基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制填充材料附着于基板的背面的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)对具有上表面以及背面的基板W进行处理。基板处理装置(100)具有基板保持部(120)、填充材料供给部(150)、第一清洗液供给部(160)。基板保持部(120)保持基板(W)的背面的中央部并使基板(W)旋转。填充材料供给部(150)向被基板保持部(120)保持的基板(W)的上表面供给填充材料。第一清洗液供给部(160)向被基板保持部(120)保持的基板(W)的背面供给清洗液。第一清洗液供给部(160)朝向基板(W)的背面中的被基板保持部(120)保持的区域供给清洗液。

Substrate treatment device and substrate treatment method

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及基板处理方法
本专利技术涉及基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
已知被用于半导体装置以及液晶显示装置等电子部件的基板通过基板处理装置进行处理。作为基板的处理，在电子部件的制造工序中，进行在基板的表面反复实施成膜以及蚀刻等处理来形成微细图案的工序。其中，为了良好地进行对基板表面的微细加工，需要将基板表面保持为洁净。因此，典型地，利用冲洗液对基板表面进行清洗处理。在该情况下，在清洗处理结束后，需要去除附着于基板表面的冲洗液来使基板干燥。该干燥处理中的重要的一个课题为，使基板干燥而不使形成于基板表面的图案倒塌。作为解决该课题的方法，升华干燥技术备受瞩目(例如，专利文献1)。在专利文献1中记载有：通过向接受了曝光处理的光致抗蚀膜供给显影液，来溶解涂敷于基板的表面的光致抗蚀膜并形成图案后，向基板的表面供给冲洗液来去除显影液，在冲洗处理的末期，在冲洗液覆盖基板表面的状态下，向基板供给可溶于冲洗液的聚合物，然后，使聚合物溶液干燥。在专利文献1中，图案的凹部(由光致抗蚀膜构成的凸状部之间的间隙)被聚合物填充，然后，通过选择性的等离子体灰化去除聚合物。专利文献1：日本特开2007-19161号公报如专利文献1所述，形成于基板的上表面的聚合物能够通过等离子体灰化去除。然而，在向基板供给聚合物时，有时聚合物不仅附着于基板的上表面，还附着于基板的背面。附着于基板的背面的聚合物即使进行等离子体灰化，也无法充分地去除，从而有时会在曝光工序中产生引起散焦等不良情况。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述课题而提出，其目的在于，提供一种能够抑制填充材料附着于基板的背面的基板处理装置以及基板处理方法。根据本专利技术的一实施方式，提供一种基板处理装置，对具有上表面以及背面的基板进行处理。所述基板处理装置具有：基板保持部，保持所述基板的所述背面的中央部并使所述基板旋转；填充材料供给部，向被所述基板保持部保持的所述基板的所述上表面供给填充材料；第一清洗液供给部，向被所述基板保持部保持的所述基板的所述背面供给清洗液。所述第一清洗液供给部朝向所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域供给所述清洗液。在本专利技术的基板处理装置中，所述基板保持部吸附于所述基板的所述背面的中央部。在本专利技术的基板处理装置中，从所述第一清洗液供给部供给至所述基板的所述背面的清洗液在所述基板的所述背面扩散，接近所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域。在本专利技术的基板处理装置中，所述第一清洗液供给部具有至少一个喷嘴，所述至少一个喷嘴喷出所述清洗液。在本专利技术的基板处理装置中，所述至少一个喷嘴以即将将到达所述基板的所述背面之前的所述清洗液的行进方向投影至所述基板的所述背面的分量与以所述基板的中心为基准的到达点的法线方向平行的方式，朝向所述基板。在本专利技术的基板处理装置中，所述至少一个喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴，从所述基板的中心到通过所述第一喷嘴向所述基板喷出所述清洗液的地点为止的距离与从所述基板的中心到通过所述第二喷嘴向所述基板喷出所述清洗液的地点为止的距离不同。在本专利技术的基板处理装置中，从所述第一喷嘴喷出的清洗液与从所述第二喷嘴喷出的清洗液不同。在本专利技术的基板处理装置中，所述基板处理装置还具有使所述至少一个喷嘴沿水平方向移动的喷嘴移动部。在本专利技术的基板处理装置中，所述基板处理装置还具有第二清洗液供给部，所述第二清洗液供给部供给用于清洗所述基板的侧面的清洗液。在本专利技术的基板处理装置中，从所述基板的中心到通过所述第二清洗液供给部向所述基板供给所述清洗液的地点为止的距离比从所述基板的中心到通过所述第一清洗液供给部向所述基板供给所述清洗液的地点为止的距离长。在本专利技术的基板处理装置中，所述清洗液包括异丙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、1-乙氧基-2-丙醇以及丙酮中的至少一种。在本专利技术的基板处理装置中，所述基板处理装置还具有向所述基板的所述背面供给非活性气体的非活性气体供给部。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种基板处理方法，对具有上表面以及背面的基板进行处理。所述基板处理方法包括：保持所述基板的所述背面的中央部并使所述基板旋转的工序；向所述基板的所述上表面供给填充材料的填充材料供给工序；以及在所述填充材料供给工序之后，向所述基板的所述背面供给清洗液的清洗液供给工序。所述清洗液供给工序包括朝向所述基板的所述背面中的所述基板被保持的区域供给所述清洗液的工序。在本专利技术的基板处理方法中，在所述清洗液供给工序中，供给至所述基板的所述背面的清洗液在所述基板的所述背面扩展，接近所述基板的所述背面中的所述基板被保持的区域。在本专利技术的基板处理方法中，在所述清洗液供给工序中，将即将到达所述基板的所述背面之前的所述清洗液的行进方向投影至所述基板的所述背面的分量与以所述基板的中心为基准的到达点的法线方向平行。在本专利技术的基板处理方法中，所述填充材料供给工序包括：向所述基板的所述上表面喷出所述填充材料的工序；在喷出所述填充材料后，使所述基板以第一转速旋转的工序；在使所述基板以所述第一转速旋转后，使所述基板以比所述第一转速低的第二转速旋转的工序；在使所述基板以所述第二转速旋转后，使所述基板以比所述第二转速高的第三转速旋转的工序。在本专利技术的基板处理方法中，所述清洗液供给工序包括：第一清洗液供给部朝向所述基板的所述背面中的所述基板被保持的区域供给所述清洗液的工序；第二清洗液供给部供给用于清洗所述基板的侧面的清洗液的工序；在所述第一清洗液供给部供给所述清洗液期间，使所述基板以比所述第三转速低的第四转速旋转的工序；在所述第二清洗液供给部供给所述清洗液期间，使所述基板以比所述第四转速高的第五转速旋转的工序。在本专利技术的基板处理方法中，所述基板处理方法还包括：在从开始供给所述填充材料的工序之前到供给所述清洗液的工序结束为止，向所述基板的所述背面供给非活性气体的工序。在本专利技术的基板处理方法中，在供给所述非活性气体的工序中，供给所述填充材料的工序中的所述非活性气体的流量比供给所述清洗液的工序中的所述非活性气体的流量低。在本专利技术的基板处理方法中，在所述清洗液供给工序中，朝向所述基板的所述背面中的所述基板被保持的区域供给所述清洗液，然后，供给用于清洗所述基板的侧面的清洗液。根据本专利技术，能够抑制填充材料附着于基板的背面。附图说明图1是表示本专利技术的基板处理装置的实施方式的示意图。图2是表示在背面附着有填充材料的基板的图。图3A以及图3B是表示在本实施方式的基板处理装置中相对于基板的清洗液供给部的位置的示意图。图4A～图4D是表示在本实施方式的基板处理装置中从清洗液供给部供给至基板的清洗液的扩散的过程的示意图。图5是表示在本实施方式的基板处理装置中从清洗液供给部供给至基板的清洗液的到达点的示意图。图6A以及图6B是表示本专利技术的基板处理装置的实施方式的示意图。图7是表示本实施方式的基板处理装置的示意图。...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，对具有上表面以及背面的基板进行处理，其中，/n所述基板处理装置具有：/n基板保持部，保持所述基板的所述背面的中央部并使所述基板旋转；/n填充材料供给部，向被所述基板保持部保持的所述基板的所述上表面供给填充材料；/n第一清洗液供给部，向被所述基板保持部保持的所述基板的所述背面供给清洗液，/n所述第一清洗液供给部朝向所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域供给所述清洗液。/n

【技术特征摘要】
20181017 JP 2018-1960151.一种基板处理装置，对具有上表面以及背面的基板进行处理，其中，
所述基板处理装置具有：
基板保持部，保持所述基板的所述背面的中央部并使所述基板旋转；
填充材料供给部，向被所述基板保持部保持的所述基板的所述上表面供给填充材料；
第一清洗液供给部，向被所述基板保持部保持的所述基板的所述背面供给清洗液，
所述第一清洗液供给部朝向所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域供给所述清洗液。


2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部吸附于所述基板的所述背面的中央部。


3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
从所述第一清洗液供给部供给至所述基板的所述背面的清洗液在所述基板的所述背面扩散，接近所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域。


4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一清洗液供给部具有至少一个喷嘴，所述至少一个喷嘴喷出所述清洗液。


5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述至少一个喷嘴以将到达所述基板的所述背面之前的所述清洗液的行进方向投影至所述基板的所述背面的分量与以所述基板的中心为基准的到达点的法线方向平行的方式，朝向所述基板。


6.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述至少一个喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴，
从所述基板的中心到通过所述第一喷嘴向所述基板喷出所述清洗液的地点为止的距离与从所述基板的中心到通过所述第二喷嘴向所述基板喷出所述清洗液的地点为止的距离不同。


7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
从所述第一喷嘴喷出的清洗液与从所述第二喷嘴喷出的清洗液不同。


8.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有使所述至少一个喷嘴沿水平方向移动的喷嘴移动部。


9.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有第二清洗液供给部，所述第二清洗液供给部供给用于清洗所述基板的侧面的清洗液。


10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
从所述基板的中心到通过所述第二清洗液供给部向所述基板供给所述清洗液的地点为止的距离比从所述基板的中心到通过所述第一清洗液供给部向所述基板供给所述清洗液的地点为止的距离长。


11.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液包括异丙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、1-乙氧基-2-丙醇以及丙酮中的至少一种。


12.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金松泰范，中井仁司，奥谷学，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP