一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法技术

本发明专利技术公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明专利技术在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。

A protection method for air bridge structure of 3D integrated chip

【技术实现步骤摘要】
一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法
本专利技术属于半导体工艺
，特别是一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法。
技术介绍
半导体芯片三维堆叠集成技术是后摩尔时代电子元器件进一步小型化、轻量化、多功能化和智能化的关键途径之一，通过将多个半导体器件或晶圆利用芯片键合或者晶圆键合的方式在垂直方向堆叠集成，能够在减小系统体积、减轻重量的同时，实现综合性能的提高。通常在单片微波集成芯片表面，为了减小电路的损耗，往往采用空气桥结构把电极跨接起来。空气桥作为一种悬空结构，如果在没有额外保护的情况下直接承受较大的外界压力容易发生断裂，而集成过程中的键合工艺往往要在键合芯片表面施加压力，将导致正面带有空气桥结构的单片微波集成芯片在键合工艺过程中损坏，从而造成性能退化甚至电路毁坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，解决半导体芯片三维堆叠集成工艺中空气桥结构断裂问题，降低芯片电路失效率，提高三维集成芯片成品率和可靠性。实现本专利技术目的的技术解决方案为：一种三维集成芯片的空气桥结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)清洗第一待键合芯片；/n2)在第一待键合芯片正面制作电镀种子层；/n3)在第一待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；/n4)利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；/n5)去除光刻胶，清洗第一待键合芯片；/n6)去除第一待键合芯片电镀种子层；/n7)清洗第一待键合芯片和第二待键合芯片；/n8)将第一待键合芯片与第二待键合芯片进行键合集成工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)清洗第一待键合芯片；
2)在第一待键合芯片正面制作电镀种子层；
3)在第一待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；
4)利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；
5)去除光刻胶，清洗第一待键合芯片；
6)去除第一待键合芯片电镀种子层；
7)清洗第一待键合芯片和第二待键合芯片；
8)将第一待键合芯片与第二待键合芯片进行键合集成工艺。


2.根据权利要求1所述的一种用于三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其特征在于，步骤1)中所述的第一待键合芯片为半导体材料单晶衬底或外延衬底制备的芯片或晶圆，半导体材料为Si、GaAs、GaN、SiC、InP中的任意一种或几种。


3.根据权利要求1所述的一种用于三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其特征在于，步骤2)中所述的电镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，戴家赟，孔月婵，吴立枢，陈堂胜，
申请(专利权)人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32