【技术实现步骤摘要】
一种永磁驱动器的保护电路
本技术涉及电路设计
,尤其是一种永磁驱动器的保护电路。
技术介绍
术语解释:IGBT:是指绝缘栅双极型晶体管,英文名:InsulatedGateBipolarTransistor,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。永磁驱动器配合永磁型高压开关使用,主要优点是:机构部件比弹簧、电磁等高压开关少,切断故障电流时间短,可维护性、可靠性大大提高,因此被广泛应用在10kV架空线路。由于永磁驱动器控制高压永磁开关分闸、合闸所需电流很大,一般高达60A-100A,所以目前主流的永磁驱动器基本都是采用IGBT方式控制,单线圈永磁高压开关采用4只IGBT组成全桥电路,通过对永磁线圈正向或反向通电,从而实现永磁机构的正转和反转,达到永磁开关分闸、合闸目的。目前主流的永磁驱动器具体存在的问题有:(1)开关分、合闸时高达100A左右的电流对充电电源冲击很大,并影响重合操作可靠性;(2)IGBT本质上是 ...
【技术保护点】
1.一种永磁驱动器的保护电路,其特征在于:包括第一逻辑与非门,第二逻辑与非门、比较器、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻和第一电磁线圈,所述第一逻辑与非门的1脚连接CPU的合闸信号,所述第一逻辑与非门的2脚连接比较器的1脚,所述第一逻辑与非门的3脚连接第四三极管的基极,所述第一逻辑与非门的4脚依次连接第一三极管、第一电磁线圈、第四三极管和第一电阻,所述第二逻辑与非门的1脚连接CPU的分闸信号,所述第二逻辑与非门的2脚连接比较器的1脚,所述第二逻辑与非门的4脚连接第三三极管的基极,所述第二逻辑与非门的3脚依次连接第二三极管、第一电磁线圈、第三三极管和第一电阻。/n
【技术特征摘要】
1.一种永磁驱动器的保护电路,其特征在于:包括第一逻辑与非门,第二逻辑与非门、比较器、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻和第一电磁线圈,所述第一逻辑与非门的1脚连接CPU的合闸信号,所述第一逻辑与非门的2脚连接比较器的1脚,所述第一逻辑与非门的3脚连接第四三极管的基极,所述第一逻辑与非门的4脚依次连接第一三极管、第一电磁线圈、第四三极管和第一电阻,所述第二逻辑与非门的1脚连接CPU的分闸信号,所述第二逻辑与非门的2脚连接比较器的1脚,所述第二逻辑与非门的4脚连接第三三极管的基极,所述第二逻辑与非门的3脚依次连接第二三极管、第一电磁线圈、第三三极管和第一电阻。
2.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨爱军,吴华利,
申请(专利权)人:珠海银河智能电网有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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