阻气膜制造技术

本发明专利技术提供一种耐弯曲性、透明性及生产率等优异，而且，还具有充分的阻气性及耐高温高湿性的阻气膜。阻气膜具有至少1组含有氮化硅且厚度为2～15nm的无机层和含有无机层的成分及成为无机层的形成面的层的成分且厚度为2～25nm的混合层的组合，无机层的N/Si原子比为0.7～0.97。

Choke film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻气膜
本专利技术涉及一种耐弯曲性及透明性优异的阻气膜。
技术介绍
使用太阳能电池、有机电致发光元件及量子点的照明装置等中使用阻气膜，以保护由水分和/或氧等而引起劣化的元件等。并且，作为具有高阻气性的阻气膜，已知作为阻气层而形成了氮化硅、氧化硅及氧化铝等无机层的阻气膜。例如，在专利文献1中记载有如下阻气膜，其具备具有由有机材料构成的表面的基板及形成于基板上的以氮化硅作为主成分的无机层(无机膜)，无机层的N/Si的组成比为1～1.35、膜密度为2.1～2.4g/cm2、厚度为10～60nm，在基板与无机层的界面具有含有源自基板(有机材料)的成分及源自无机层的成分的厚度为5～40nm的混合层。并且，在专利文献2中记载有如下阻气膜，其具有基材膜及无机层，无机层含有Si、N、H及O，在厚度方向的中心，Si与N与H与O的比例均匀，并且，具有5nm以上的由下述式表示的O比率为10％以下的均匀区域，进而，与无机层的至少一个界面接触的区域中，O比率从均匀区域侧朝向界面方向增加，每单位厚度的O比率的变化量为2～8％/nm的含氧区域。...

【技术保护点】
1.一种阻气膜，其具有至少1组无机层与混合层的组合，所述无机层含有氮化硅且厚度为2nm～15nm，所述混合层含有所述无机层的成分及成为所述无机层的形成面的层的成分且厚度为2nm～25nm，/n所述无机层的N/Si原子比为0.7～0.97。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170927 JP 2017-1869301.一种阻气膜，其具有至少1组无机层与混合层的组合，所述无机层含有氮化硅且厚度为2nm～15nm，所述混合层含有所述无机层的成分及成为所述无机层的形成面的层的成分且厚度为2nm～25nm，
所述无机层的N/Si原子比为0.7～0.97。


2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述混合层的N/Si原子比为0.2～0.85。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月佳彦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP