【技术实现步骤摘要】
包括异氰酸酯化合物的锂二次电池相关申请的交叉引用于2018年10月23日在韩国知识产权局提交的、标题为“包括异氰酸酯类化合物的锂二次电池”的韩国专利申请No.10-2018-0126859以其整体通过引用并入本文。
实施方式涉及包括异氰酸酯化合物的锂二次电池。
技术介绍
锂二次电池可以用作用于驱动便携式电子设备(比如摄像机、移动电话和笔记本电脑)的电源。可再充电锂二次电池每单位重量的能量密度可以比例如铅电池、镍镉电池、镍金属氢化物电池和镍锌电池高三倍，并且可以高速充电。作为包含在锂二次电池的阴极中的阴极活性物质，可以使用含锂的金属氧化物。例如，可以使用锂与钴(Co)、锰(Mn)、镍(Ni)或其组合的复合氧化物。其中，就高Ni含量的阴极活性物质而言，近年来已对这样的物质进行了研究，因为它们与锂钴氧化物相比可实现更高容量的电池。
技术实现思路
实施方式可以通过提供锂二次电池来实现，该锂二次电池包括：阴极；阳极以及阴极和阳极之间的电解质，其中该电解质包括锂盐、非水性溶剂和...
【技术保护点】
1.一种锂二次电池，包括：/n阴极；/n阳极；以及/n所述阴极和所述阳极之间的电解质，/n其中：/n所述电解质包括锂盐、非水性溶剂和异氰酸酯化合物，并且/n所述阴极包括由下式1表示的阴极活性物质，/n<式1>/nLi
【技术特征摘要】
20181023 KR 10-2018-01268591.一种锂二次电池，包括：
阴极；
阳极；以及
所述阴极和所述阳极之间的电解质，
其中：
所述电解质包括锂盐、非水性溶剂和异氰酸酯化合物，并且
所述阴极包括由下式1表示的阴极活性物质，
<式1>
LixNiyM1-yO2-zAz
其中，在式1中，
x、y和z满足以下关系：0.9≤x≤1.2，0.6<y≤0.98，和0≤z<0.2，
M为选自Al、Mg、Mn、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W和Bi中的至少一种，并且
A为氧化值为-1或-2的元素。
2.如权利要求1所述的锂二次电池，其中所述异氰酸酯化合物包括至少一个异氰酸酯基。
3.如权利要求1所述的锂二次电池，其中所述异氰酸酯化合物由下式2表示：
<式2>
X1-N＝C＝O
其中，在式2中，
X1为-Si(R)3、-S(＝O)2R、-Si(R)2-O-Si(R)3、-C(＝O)OR或-P(R)2，
每个R独立地为氢、-F、-Cl、-Br、-I、异氰酸酯基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20炔基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
所述取代的C1-C20烷基、所述取代的C2-C20烯基、所述取代的C2-C20炔基和所述取代的C1-C20烷氧基的至少一个取代基为氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C10烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基或C1-C20烷氧基，并且
Q1至Q3各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基或C1-C20烷氧基。
4.如权利要求3所述的锂二次电池，其中：
i)所述异氰酸酯化合物包括一个异氰酸酯基，且X1为-S(＝O)2R、-Si(R)2-O-Si(R)3或-C(＝O)OR，并且R为-F，或
ii)所述异氰酸酯化合物包括两个或三个异氰酸酯基，并且X1为-Si(R)3、-S(＝O)2R、-Si(R)2-O-Si(R)3或-C(＝O)OR。
5.如权利要求1所述的锂二次电池，其中，所述异氰酸酯化合物为由式2-1至式2-5中的一个表示的化合物：
其中，在式2-1至式2-5中，
L1至L4和L11至L12各自独立地为单键、*-O-*’或取代或未取代的C1-C30亚烷基，
a1至a4和a11至a12各自独立地为1至5的整数，
R1至R4各自独立地为-F、-Cl、-Br、-I、异氰酸酯基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20炔基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
所述取代的C1-C30亚烷基、所述取代的C1-C20烷基、所述取代的C2-C20烯基、所述取代的C2-C20炔基和所述取代的C1-C20烷氧基中的至少一个取代基为氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C10烷基、C2-...
【专利技术属性】
技术研发人员：金秀珍，帕维尔·沙图诺夫，朴希净，李晙榕，金泰植，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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