试样支撑体制造技术

试样支撑体(1)包括基板(2)和电离基板(3)。电离基板(3)在第2表面(3b)上具有用于滴落试样的测量区域(R)。在电离基板(3)的至少测量区域(R)形成有在第1表面(3a)和第2表面(3b)开口的多个贯通孔(3c)。至少在第2表面(3b)上的贯通孔(3c)的周缘部设置有导电层(4)。基板(2)的电离基板(3)侧的至少一部分以能够使试样移动到基板(2)的内侧的方式形成。

Specimen support

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】试样支撑体
本专利技术涉及一种试样支撑体。
技术介绍
一直以来，已知有一种对试样照射激光而将试样中的化合物电离，通过检测电离了的试样来进行质量分析的方法。在专利文献1中记载了如下方法：将设置有多个贯通孔(mm级)的固定板配置在保持板上，通过该贯通孔将试样滴落到保持板上，对该试样照射激光，由此进行试样的电离。在专利文献2中记载了如下方法：在设置有多个非贯通孔(μm级)的基板滴落加入了基质(matrix)的试样，对浸透于该非贯通孔的内部的试样照射激光，由此进行试样的电离。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-21048号公报专利文献2：美国专利第7695978号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述方法中，在相对于凹部的试样的滴落量过多时，试样从该凹部溢出，失去所谓凹凸效果(通过凹凸结构而激光的能量容易传递到试样的效果)，存在试样的电离效率降低的可能性。即，存在不能够适当地将试样中的成分电离，或者检测的离子的量降低的可能性。其结果，存在在上述的质量分析中不能得到足够的信号强度，无法适当地检测试样中的成分的可能性。因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低的试样支撑体。解决问题的技术手段本专利技术的一个方面所涉及的试样支撑体，包括基板和配置在基板上的电离基板。电离基板在与基板相对的第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域，形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。至少在第2表面上的贯通孔的周缘部设置有导电层。基板的电离基板侧的至少一部分以能够使试样移动到基板的内侧的方式形成。在该试样支撑体中，基板的电离基板侧的至少一部分以能够使试样移动到基板的内侧的方式形成。由此，即使相对于电离基板的第2表面的试样的滴落量比适量多，也能够将流入基板的试样的过剩量经由设置于电离基板的贯通孔释放到基板的内侧。因此，能够抑制试样的过剩量在第2表面上溢出，能够抑制通过对第2表面照射激光而使试样的成分电离时的电离效率的降低。通过以上所述，根据该试样支撑体，能够抑制因试样S的滴落量导致的电离效率的降低。也可以是在基板的与电离基板相对的面以与测量区域对应的方式设置有凹部。该情况下，能够将试样的过剩量释放到以与测量区域对应的方式设置于基板的凹部。也可以是在基板以与测量区域对应的方式设置有沿基板与电离基板相对的方向延伸的贯通孔。该情况下，能够将试样的过剩量释放到以与测量区域对应的方式设置于基板的贯通孔。此外，由于能够将试样的过剩量经由贯通孔释放到基板的外侧，因此能够更有效地排出试样的过剩量。也可以是基板由具有吸水性的材料形成。该情况下，通过将到达基板的试样经由电离基板的贯通孔而吸收到基板的内部，能够将试样的过剩量释放到基板的内侧。也可以是试样支撑体还包括：支撑部，其以电离基板的第1表面与基板彼此隔开的方式相对于基板支撑电离基板。该情况下，利用支撑部，能够在电离基板的第1表面与基板之间形成间隙。由此，能够将试样的过剩量释放到电离基板的第1表面与基板之间的间隙，能够更有效地抑制试样的过剩量在第1表面上溢出。也可以是支撑部具有第1支撑部，该第1支撑部以从基板与电离基板相对的方向观察划分测量区域的方式设置于第1表面上的测量区域的周缘部与基板之间。该情况下，利用第1支撑部，能够适当地规定电离基板的测量区域。也可以是第1支撑部是将电离基板与基板粘结的粘结部件。该情况下，利用第1支撑部，能够确保电离基板的第1表面与基板之间的间隙，并且相对于基板将电离基板固定。也可以是支撑部具有设置于电离基板的周缘部与基板之间的第2支撑部。该情况下，利用第2支撑部，能够确保电离基板的第1表面与基板之间的间隙，并且相对于基板将电离基板稳定地支撑。也可以是第2支撑部是将电离基板与基板粘结的粘结部件。该情况下，利用第2支撑部，能够确保电离基板的第1表面与基板之间的间隙，并且相对于基板将电离基板固定。也可以是基板由具有导电性的载玻片或者金属形成。该情况下，能够经由基板进行用于对导电层施加电压的电连接。其结果，能够将用于上述电连接的结构简化。也可以是电离基板通过将阀金属或者硅阳极氧化而形成。该情况下，通过阀金属或者硅的阳极氧化，能够恰当且容易地实现设置有多个微细的贯通孔的电离基板。也可以是形成于电离基板的贯通孔的宽度为1nm～700nm。该情况下，能够使滴落到电离基板的第2表面的试样的过剩量经由贯通孔移动到基板侧，并且使用于通过对第2表面照射激光而电离的试样适当地留在贯通孔内。也可以是试样支撑体还包括具有导电性且在与导电层接触的状态下将电离基板与基板彼此固定的固定部件。该情况下，利用固定部件(例如导电带等)，能够相对于基板将电离基板可靠地固定。此外，在基板具有导电性的情况下，能够经由固定部件进行基板与导电层之间的电连接(用于对导电层施加电压的电连接)。由此，能够将用于上述电连接的结构简化。也可以是试样支撑体还包括：框架，其从基板与电离基板相对的方向观察，至少设置于电离基板的第2表面的周缘部上。该情况下，利用框架，能够确保电离基板的强度。也可以是框架具有壁部，壁部以从基板与电离基板相对的方向观察划分测量区域的方式设置于第2表面上的测量区域的周缘部上。该情况下，利用框架的壁部，能够恰当地规定电离基板的测量区域。也可以是导电层以还覆盖框架的表面的方式形成。该情况下，能够在框架上实现用于对导电层施加电压的电连接。由此，能够不侵蚀电离基板上的有效区域(即测量区域)而实现上述电连接。也可以是试样支撑体还包括具有导电性且在与导电层的覆盖框架的表面的部分接触的状态下将电离基板与基板彼此固定的固定部件。该情况下，利用固定部件(例如带等)，能够相对于基板将电离基板可靠地固定。此外，在基板具有导电性的情况下，能够经由固定部件进行基板与导电层之间的电连接(用于对导电层施加电压的电连接)。由此，能够将用于上述电连接的结构简化。本专利技术的另一方面所涉及的试样支撑体，包括基板和具有导电性且配置在基板上的电离基板。电离基板在与基板相对的第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域，形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。基板的电离基板侧的至少一部分以能够使试样移动到基板的内侧的方式形成。根据该试样支撑体，能够在试样支撑体中省略导电层，并且与如上述那样具有导电层的试样支撑体同样地，能够抑制因试样S的滴落量导致的电离效率的降低。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供可抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低的试样支撑体。附图说明图1是第1实施方式所涉及的试样支撑体的俯视图。图2是沿图1所示的II-II线的试样支撑体的截面图。图3是表示图1所示的试样支撑体的电离基板和导电层的概略结构的主要部分放大截面图。图4是表示图1所示的试样支撑体的电离基板的放大像的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种试样支撑体，其特征在于，包括：/n基板；和/n配置在所述基板上的电离基板，/n所述电离基板在与所述基板相对的第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域，/n在所述电离基板的至少所述测量区域，形成有在所述第1表面和所述第2表面开口的多个贯通孔，/n至少在所述第2表面上的所述贯通孔的周缘部设置有导电层，/n所述基板的所述电离基板侧的至少一部分以能够使所述试样移动到所述基板的内侧的方式形成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170921 JP 2017-1815991.一种试样支撑体，其特征在于，包括：
基板；和
配置在所述基板上的电离基板，
所述电离基板在与所述基板相对的第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域，
在所述电离基板的至少所述测量区域，形成有在所述第1表面和所述第2表面开口的多个贯通孔，
至少在所述第2表面上的所述贯通孔的周缘部设置有导电层，
所述基板的所述电离基板侧的至少一部分以能够使所述试样移动到所述基板的内侧的方式形成。


2.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于：
在所述基板的与所述电离基板相对的面以与所述测量区域对应的方式设置有凹部。


3.如权利要求1所述的试样支撑体，其特征在于：
在所述基板以与所述测量区域对应的方式设置有沿所述基板与所述电离基板相对的方向延伸的贯通孔。


4.如权利要求1～3中任一项所述的试样支撑体，其特征在于：
所述基板由具有吸水性的材料形成。


5.如权利要求1～4中任一项所述的试样支撑体，其特征在于：
还包括：支撑部，其以所述电离基板的所述第1表面与所述基板彼此隔开的方式相对于所述基板将所述电离基板支撑。


6.如权利要求5所述的试样支撑体，其特征在于：
所述支撑部具有第1支撑部，所述第1支撑部以从所述基板与所述电离基板相对的方向观察划分所述测量区域的方式设置于所述第1表面上的所述测量区域的周缘部与所述基板之间。


7.如权利要求6所述的试样支撑体，其特征在于：
所述第1支撑部是将所述电离基板与所述基板粘结的粘结部件。


8.如权利要求5～7中任一项所述的试样支撑体，其特征在于：
所述支撑部具有设置于所述电离基板的周缘部与所述基板之间的第2支撑部。


9.如权利要求8所述的试样支撑体，其特征在于：
所述第2支撑部是将所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：大村孝幸，小谷政弘，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP