4-氨基-6-(杂环)吡啶甲酸酯和6-氨基-2-(杂环)嘧啶-4-羧酸酯及其作为除草剂的用途制造技术

4‑氨基‑6‑(杂环)吡啶甲酸酯及其衍生物；6‑氨基‑2‑(杂环)嘧啶‑4‑羧酸酯及其衍生物；以及使用它们作为除草剂的方法。

4-amino-6 - (heterocyclic) picolinate and 6-amino-2 - (heterocyclic) pyrimidine-4-carboxylate and their use as herbicides

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】4-氨基-6-(杂环)吡啶甲酸酯和6-氨基-2-(杂环)嘧啶-4-羧酸酯及其作为除草剂的用途相关申请的交叉引用本申请要求2017年5月10日提交的美国临时专利申请序列号62/504,148的权益，其全部公开内容据此以引用方式明确并入。
本公开包括除草剂化合物、包含所述除草剂化合物的组合物，以及用此类化合物和组合物控制不期望植被的方法。
技术介绍
不期望植被(例如杂草)的出现是农民在作物、牧地和其他环境中面临的一个长期问题。杂草与作物竞争并且对作物产量产生负面影响。化学除草剂的使用是控制不期望植被的重要工具。在作物田(例如，小麦、大麦、玉米、燕麦、芥菜和甜菜)、牧地、路边、荒地和沟埂中，不期望植被地肤(kochia)和普通罂粟(commonpoppy)的问题特别突出。例如，地肤(Kochiascoparia)是一种常见于美国西部和加拿大的早发夏季一年生物种。它是草本双子叶植物并且是藜科成员。地肤作为观赏植物从欧洲传入北美，因为它在夏末和秋季呈红色。地肤(Kochiascoparia(L.)Schrad.)是整个北部大平原(NGP)的作物田、牧地、路边、荒地和沟埂中最麻烦的一年生阔叶杂草之一。如果不及早控制，地肤会导致包括小麦、大麦、玉米和甜菜在内的作物严重减产(最多至60％)，并且可能是化学休耕地(chem-fallow)中的主要问题杂草。种子几乎没有休眠，并且在免耕条件下，位于土壤表面或附近的大部分(>90％)种子在早春发芽，且在整个夏天出现2至3次出苗潮(emergenceflush)。夏末，地肤生长迅速并开花。杂草能够自花授粉和异花授粉，并通过种子繁殖。单个地肤植株能够产生最多至50,000颗种子，这些种子可以通过风、水、干草中的污染物、农业设备、或通过农用车辆传播。在成熟期，植株在茎的基部断裂并随盛行风在整个园地中“翻滚”，这是种子散布的独特而快速的机制。此外，地肤很好地适应干旱、盐、炎热和寒冷的条件。用于尝试控制地肤的除草剂包括乙酰乳酸合酶(ALS)抑制性除草剂、氟草烟(fluroxypyr)、麦草畏(dicamba)和草甘膦。氟草烟和麦草畏是选择性除草剂，其可控制阔叶杂草且通常不伤害禾本种植物。通常应用于地肤控制的(2-二氯苯氧基)乙酸(2,4-D)是无效的。草甘膦(如孟山都技术有限责任公司(MonsantoTechnologyLLC)，特拉华州有限责任公司(DelawareLimitedLiabilityCompany)的注册商标，或其他类似的仿制药)是用于杂草控制的非选择性广谱除草剂。然而，对于在化学休耕地中在种植之前燃尽杂草控制以及对于Roundup(也是孟山都技术有限责任公司的注册商标)作物中的作物内施用，与使用草甘膦超过十年相关的各种因素已导致包括地肤在内的草甘膦抗性杂草(在美国目前有24个物种)的进化。例如，对三嗪、生长素、ALS除草剂和草甘膦具有抗性的地肤生物型已有良好的文档记录。角罂粟(cornpoppy)或普通罂粟(虞美人(Papaverrhoeas))是具有地中海气候的欧洲南部地区的冬季谷物中问题最大的双子叶杂草之一。角罂粟是因其降低谷物产量的能力而为人熟知的竞争性杂草。该物种入侵、生长和在谷物田中持续存在的能力可以归因于永久种子库的形成、延长的发芽期和高种子产量。由于罂粟的抗除草剂生物型的传播，罂粟的管理已成为欧洲谷物种植者和当局的一个严峻且日益严峻的挑战。对磺酰脲类除草剂或/和生长素类除草剂具有抗性的虞美人的群体在比利时、丹麦、法国、德国、希腊、意大利、西班牙、瑞典和英国已有报道。已经在波兰发现了对光合系统II(PSII)抑制性除草剂具有抗性的虞美人的一些群体。虞美人的抗除草剂生物型的传播对谷物生产系统的收益性构成威胁。因此，仍然需要新的化学除草剂，其提供更广谱的杂草控制、选择性、最小的作物损害、储存稳定性、易处理性、更高的抗杂草活性、和/或解决相对于常规除草剂发展的除草剂耐受性的手段。
技术实现思路
本文提供了式(I)的化合物：其中X为N或CY，其中Y为氢、卤素、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷氧基、C1-C3烷硫基、或C1-C3卤代烷硫基；R1为被CN取代的C3-C12炔基或C1-C3烷基；R2为卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基、C2-C4卤代烷基氨基、甲酰基、C1-C3烷基羰基、C1-C3卤代烷基羰基、氰基、或式-CR17═CR18-SiR19R20R21的基团，其中R17为氢、F、或Cl；R18为氢、F、Cl、C1-C4烷基、或C1-C4卤代烷基；并且R19、R20和R21独立地为C1-C10烷基、C3-C6环烷基、苯基、经取代的苯基、C1-C10烷氧基、或OH；R3和R4独立地为氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6烯基、C3-C6卤代烯基、C3-C6炔基、甲酰基、C1-C3烷基羰基、C1-C3卤代烷基羰基、C1-C6烷氧基羰基、C1-C6烷基氨甲酰基、C1-C6烷基磺酰基、C1-C6三烷基甲硅烷基、C1-C6二烷基膦酰基、或R3和R4与N合在一起为5元或6元饱和环，或R3和R4合在一起表示＝CR3′(R4′)，其中R3′和R4′独立地为氢、C1-C6烷基、C3-C6烯基、C3-C6炔基、C1-C6烷氧基或C1-C6烷基氨基，或R3′和R4′与＝C合在一起表示5元或6元饱和环；R5为氢、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、环烷基、卤代环烷基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基、C2-C4卤代烷基氨基、OH或CN；R6和R6′独立地为氢、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、环丙基、卤代环丙基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基或C2-C4卤代烷基氨基、OH、CN、或NO2；R7和R7′独立地为氢、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、环丙基、卤代环丙基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基、C2-C4卤代烷基氨基、或苯基；R8为氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6烯基、C3-C6卤代烯基、C3-C6炔基、甲酰基、C1-C6烷基羰基、C1-C6环烷基羰基、C1-C6卤代烷基羰基、C1-C6烷氧基羰基、C1-C6卤代烷氧基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、C1-C6烷基氨甲酰基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷基磺酰基、C1-C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式(I)的化合物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170510 US 62/504,1481.一种式(I)的化合物：



其中
X为N或CY，其中Y为氢、卤素、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷氧基、C1-C3烷硫基、或C1-C3卤代烷硫基；
R1为被CN取代的C3-C12炔基或C1-C3烷基；
R2为卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基、C2-C4卤代烷基氨基、甲酰基、C1-C3烷基羰基、C1-C3卤代烷基羰基、氰基、或式-CR17═CR18-SiR19R20R21的基团，其中R17为氢、F、或Cl；R18为氢、F、Cl、C1-C4烷基、或C1-C4卤代烷基；并且R19、R20和R21独立地为C1-C10烷基、C3-C6环烷基、苯基、经取代的苯基、C1-C10烷氧基、或OH；
R3和R4独立地为氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6烯基、C3-C6卤代烯基、C3-C6炔基、甲酰基、C1-C3烷基羰基、C1-C3卤代烷基羰基、C1-C6烷氧基羰基、C1-C6烷基氨甲酰基、C1-C6烷基磺酰基、C1-C6三烷基甲硅烷基、C1-C6二烷基膦酰基、或R3和R4与N合在一起为5元或6元饱和环，或R3和R4合在一起表示＝CR3′(R4′)，其中R3′和R4′独立地为氢、C1-C6烷基、C3-C6烯基、C3-C6炔基、C1-C6烷氧基或C1-C6烷基氨基，或R3′和R4′与＝C合在一起表示5元或6元饱和环；
R5为氢、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、环丙基、卤代环丙基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基、C2-C4卤代烷基氨基、OH或CN；
R6和R6′独立地为氢、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、环丙基、卤代环丙基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基或C2-C4卤代烷基氨基、OH、CN、或NO2；
R7和R7′独立地为氢、卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、环丙基、卤代环丙基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基、氨基、C1-C4烷基氨基、C2-C4卤代烷基氨基、或苯基；
R8为氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6烯基、C3-C6卤代烯基、C3-C6炔基、甲酰基、C1-C6烷基羰基、C1-C6环烷基羰基、C1-C6卤代烷基羰基、C1-C6烷氧基羰基、C1-C6卤代烷氧基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、C1-C6烷基氨甲酰基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷基磺酰基、C1-C6卤代烷基磺酰基、芳基磺酰基、C1-C6三烷基甲硅烷基、氨基、C1-C4烷基氨基、氰基、或苯基；
或其N-氧化物或农业上可接受的盐。


2.如权利要求1所述的化合0其中
X为N、CH、CF、CCl或CBr；
R1为被CN取代的C3-C12炔基或C1-C3烷基；
R2为氯；
R3和R4为氢；
R5为氢、卤素、OH、氨基、CN、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3烷基氨基、或环丙基；
R6和R6′独立地为氢、卤素、OH、NH2、CN、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、环丙基、或乙烯基；
R7和R7′独立地为氢、卤素、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3烷硫基、环丙基、C1-C3烷基氨基、或苯基；并且
R8为氢、C1-C3烷基、苯基、或-CH1-R3烷基羰基；
或其N-氧化物或农业上可接受的盐。


3.如权利要求0所述的化合物，其中
X为CH、CF或N；
R1为被CN取代的C3-C12炔基或C1-C3烷基；
R2为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷硫基、或C1-C4卤代烷硫基；
R3和R4为氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6烯基、C3-C...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·基斯特，N·M·萨奇维，J·B·埃普，J·罗斯，
申请(专利权)人：美国陶氏益农公司，
类型：发明
国别省市：美国;US