一种滤波装置制造方法及图纸

本申请公开了一种滤波装置，包括衬底层和位于衬底层上表面的谐振层，谐振层包括振动模式不同的第一谐振装置和第二谐振装置；第一谐振装置至少包括层叠的第一压电层和第一上电极层，第二谐振装置至少包括层叠的第二压电层和第二上电极层，第一谐振装置和第二谐振装置中的至少一个还包括下电极层，且第二上电极层中的叉指电极靠近第一上电极层的一侧不具有母线。滤波装置具有混合振动模式的谐振装置，避免单一声波波型滤波装置无法满足不同频带带宽的要求，同时避免单一DMS型滤波装置不适用高频的要求；且第二上电极层中的叉指电极的一侧没有母线，直接与第一上电极层相连，有效减小滤波装置的体积，降低成本。

A filtering device

【技术实现步骤摘要】
一种滤波装置
本申请涉及滤波装置
，特别是涉及一种滤波装置。
技术介绍
声波谐振器按振动模式一般分为声表面波(SurfaceAcousticWave，SAW)谐振器和体声波(BulkAcousticWave，BAW)谐振器。其中，SAW谐振器采用叉指电极实现电能和声能的相互转化，BAW谐振器一般由上电极层、压电层、下电极层组成。此外，还有兰姆波谐振器。滤波装置由若干个声波谐振器组合而成，可以通过连接几个上述声波谐振器构成梯型或晶格型拓扑结构，或通过具有一个或多个产生声能的叉指电极构成双模式声表面波(DoubleModeSaw，DMS)结构。BAW型滤波装置一般利用梯型结构，由多个BAW谐振器搭建而成，具有较大的面积，成本高且无法满足小型化的需求；SAW型滤波装置分为梯型结构和DMS结构，梯型结构同样具有上述缺点；DMS结构因叉指电极线宽太小和电极损耗大的原因，不适用于高频；兰姆波型滤波装置线宽较大，但等效耦合系数低，达不到手机通讯的频带带宽要求。因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种滤波装置，以使滤波装置具有小型化、适用于高频、成本低的优点。为解决上述技术问题，本申请提供一种滤波装置，包括衬底层和位于所述衬底层上表面的谐振层，所述谐振层包括振动模式不同的第一谐振装置和第二谐振装置；所述第一谐振装置至少包括层叠的第一压电层和第一上电极层，所述第二谐振装置至少包括层叠的第二压电层和第二上电极层，所述第一谐振装置和所述第二谐振装置中的至少一个还包括下电极层，且所述第二上电极层中的叉指电极靠近所述第一上电极层的一侧不具有母线。可选的，所述第二上电极层为叉指电极或者组合电极，所述组合电极包括反射栅电极和多个叉指电极。可选的，还包括：位于所述谐振层上表面且与所述第二谐振装置所在区域对应的能量反射层。可选的，还包括：位于所述谐振层上表面且与所述第一谐振装置所在区域对应的金属频率调节层。。可选的，所述金属频率调节层为下述任一种金属或者任意组合金属形成的频率调节层：铝、钼、铜、金、铂、银、镍、铬、钨、钛、钽。可选的，还包括：位于所述金属频率调节层和所述能量反射层上表面的介质层。可选的，当所述衬底层不具有空腔时，还包括：位于所述衬底层和所述谐振层之间的声学反射层，所述声学反射层包括低声阻抗层和高声阻抗层。可选的，所述衬底层具有贯穿所述衬底厚度的空腔，且所述空腔完整对应所述第一谐振装置和所述第二谐振装置。可选的，所述谐振层还包括振动模式与所述第一谐振装置相同的第三谐振装置，且所述第二谐振装置位于所述第一谐振装置和所述第三谐振装置之间，且所述第二上电极层中的叉指电极靠近所述第三谐振装置中的第三上电极层的一侧不具有母线。本申请所提供的滤波装置，包括衬底层和位于所述衬底层上表面的谐振层，所述谐振层包括振动模式不同的第一谐振装置和第二谐振装置；所述第一谐振装置至少包括层叠的第一压电层和第一上电极层，所述第二谐振装置至少包括层叠的第二压电层和第二上电极层，所述第一谐振装置和所述第二谐振装置中的至少一个还包括下电极层，且所述第二上电极层中的叉指电极靠近所述第一上电极层的一侧不具有母线。可见，本申请中的滤波装置在衬底层的上表面具有振动模式不同的第一谐振装置和第二谐振装置，即本申请中的滤波装置具有混合振动模式的谐振装置，可以避免单一的声波波型滤波装置无法满足不同频带带宽的要求，同时也可以避免单一的DMS型滤波装置不适用于高频的要求；并且第二上电极层中的叉指电极靠近第一上电极层的一侧不具有母线，直接与第一上电极层相连，有效减小滤波装置的面积，降低成本的同时减小滤波装置的体积较小，满足行业对小型化的需求。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例所提供的一种滤波装置结构示意图；图2为本申请实施例所提供的一种滤波装置俯视示意图；图3为本申请实施例所提供的另一种滤波装置俯视示意图；图4为本申请实施例所提供的另一种滤波装置结构示意图；图5为本申请实施例所提供的另一种滤波装置结构示意图；图6为本申请实施例所提供的另一种滤波装置结构示意图；图7为本申请实施例所提供的另一种滤波装置的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，现有的滤波装置均是由单一类型的谐振器制成，导致滤波装置具有体积大、不适用于高频、成本高等问题。有鉴于此，本申请提供了一种滤波装置，请参考图1和图2，图1为本申请实施例所提供的一种滤波装置结构示意图，图2为本申请实施例所提供的一种滤波装置俯视示意图，该滤波装置包括衬底层1和位于所述衬底层1上表面的谐振层2，所述谐振层2包括振动模式不同的第一谐振装置X1和第二谐振装置X2；所述第一谐振装置X1至少包括层叠的第一压电层221和第一上电极层231，所述第二谐振装置X2至少包括层叠的第二压电层222和第二上电极层232，所述第一谐振装置X1和所述第二谐振装置X2中的至少一个还包括下电极层21，且所述第二上电极层232中的叉指电极靠近所述第一上电极层231的一侧不具有母线。具体的，谐振层2包括下电极层21、压电层22、上电极层23，其中，压电层22由第一压电层221和第二压电层222共同组成，上电极层23由第一上电极层231和第二上电极层232共同组成。需要说明的是，本实施例中对压电层的材料不做具体限定，可自行设置。例如，压电层22可以为下述任一种或者任意组合材料形成的压电层：氮化铝、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂等。优选地，上电极层23和下电极层21可以由下述任一种金属或者任意组合金属形成：铝、钼、铜、金、铂、银、镍、铬、钨、钛、钽等。需要指出的是，本实施例中对衬底层1不做具体限定，可视情况而定。例如，衬底层1可以为硅衬底层1，或者石英衬底层1，或者氧化铝衬底层1等等。可选的，在本实施例的一个实施例中，衬底层1为具有空腔结构的衬底层1，但是本申请对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波装置，其特征在于，包括衬底层和位于所述衬底层上表面的谐振层，所述谐振层包括振动模式不同的第一谐振装置和第二谐振装置；/n所述第一谐振装置至少包括层叠的第一压电层和第一上电极层，所述第二谐振装置至少包括层叠的第二压电层和第二上电极层，所述第一谐振装置和所述第二谐振装置中的至少一个还包括下电极层，且所述第二上电极层中的叉指电极靠近所述第一上电极层的一侧不具有母线。/n

【技术特征摘要】
1.一种滤波装置，其特征在于，包括衬底层和位于所述衬底层上表面的谐振层，所述谐振层包括振动模式不同的第一谐振装置和第二谐振装置；
所述第一谐振装置至少包括层叠的第一压电层和第一上电极层，所述第二谐振装置至少包括层叠的第二压电层和第二上电极层，所述第一谐振装置和所述第二谐振装置中的至少一个还包括下电极层，且所述第二上电极层中的叉指电极靠近所述第一上电极层的一侧不具有母线。


2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第二上电极层为叉指电极或者组合电极，所述组合电极包括反射栅电极和多个叉指电极。


3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：
位于所述谐振层上表面且与所述第二谐振装置所在区域对应的能量反射层。


4.如权利要求3所述的滤波装置，其特征在于，还包括：
位于所述谐振层上表面且与所述第一谐振装置所在区域对应的金属频率调节层。


5.如权利要求4所述的滤波装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭波华，李平，胡念楚，贾斌，
申请(专利权)人：开元通信技术厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35