李朋，孟凡平，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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