微型发光元件显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种包括电路基板、多个微型发光元件、第一型共电极层以及第二型共电极层的微型发光元件显示装置被提出。这些微型发光元件设置于电路基板上，且各自包括磊晶结构以及分别设置于磊晶结构的相对两侧表面上的第一型电极与第二型电极。第一型共电极层设置于电路基板上，且直接覆盖这些微型发光元件的多个第一型电极。第二型共电极层设置于这些微型发光元件之间。第一型共电极层电性连接第二型共电极层。

Micro light element display device

【技术实现步骤摘要】
微型发光元件显示装置
本专利技术涉及一种显示装置，尤其涉及一种以微型发光元件作为显示像素的微型发光元件显示装置。
技术介绍
近年来，在有机发光二极管(Organiclight-emittingdiode，OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下，微型发光二极管显示器(MicroLEDDisplay)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。微型发光二极管显示器具有与有机发光二极管显示技术相当的光学表现，例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比，且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。一般而言，微型发光二极管显示面板的显示像素是由至少一微型发光二极管所形成。这些微型发光二极管的一侧电极是通过在显示区内延伸的共电极而彼此电性连接以具有一共同电位。目前在共电极的制作上，大都会选择介于4.5eV至5.3eV的高功函数、性质稳定且高光穿透率的铟锡氧化物(IndiumTinOxide，ITO)作为电极材料。然而，电路基板上的线路与元件因不耐高温，使得这类的共电极无法进行高温的退火(annealing)程序，导致共电极的光穿透率与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光元件显示装置，包括：/n电路基板；/n多个微型发光元件，设置于所述电路基板上，且各所述微型发光元件包括：/n磊晶结构以及/n第一型电极与第二型电极，分别设置于所述磊晶结构的相对两侧表面上；/n第一型共电极层，设置于所述电路基板上，且直接覆盖所述多个微型发光元件的所述多个第一型电极；以及/n第二型共电极层，设置于所述多个微型发光元件之间，其中所述第一型共电极层电性连接所述第二型共电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光元件显示装置，包括：
电路基板；
多个微型发光元件，设置于所述电路基板上，且各所述微型发光元件包括：
磊晶结构以及
第一型电极与第二型电极，分别设置于所述磊晶结构的相对两侧表面上；
第一型共电极层，设置于所述电路基板上，且直接覆盖所述多个微型发光元件的所述多个第一型电极；以及
第二型共电极层，设置于所述多个微型发光元件之间，其中所述第一型共电极层电性连接所述第二型共电极层。


2.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第二型共电极层的导电率高于所述第一型共电极层的导电率。


3.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第一型共电极层的可见光穿透率大于所述第二型共电极层的可见光穿透率。


4.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第一型共电极层的厚度小于所述第二型共电极层的厚度。


5.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第一型共电极层的材质包括金属氧化物，所述第二型共电极层的材质包括金属或合金。


6.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第二型共电极层在第一方向上具有宽度，两相邻的所述多个微型发光元件之间在所述第一方向上具有最大间距与最小间距，而所述第二型共电极层的所述宽度大于等于所述最小间距且小于所述最大间距。


7.根据权利要求6所述的微型发光元件显示装置，其中所述第二型共电极层的所述宽度与所述最大间距的比值大于等于0.5。


8.根据权利要求6所述的微型发光元件显示装置，其中所述第二型共电极层的所述宽度与所述最小间距的比值大于等于0.5且小于等于2。


9.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第二型共电极层在第一方向上的宽度大于等于所述第一型电极在所述第一方向上的宽度。


10.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第二型共电极层的厚度小于等于所述第一型电极的厚度。


11.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置，其中所述第一型共电极层的导电率小于所述第一型电极的导电率。


12.根据权利要求11所述的微型发光元件显示装置，其中所述第一型共电极层的可见光穿透率大于所述第一型电极的可见光穿透率。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志凌，陈彦烨，苏义闵，史诒君，吴柏威，罗玉云，林映廷，林子旸，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71