低熔点金属墨道及灌墨系统及打印系统技术方案

一种低熔点金属墨道及灌墨系统及打印系统，墨道包括：输送熔融态的低熔点金属的管路；设置在所述管路中、与管路连通的至少一个腔室；所述至少一个腔室中至少存在一个清洗室，用于去除所述低熔点金属中的氧元素。本发明专利技术通过在低熔点金属的墨道中利用清洗室对低熔点金属进行去杂、提纯的处理，防止了低熔点金属的纯净度降低的问题。

Low melting point metal ink path, ink filling system and printing system

【技术实现步骤摘要】
低熔点金属墨道及灌墨系统及打印系统
本专利技术属于低熔点金属应用
，尤其涉及一种低熔点金属墨道及灌墨系统及打印系统。
技术介绍
随着印刷电子技术的不断进步，以低熔点金属(又称为液态金属)为代表的导电流体应运而生，使得打印导线制作液态金属柔性电子电路成为了可能，不仅变革了以往传统的PCB硬制电子电路制造模式，还极大地降低了电子电路制造时间和成本。低熔点金属打印技术在柔性电路、传统PCB、天线等电子器件的快速制造上有着得天独厚的优势，具有十分广阔的应用前景。低熔点金属在空气中极易被氧化，使得低熔点金属中容易夹杂金属氧化物，导致低熔点金属的纯净度降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的一个目的是提出一种低熔点金属墨道,以解决现有技术中低熔点金属夹杂金属氧化物导致低熔点金属的纯净度降低的问题。在一些说明性实施例中，所述低熔点金属墨道，包括：输送熔融态的低熔点金属的管路；设置在所述管路中、与管路连通的至少一个腔室；所述至少一个腔室中至少存在一个清洗室，用于去除所述低熔点金属中的氧元素。在一些可选地实施例中，所述清洗室通过第一进料口和第一出料口与管路连通，其第一进料口位于所述清洗室的顶部，其第一出料口位于所述清洗室的底部；所述清洗室中容纳有浮于所述低熔点金属表面上的过滤液，所述过滤液与所述低熔点金属中夹带的金属氧化物产生化学反应。在一些可选地实施例中，所述过滤液采用0.1mol/L-0.2mol/L的氢氧化钠溶液。在一些可选地实施例中，所述清洗室的顶部还开设有第二进料口，用于灌注所述过滤液；在一些可选地实施例中，所述清洗室的顶部还设置有调压阀、排气阀和安全阀。在一些可选地实施例中，所述清洗室中的还设置有第一搅拌棒，其搅拌中心控制在所述低熔点金属的液面中。在一些可选地实施例中，所述清洗室的一侧还设置有液位计，用于显示当前低熔点金属的液位。在一些可选地实施例中，所述第一出料口向所述清洗室的内部延伸出一定高度，避免粘附于清洗室内壁上的过滤液通过第一出料口进入管路。在一些可选地实施例中，所述清洗室的底部还开设有第二出料口，与所述清洗室的底面齐平，与废液池连通。在一些可选地实施例中，所述第二出料口与所述废液池之间设置有第一开关阀。在一些可选地实施例中，所述至少一个腔室中还包括位于所述管路的起始段的熔炼室；所述熔炼室由连续的熔炼腔体和散热腔体构成，并且所述熔炼腔体和散热腔体之间通过隔热挡板实现连通或关断；所述低熔点金属在具有第一温度的所述熔炼腔体内形成，通过流经所述散热腔体，经过所述散热腔体的热传递作用降低至第二温度，再进入所述管路。在一些可选地实施例中，所述熔炼腔体内还设置有第二搅拌棒。在一些可选地实施例中，所述低熔点金属由两种及两种以上的金属经过合金反应形成。在一些可选地实施例中，所述至少一个腔室中还包括位于所述清洗室之后的管路上的储液室，用于存储经过所述清洗室提纯后的所述低熔点金属。在一些可选地实施例中，所述熔炼室与所述清洗室之间的管路上设置有第一流量控制组件，用于控制低熔点金属通过管路从所述熔炼室向所述清洗室转移；所述清洗室与所述储液室之间的管路上设置有第二流量控制组件，用于控制低熔点金属通过管路从所述清洗室向所述储液室转移；所述储液室与所述管路的末尾段之间的管路上设置有第三流量控制组件，用于控制低熔点金属通过管路从所述储液室向所述管路的末尾段转移。在一些可选地实施例中，所述第一流量控制组件、第二流量控制组件和第三流量控制组件分别由流量计、以及由所述流量计控制的蠕动泵和第二开关阀构成。在一些可选地实施例中，所述管路中连通有真空泵和惰性气压平衡组件；所述真空泵用于抽离所述管路中的空气，所述惰性气压平衡组件用于向管路中灌注惰性气体平衡气压。本专利技术的另一个目的在于提出一种低熔点金属灌墨系统，基于上述低熔点金属墨道的结构基础上，还包括：与所述低熔点金属墨道的末尾段连通的灌墨管；以及，位于所述灌墨管下方的传送带，用于带动墨盒移动至所述灌墨管的正下方；所述灌墨管与所述管路之间通过软管连接，并在竖直移动机构的驱动下伸入所述墨盒的底部或脱离所述墨盒。本专利技术的再一个目的在于提出一种低熔点金属打印系统，该打印系统中包括如上述任一项所述的低熔点金属墨道，作为低熔点金属打印系统的供墨系统，其末尾段连通打印系统的打印头，实现打印头的打印作业。与现有技术相比，本专利技术具有如下优势：本专利技术通过在低熔点金属的墨道中利用清洗室对低熔点金属进行去杂、提纯的处理，防止了低熔点金属的纯净度降低的问题。附图说明图1是本专利技术实施例中的墨道的结构示意图；图2是本专利技术实施例中的灌墨系统的结构示意图。具体实施方式以下描述和附图充分地示出本专利技术的具体实施方案，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施方案可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施方案的部分和特征可以被包括在或替换其他实施方案的部分和特征。本专利技术的实施方案的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。在本文中，本专利技术的这些实施方案可以被单独地或总地用术语“专利技术”来表示，这仅仅是为了方便，并且如果事实上公开了超过一个的专利技术，不是要自动地限制该应用的范围为任何单个专利技术或专利技术构思。现在参照图1，本专利技术为了解决低熔点金属(又称液态金属)易于空气发生氧化反应导致的纯净度降低的问题，提出了一种低熔点金属墨道，包括：输送熔融态的低熔点金属的管路100；设置在所述管路100中、与管路100连通的至少一个腔室；所述至少一个腔室中至少存在一个清洗室210，用于去除所述低熔点金属中的氧元素。优选地，本专利技术提出了一种清洗低熔点金属的管路结构，所述清洗室210通过第一进料口211和第一出料口212与管路100连通，其第一进料口211位于所述清洗室210的顶部，其第一出料口212位于所述清洗室210的底部；所述清洗室210中容纳有浮于所述低熔点金属表面上的过滤液213，所述过滤液213与所述低熔点金属214中夹带的金属氧化物产生化学反应，从而消除金属氧化物。其中，所述过滤液213可采用0.1mol/L-0.2mol/L的氢氧化钠溶液。由于低熔点金属214的比重远远大于氢氧化钠溶液，随着低熔点金属的逐步进入，低熔点金属中夹杂的金属氧化物会与浮于表面的氢氧化钠溶液发生化学反应，而纯净的低熔点金属则会沉积到氢氧化钠溶液下方。在一些实施例中，所述清洗室210的顶部还开设有第二进料口215，用于灌注所述过滤液213；即上述氢氧化钠溶液。优选地，所述第二进料口215开设在清洗室210的一侧，与清洗室210的内壁接壤，用于避免添加的过滤液213对低熔点金属造成冲击影响。在一些实施例中，所述清洗室210中的还设置有第一搅拌棒216，其搅拌中心控制在所述低熔点金属214的液面中。清洗室本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低熔点金属墨道，其特征在于，包括：输送熔融态的低熔点金属的管路；设置在所述管路中、与管路连通的至少一个腔室；所述至少一个腔室中至少存在一个清洗室，用于去除所述低熔点金属中的氧元素。/n

【技术特征摘要】
1.一种低熔点金属墨道，其特征在于，包括：输送熔融态的低熔点金属的管路；设置在所述管路中、与管路连通的至少一个腔室；所述至少一个腔室中至少存在一个清洗室，用于去除所述低熔点金属中的氧元素。


2.根据权利要求1所述的低熔点金属墨道，其特征在于，所述清洗室通过第一进料口和第一出料口与管路连通，其第一进料口位于所述清洗室的顶部，其第一出料口位于所述清洗室的底部；
所述清洗室中容纳有浮于所述低熔点金属表面上的过滤液，所述过滤液与所述低熔点金属中夹带的金属氧化物产生化学反应。


3.根据权利要求2所述的低熔点金属墨道，其特征在于，所述第一出料口向所述清洗室的内部延伸出一定高度，避免粘附于清洗室内壁上的过滤液通过第一出料口进入管路。


4.根据权利要求3所述的低熔点金属墨道，其特征在于，所述清洗室的底部还开设有第二出料口，与所述清洗室的底面齐平，与废液池连通。


5.根据权利要求1所述的低熔点金属墨道，其特征在于，所述至少一个腔室中还包括位于所述管路的起始段的熔炼室；
所述熔炼室由连续的熔炼腔体和散热腔体构成，并且所述熔炼腔体和散热腔体之间通过隔热挡板实现连通或关断；
所述低熔点金属在具有第一温度的所述熔炼腔体内形成，通过流经所述散热腔体，经过所述散热腔体的热传递作用降低至第二温度，再进入所述管路。


6.根据权利要求5所述的低熔点金属墨道，其特征在于，所述至少一个腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉星，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11