一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87‑0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明专利技术中的R‑T‑B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。

A R-T-B series permanent magnet material, raw material composition, preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用
本专利技术涉及一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。
技术介绍
永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R-T-B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种)已知为永久磁铁中性能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等各种电机和家电制品等。对于R-T-B系烧结磁铁，通常通过添加Dy、Tb等重稀土，或者采用重稀土晶界扩散来提升磁体矫顽力Hcj，但重稀土资源稀缺，价格昂贵。而现有技术中通过降低磁体B含量，并添加Cu/Al/Ga使其生成R6-T13-X(X指Cu/Al/Ga)优化晶界，提升Hcj，从而减少重稀土使用量；但B含量降低使R2T14B主相的体积分数下降，从而导致磁体的剩余磁通密度Br下降。因此，亟需一种Hcj和Br能够得到同时提升的R-T-B系永磁材料。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术中R-T-B系永磁材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；/nR：29.0～31.5wt％；/nB：0.87-0.91wt％；/n所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；/n所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：/n(1) 0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；/n(2) 0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；/nwt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；/n余量为Fe和Co及不可避免的杂质；/n所述R中还可包括重稀土元素RH。/n

【技术特征摘要】
1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；
R：29.0～31.5wt％；
B：0.87-0.91wt％；
所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；
所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：
(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；
(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；
wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
余量为Fe和Co及不可避免的杂质；
所述R中还可包括重稀土元素RH。


2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti/(Cu+Ga)为0.01-0.5或0.003-0.8，例如0.25；
和/或，所述(Ti+Cu+Ga)为0.45-0.5；
和/或，所述R-T-B系永磁材料的晶界处存在富含Ti的Rm(Fe+Co)1-m-x-y-z(CuxGayTiz)富集相，其中：m25.5-30at％，x0-2at％，y1.5-2.5at％，z5.5-6.5at％，at％是指原子百分比；所述m较佳地为25.5-29.6at％，例如28.8at％、28.9at％、29.1at％或29.4at％；所述x较佳地为0.5-2at％或0-1.7at％，例如1.5at％或1.6at％；所述y较佳地为1.5-2.3at％，例如2.4at％、1.6at％或1.8at％；所述z较佳地为5.5-5.9at％，例如5.8at％。


3.如权利要求1或2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29-31wt％或29.5-31.5wt％，例如29.7wt％、30wt％或30.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量为0-1wt％且不为1wt％，例如0.2wt％或0.7wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.89-0.905wt％，例如0.9wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量范围为0-0.2wt％且不为0，例如0.001-0.2wt％，再例如0.005wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0-0.15wt％，例如0.1wt％或0.05wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量范围为0.2-0.4wt％，例如0.345wt％、0.15wt％、0.25wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5-2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。


4.如权利要求1～3中任一项所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：
R29.0～31.0wt％；RH0-1wt％且不为1wt％；B0.87-0.91wt％；Ti0-0.2wt％且不为0；Cu0-0.15wt％；Ga0.2-0.4wt％；Co0.5-2wt％；wt％是指占所述R-T-B系永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质；
或者，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：R29.5～31.5wt％；RH0-1wt％且不为1wt％；B0.87-0.91wt％；Ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝琴，师大伟，施尧，黄佳莹，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，福建省长汀金龙稀土有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35