一步炼镍装置制造方法及图纸

技术编号:23975175 阅读:82 留言:0更新日期:2020-04-29 09:00
本发明专利技术提供了一种一步炼镍装置。该一步炼镍装置为一体化设备,包括炉体,炉体内部依次设置有熔池熔炼区和还原贫化区,熔池熔炼区具有第一加料口和第一鼓风口,第一加料口用于向熔池熔炼区加入硫化镍精矿、熔剂和第一还原剂,熔池熔炼区用于对硫化镍精矿进行熔池熔炼以产出含镍35~65wt%的高镍锍、熔炼渣和烟气;还原贫化区与熔池熔炼区相连通,还原贫化区具有第二加料口、第二鼓风口和出烟口,还原贫化区用于使熔炼渣进行贫化反应产出贫化渣和第一金属化镍锍。本发明专利技术能够在一台设备中实现强化冶炼、炉渣贫化,从而在一台装置中实现硫化镍精矿一步炼出高镍锍,实现了能源的高效利用。同时,熔炼渣镍含量低,贫化过程负荷小,能耗低。

One step nickel plant

【技术实现步骤摘要】
一步炼镍装置
本专利技术涉及冶金
,具体而言,涉及一种一步炼镍装置。
技术介绍
传统硫化镍精矿火法冶炼主要指硫化镍精矿冶炼至高镍锍的工艺过程,一般包含熔炼和吹炼两个步骤,熔炼工艺主要包括熔池熔炼工艺和闪速熔炼工艺,吹炼工艺主要包括P-S转炉吹炼工艺和顶吹吹炼工艺。熔池熔炼工艺包括密闭鼓风炉熔炼、电炉熔炼、富氧顶吹炉熔炼和富氧侧吹炉熔炼等,其中密闭鼓风炉熔炼、电炉熔炼目前属于行业明确要求淘汰的工艺。熔池熔炼的核心生产装置为熔池熔炼炉,主要包括顶吹熔炼炉和富氧侧吹熔炼炉。闪速熔炼包括奥托昆普闪速熔炼工艺和INCO氧气闪速熔炼工艺(CopperCliff,加拿大铜崖冶炼厂)。闪速熔炼的核心生产装置为闪速熔炼炉。P-S转炉吹炼具有成熟的应用实践,但需要在生产过程中进行熔体的热态倒运,难以避免SO2的低空污染问题。由上可见传统的硫化镍精矿火法冶炼过程通常由独立的熔炼炉、吹炼炉分别完成熔炼和吹炼作业,存在各生产装置间大量的物料倒运及循环的问题,并导致随之而来的投资高、流程长、低空污染等问题。1995年芬兰的Ha本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一步炼镍装置,其特征在于,所述一步炼镍装置为一体化设备,所述一步炼镍装置包括炉体(10),所述炉体(10)内部依次设置有:/n熔池熔炼区(11),所述熔池熔炼区(11)具有第一加料口(101)和第一鼓风口(102),所述第一加料口(101)用于向所述熔池熔炼区(11)加入硫化镍精矿、熔剂和第一还原剂,所述熔池熔炼区(11)用于对所述硫化镍精矿进行熔池熔炼以产出含镍35~65wt%的高镍锍、熔炼渣和烟气;以及/n还原贫化区(12),与所述熔池熔炼区(11)相连通,所述还原贫化区(12)具有第二加料口(103)、第二鼓风口(104)和出烟口(105),所述还原贫化区(12)用于使所述熔炼渣...

【技术特征摘要】
1.一种一步炼镍装置,其特征在于,所述一步炼镍装置为一体化设备,所述一步炼镍装置包括炉体(10),所述炉体(10)内部依次设置有:
熔池熔炼区(11),所述熔池熔炼区(11)具有第一加料口(101)和第一鼓风口(102),所述第一加料口(101)用于向所述熔池熔炼区(11)加入硫化镍精矿、熔剂和第一还原剂,所述熔池熔炼区(11)用于对所述硫化镍精矿进行熔池熔炼以产出含镍35~65wt%的高镍锍、熔炼渣和烟气;以及
还原贫化区(12),与所述熔池熔炼区(11)相连通,所述还原贫化区(12)具有第二加料口(103)、第二鼓风口(104)和出烟口(105),所述还原贫化区(12)用于使所述熔炼渣进行贫化反应产出贫化渣和第一金属化镍锍。


2.根据权利要求1所述的一步炼镍装置,其特征在于,所述炉体(10)内部还设置有沉降区(13),所述沉降区(13)与所述还原贫化区(12)相连通,且位于所述还原贫化区(12)的远离所述熔池熔炼区(11)的一侧,所述沉降区(13)用于对所述贫化渣进行沉降处理以产出第二金属化镍锍。


3.根据权利要求2所述的一步炼镍装置,其特征在于,所述炉体(10)具有底壁,将所述底壁的位于所述熔池熔炼区(11)下方的部分记为第一部分,将所述底壁的位于所述还原贫化区(12)下方的部分记为第二部分,将所述底壁的位于所述沉降区(13)下方的部分记为第三部分,其中,按所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分的顺序,所述底壁的水平高度依次升高。


4.根据权利要求3所述的一步炼镍装置,其特征在于,所述底壁的内部表面为倾斜表面,且按所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分的顺序,所述倾斜表面逐渐向上倾斜。


5.根据权利要求4所述的一步炼镍装置,其特征在于,所述倾斜表面的倾斜角度为3°~20°。


6.根据权利要求2至5中任一项所述的一步炼镍装置,其特征在于,所述一步炼镍装置还包括隔墙(20),所述隔墙(20)设置在所述炉体(10)中,且位于所述还原贫化区(12)和所述沉降区(13)之间,所述隔墙(20)下方具有连通通道,所述还原贫化区(12)和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东波陆金忠刘恺李晓霞曹珂菲黎敏张海鑫李锋颜杰邬传谷吴玲李建辉李海春徐小锋曾璐赵永成吴金财孙晓峰潘璐崔大韡
申请(专利权)人:中国恩菲工程技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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