显示面板制造技术

技术编号:24057340 阅读:39 留言:0更新日期:2020-05-07 15:37
本实用新型专利技术提供一种显示面板,能够避免发光器件和第一存储电极以及第二存储电容电连接时产生跨线的问题,以及提高亚像素的开口率。显示面板包括:衬底,设置于衬底上位于每个亚像素中的像素驱动电路与底发光型发光器件;发光器件包括与像素驱动电路电连接的第一电极;像素驱动电路包括第一存储电容和第二存储电容;第一存储电容包括第一存储电极和第二存储电极,第二存储电容包括第二存储电极和第三存储电极;第二存储电极位于第一存储电极与第三存储电极之间;第一电极还用作第一存储电极,第一存储电极与第三存储电极电连接;第二存储电极和第三存储电极均呈透明。

Display panel

【技术实现步骤摘要】
显示面板
本技术涉及显示
,尤其涉及一种显示面板。
技术介绍
自发光显示装置例如有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示面板具有自发光、轻薄、功耗低、色彩还原度好、反应灵敏以及广视角等有点,已经被越来越广泛的应用在手机、笔记本电脑以及电视等显示设备中,成为目前市场的主流。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种显示面板及其制备方法,能够避免发光器件和存储电容电连接时产生跨线的问题,以及提高亚像素的开口率。为达到上述目的,本技术的实施例采用如下技术方案:一方面,本技术实施例提供一种显示面板,包括:衬底,设置于所述衬底上显示区且位于每个亚像素中的像素驱动电路与底发光型发光器件;所述发光器件包括与像素驱动电路电连接的第一电极。所述像素驱动电路包括第一存储电容和第二存储电容;所述第一存储电容包括第一存储电极和第二存储电极,所述第二存储电容包括第二存储电极和第三存储电极。沿所述衬底厚度方向,所述第二存储电极位于第一存储电极与第三存储电极之间。所述第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底,设置于所述衬底上显示区且位于每个亚像素中的像素驱动电路与底发光型发光器件;所述发光器件包括与像素驱动电路电连接的第一电极;/n所述像素驱动电路包括第一存储电容和第二存储电容;所述第一存储电容包括第一存储电极和第二存储电极,所述第二存储电容包括第二存储电极和第三存储电极;/n沿所述衬底厚度方向,所述第二存储电极位于第一存储电极与第三存储电极之间;/n所述第一电极还用作所述第一存储电极,所述第一存储电极与所述第三存储电极电连接;所述第二存储电极和所述第三存储电极均呈透明。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底,设置于所述衬底上显示区且位于每个亚像素中的像素驱动电路与底发光型发光器件;所述发光器件包括与像素驱动电路电连接的第一电极;
所述像素驱动电路包括第一存储电容和第二存储电容;所述第一存储电容包括第一存储电极和第二存储电极,所述第二存储电容包括第二存储电极和第三存储电极;
沿所述衬底厚度方向,所述第二存储电极位于第一存储电极与第三存储电极之间;
所述第一电极还用作所述第一存储电极,所述第一存储电极与所述第三存储电极电连接;所述第二存储电极和所述第三存储电极均呈透明。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第一晶体管,所述第一晶体管包括第一栅极、第一半导体有源图案、第一源极;所述第一晶体管为驱动晶体管;
所述第一半导体有源图案包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区,所述第一源极区和所述第一漏极区的导电性大于所述第一沟道区的导电性;所述第一源极与所述第一源极区接触;
所述第三存储电极通过对半导体图案进行导体化得到,所述第三存储电极与所述第一漏极区连接且为一体结构;
所述第一源极与电源线电连接。


3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第二晶体管,所述第二晶体管包括第二栅极、第二半导体有源图案、第二源极和第二漏极;
所述第二栅极与栅线电连接;
所述第二源极与数据线电连接;
所述第二漏极与第一连接电极电连接,且二者为一体结构;所述第一连接电极与所述第一栅极和所述第二存储电极均电连接;
所述第二栅极由所述栅线充当。


4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极与所述第二存储电极直接接触,所述第一连接电极与所述第一栅极通过过孔电连接。


5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在所述像素驱动电路包括第二晶体管的情况下,所述像素驱动电路还包括第三晶体管,所述第三晶体管包括第三栅极、第三半导体有源图案和第三漏极;
所述第三半导体有源图案包括第三沟道区、第三源极区和第三漏极区,所述第三源极区和所述第三漏极区的导电性大于所述第三沟道区的导电性;
所述第三源极区与所述第三存储电极连接且为一体结构;所述第三漏极与所述第三漏极区接触,且所述第三漏极与感测信号线电连接;<...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁粲李永谦袁志东
申请(专利权)人:合肥京东方卓印科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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