防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置制造方法及图纸

技术编号:23951695 阅读:20 留言:0更新日期:2020-04-25 14:54
本实用新型专利技术公开了一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,包括供母线穿过的套管,所述套筒利用导电的安装板安装在墙板或者地板上;所述套筒内填充有防水填料;所述安装板上开有供套管穿过的孔,安装板上开有防涡流槽口,所述防涡流槽口一端通达孔边缘,另一端通达安装板边缘,使得安装板断开。本实用新型专利技术的原理在于利用导电的安装板连接套管和墙面\地面,同时将避免安装板成为闭环从而防止涡流现象的产生。

Insulation and sealing device of the common box bus of the vortex proof polysilicon reduction furnace

【技术实现步骤摘要】
防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置
本技术涉及一种用于多晶硅还原炉母排共箱母线的绝缘和密封装置。
技术介绍
传统的多晶硅还原炉共箱母排穿过楼层板采用热缩套管和绝缘子固定,采取用绝缘板简单的遮挡,未采取防水密封措施,由于还原炉底部冷却循环水管较多(如:24对棒有冷却主水管48根,循环水窜管68根)、运行时环境温度高(约65~75C°),在运行和维护时冷却水泄漏的可能性很大,防护等级低,冷却水的泄漏可能导致共箱下部电气柜造成短路等重大电气和人身安全隐患。并且现有的热缩套管周围会产生涡流现象,不仅消耗电流,还会产生大量的热,提高发生火灾的可能性。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,保证设备安全运行,防水绝缘并有效解决了涡流现象的产生。为解决以上技术问题,本技术的技术方案为:一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,包括供母线穿过的套管,所述套筒利用导电的安装板安装在墙板或者地板上;所述套筒内填充有防水填料;所述安装板上开有供套管穿过的孔,安装板上开有防涡流槽口,所述防涡流槽口一端通达孔边缘,另一端通达安装板边缘,使得安装板断开。本技术的原理在于利用导电的安装板连接套管和墙面\地面,同时将避免安装板成为闭环从而防止涡流现象的产生。作为一种改进,所述套管为绝缘材料制作,用于绝缘。作为一种改进,所述套管截面为椭圆形。与母排的形状相适应,避免母排与套管内壁接触。作为一种优选,所述套管外部设置有若干环状加强筋,所述若干加强筋平行设置。增加套管的强度,并且可以增加爬电距离。作为一种改进,所述套管上设置有连接板;所述孔的直径小于连接板的宽度。作为一种优选,所述安装板为304不锈钢制作,强度高,耐腐蚀。作为一种改进,所述防涡流槽口的宽度为4-6mm,有效防止涡流产生并且不影响安装板整体强度。作为一种改进,所述防水填料包括填充在套管内下部的聚氨酯发泡泡沫填缝剂;所述聚氨酯发泡泡沫上还填充有环氧树脂胶泥层。本技术的有益之处在于:具有上述结构的防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,能可靠保障铜排电气绝缘和防水功能,性能可靠,安装维护简便,效率高、成本低,保证了还原炉系统的使用安全。同时利用断开的不锈钢安装板进行引流,避免了涡流现象的产生,降低了火灾发生的可能性。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为安装板的结构示意图。图中标记:1套管、2加强筋、3安装板、4连接板、5聚氨酯发泡泡沫填缝剂、6环氧树脂胶泥层、7母线、8预留孔、9混凝土层、10环氧树脂胶泥层、31孔、32防涡流槽口。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。如图1、图2所示,本技术包括供母线7穿过的套管1,所述套筒1利用导电的安装板3安装在墙板或者地板上;所述套筒1内填充有防水填料;所述安装板3上开有供套管1穿过的孔31,安装板3上开有防涡流槽口32,防涡流槽口32的宽度为4-6mm。所述防涡流槽口32一端通达孔31边缘,另一端通达安装板3边缘,使得安装板3断开。套管1为绝缘材料制作,并且套管1截面为椭圆形。套管1外部设置有若干环状加强筋2,所述若干加强筋2平行设置。套管1上设置有连接板3;所述孔31的直径小于连接板3的宽度。安装板3为304不锈钢制作,强度高,耐腐蚀。防水填料包括填充在套管1内下部的聚氨酯发泡泡沫填缝剂5;所述聚氨酯发泡泡沫5上还填充有环氧树脂胶泥层6。安装的时候,先在墙壁或者底板上开设预留孔8,利用膨胀螺丝将安装板3固定。接着将套管1穿于安装板3的孔31内穿墙安装,连接板4与安装板3上的31孔配合定位。然后在连接板4和安装板3上方浇注混凝土层9和环氧树脂胶泥层10用于二次防水。之后将母线7穿过套管1,使用聚氨酯发泡泡沫5填缝剂将套管1和母线7间的间隙进行封堵,约套管深度的二分之一。聚氨酯发泡泡沫填缝剂5固化后进行套管1内环氧树脂浇注。浇注的配比为环氧树脂100份(WSR6101)∶固化剂25份(T31-2)∶稀释剂5份(松香水)∶填料5份(石英粉或水泥干粉)。浇注的顺序为环氧树脂→加稀释剂→搅拌→加固化剂→搅拌→加填料→搅拌→分装→灌套管孔(浇注高度和套管顶部平,防止积水)→固化→补胶→固化→清胶→灌胶完成。以上仅是本技术的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本技术的限制,本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,包括供母线穿过的套管,其特征在于:所述套管利用导电的安装板安装在墙板或者地板上;所述套管内填充有防水填料;所述安装板上开有供套管穿过的孔,安装板上开有防涡流槽口,所述防涡流槽口一端通达孔边缘,另一端通达安装板边缘,使得安装板断开。/n

【技术特征摘要】
1.一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,包括供母线穿过的套管,其特征在于:所述套管利用导电的安装板安装在墙板或者地板上;所述套管内填充有防水填料;所述安装板上开有供套管穿过的孔,安装板上开有防涡流槽口,所述防涡流槽口一端通达孔边缘,另一端通达安装板边缘,使得安装板断开。


2.根据权利要求1所述的一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,其特征在于:所述套管为绝缘材料制作。


3.根据权利要求1所述的一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,其特征在于:所述套管截面为椭圆形。


4.根据权利要求1所述的一种防涡流多晶硅还原炉共箱母线绝缘和密封装置,其特征在于:所述套管外部设置有若干环状加...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈继军赵永贵季贵华张琴
申请(专利权)人:乐山晟嘉电气股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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