【技术实现步骤摘要】
一种半桥软开关驱动方式的电子镇流器
本技术涉及半桥软开关驱动方式的电子镇流器领域。
技术介绍
镇流器是指为了克服气体放电型电光源的负阻特性,使之能够正常工作而加入的配套使用的电器设备。电子镇流器(Electricalballast),是指采用电子技术驱动电光源,使之产生所需照明的电子设备。其金属卤化物灯是在高压汞灯基础上添加各种金属卤化物制成的第三代光源。照明采用钪钠型金属卤化物灯,该灯具有发光效率高、显色性能好、寿命长等特点,是一种接近日光色的节能新光源,广泛应用于体育场馆、展览中心、大型商场、工业厂房、街道广场、车站、码头等场所的室内照明。特别是现在由于卤素灯的发光效率高,成本低被广泛应用于各行各业中,如医疗,农业,印刷等等领域,特别是现在新型的农业的发展,用卤素灯的灯光来模拟太阳光,让植物进行光合作用,特别是可以通过对灯泡的改进,可一产生不同光波段,满足不同的植物的需求,实现农作物的丰收。传统的电子镇流器多采用半桥电路,再通过调频的方式,利用电感的感抗来限制输出电流的方式,实现对输出功率的控制。而传统的 ...
【技术保护点】
1.一种半桥软开关驱动方式的电子镇流器,包括高端MOS管Q3、低端MOS管Q4、电容C10、电感T4A、控制装置;高压直流电源接高端MOS管Q3的D极、高端MOS管Q3的S极接低端MOS管Q4的D极,低端MOS管Q4的S极接地;高端MOS管Q3的S极与低端MOS管Q4的D极的公共端接电容C10的一端,电容C10的另一端接电感T4A的一端,电感T4A的另一端接金卤灯LAMP的阳极,金卤灯的阴极接地;其特征在于:所述的控制装置产生分别控制高端MOS管Q3和低端MOS管Q4的控制信号DR_H和DR_L;在控制信号DR_H接入高端MOS管Q3的G极之间还设置有高端驱动电路,在控制信 ...
【技术特征摘要】
1.一种半桥软开关驱动方式的电子镇流器,包括高端MOS管Q3、低端MOS管Q4、电容C10、电感T4A、控制装置;高压直流电源接高端MOS管Q3的D极、高端MOS管Q3的S极接低端MOS管Q4的D极,低端MOS管Q4的S极接地;高端MOS管Q3的S极与低端MOS管Q4的D极的公共端接电容C10的一端,电容C10的另一端接电感T4A的一端,电感T4A的另一端接金卤灯LAMP的阳极,金卤灯的阴极接地;其特征在于:所述的控制装置产生分别控制高端MOS管Q3和低端MOS管Q4的控制信号DR_H和DR_L;在控制信号DR_H接入高端MOS管Q3的G极之间还设置有高端驱动电路,在控制信号DR_L和低端MOS管Q4的G极之间还设置有低端驱动电路。
2.根据权利要求1所述的半桥软开关驱动方式的电子镇流器,其特征在于:所述的高端驱动电路包括电容C7、变压器T3、电阻R8、电阻R9、电阻R10、三极管Q5、二极管D1、稳压管ZD1;
所述的控制信号DR_H经过电容C7加到变压器T3的源边同相端,变压器T3源边异相端接地;
变压器T3的副边同相端分别接电阻R8和电阻R9的一端,电阻R8的另一端接二极管D1的P极,二极管D1的N极接三极管Q5的c极,电阻R9的另一端接三...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹超,蒋中为,
申请(专利权)人:深圳市电王科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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