基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法技术

技术编号:23932029 阅读:59 留言:0更新日期:2020-04-25 01:48
本发明专利技术属于传感器应用领域,具体公开了一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,采用八个圆弧形电极的电容式传感器,该方法包括:检测电容信号、采集电容信号发送至上位机及上位机分析电容信号,采用Calderon算法进行图像重建的步骤。本发明专利技术提供的基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,该方法操作简单方便,图像重建质量高,而且不限制触摸材料,此外,电容式传感器结构简单、巧妙、制作方便,透过率高,导电能力强。本发明专利技术适用于电容式传感器的图像重建。

Image reconstruction of touch screen based on Calderon algorithm

【技术实现步骤摘要】
基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法
本专利技术属于传感器应用
,涉及电容式传感器应用
,具体地说是一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法。
技术介绍
电容成像技术在20世纪80年代开始发展,通过采用特殊设计的敏感空间阵列电极,以非侵入或非接触的方法获取敏感场的信息,利用图像重建的方法再现场域内某一截面内介质的分布状态,并以图像的形式给出介质分布结果,其中,电容层析成像(ElectricalCapacitanceTomography,ECT)是一种能对管道空间中介质分布进行可视化的新型监测技术。ECT的基本原理是在工业管道周围安置电容传感器,从而测量电容传感器两两电极之间的电容值,根据所测电容值和相应的算法,ECT系统可重建出传感器监测区域的介质分布,从而得到管道内的多相流信息。ECT技术具有无辐射、非侵入、成本低和速度快等优点,具有非侵入、响应快、低成本、安全无辐射等优点,因此该技术具有广阔的应用前景和发展潜力。然而,现有技术中触摸显示器的图像重建方法大多是通过检测接地信号来判断触摸位置的变化,限制了触摸材料,并且所采用的电容式传感器电极分布于触摸屏表面,使得触摸屏显示范围内的透光率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的,是要提供一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,在不限制触摸材料的情况下,通过图像重建得确定触摸材料触摸触摸屏的位置。本专利技术为实现上述目的,所采用的技术方案如下:一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,采用八个圆弧形电极的电容式传感器,八个圆弧形电极呈环形间隔排列地印刷于触摸屏上表面边缘,触摸屏侧表面设置有屏蔽层,电极通过电极引线与外部数据采集系统连接;基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法按照以下步骤顺序进行:(一)对电容式传感器的电容信号进行检测;(二)通过数据采集系统采集步骤(一)中测得的电容信号,并将其发送至上位机;(三)上位机分析接收到的电容信号,采用Calderon算法进行图像重建。作为限定:所述电容式传感器电极和电极引线的材质均采用ITO材料。作为进一步限定:步骤(一)中对电容式传感器的电容信号检测过程为:①对电容式传感器的电极进行数字编号;②选取电容式传感器的一个电极作为激励电极,对其施加激励电压后依次检测其余电极,获得电容信号;③依次更换激励电极,重复步骤②的操作,完成对所有电极的检测。作为另一种限定:图像重建算法具体为:对于电容成像系统,敏感场Ω满足式子其中z=x+iy是一个表征敏感场Ω中坐标为(x,y)的复数,σ(z)与分别表示(x,y)处的介电常数与电势;由散度定理得v(z)为在Ω敏感场内的任意连续函数,ds为在区域内测得的弧长,ε(z)为Ω敏感场内的介电常数分布,则(x,y)处对应的电压到电流密度的映射为其中,Λε表示敏感场Ω中存在ε(z)时,电压到电流密度的映射,由此可得对于变化的介电常数,ε(z)=1+δε(z),其中,δ表示一个变化量,该变化仅存在于敏感场Ω内,则δε(z)的计算公式为式中,t(k1+ik2)表示散射变换,k1,k2均为实数,根据求得的介电常数的分布进行图像重建。作为进一步限定:δε(z)的计算公式中t(k1+ik2)=t(k),其中,k=k1+ik2,t(k)的计算公式为敏感场Ω中(x,y)处的电势在z=eiθ展开则有其中,则有式中,Λδε表示两个映射Λ1+δε和Λ1的差,即Λδε=Λ1+δε-Λ1;A表示电极区域的面积,N表示传感器中的电极个数,则第s个电极在Ω敏感场中对应的角度为θs=2πs/N,根据互易原理,在具有N个电极的测量系统中,只有N(N-1)/2个独立的测量值,则t(k)近似为一个有限项之和,即式中,Λδε(einθs)为电流密度,由复数电压激励,导致在第s个电极上的传导电荷为式中,表示当介电常数为1的均匀电介质分布转化为一个新的分布1+δε(z)时,第s个电极上激励电压导致的电荷变化,则因此,texp(k)由复数激励电压作用在第s个电极上的测量值计算求得。作为更进一步限定:在ECT系统中,电容变化的关系有式中,ΔCi,i是第i个电极为激励电极时自身的电容值,ΔCi,j为激励电极i与检测电极j不相同时的电容值;为第j个电极上激励电压下的第t个电压模式,由此可以建立N-1个电压模式为式中,M为电势,N-1个电压模式在映射中是线性无关的;当电压模式对应第j个电极时电荷的变化量对任意N个电极的矩阵形式如下所示,即ΔCij通过现有系统进行测量,遍历所有的电压模式通过上式即可得到N-1个电压模式对应的每组电荷变化量。本专利技术由于采用了上述方案,与现有技术相比,所取得的有益效果是:(1)本专利技术提供的基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,利用图像来确定触摸位置,操作简单方便,还提高了准确度,减小了误触的发生,并且不限制触摸材料,扩大了用户的触摸条件,方便用户使用,此外,利用电容信号进行成像,在触摸屏边缘印刷电极,提高了显示范围内的透光率,而且电容式传感器结构简单、巧妙、制作方便,不需要外加结构。(2)本专利技术提供的电容式传感器的电极和电极引线的材质均采用ITO材料,透过率高,导电能力强;(3)本专利技术采用Calderon算法进行图像重建,减少了图像中的噪声,提高了图像重建的质量。综上所述,本专利技术提供的基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,该方法操作简单方便,图像重建质量高,而且不限制触摸材料,此外,电容式传感器结构简单、巧妙、制作方便,透过率高,导电能力强。本专利技术适用于电容式传感器的图像重建。附图说明下面结合附图及具体实施例对本专利技术作更进一步详细说明。图1为本专利技术实施例1-5的电容式传感器结构示意图;图2为本专利技术实施例1-5的系统结构图;图3为本专利技术实施例1的图像重建图;图4为本专利技术实施例2的图像重建图;图5为本专利技术实施例3的图像重建图;图6为本专利技术实施例4的图像重建图;图7为本专利技术实施例5的图像重建图;图中:1、触摸屏;2、屏蔽层;3、电极;4、电极引线;5、低介电常数区域;6、高介电常数区域。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步说明,但本领域的技术人员应当理解,本专利技术并不限于以下实施例,任何在本专利技术具体实施例基础上做出的改进和变化都在本专利技术权利要求保护的范围之内。实施例1基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法本实施例为一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,采用八个圆弧形电极3的电容式传感器,八个圆弧形电极3呈环形以0.5mm的间隔排列地印刷于触摸屏1上表面边缘,触摸屏1侧表面设置有屏蔽层2,电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,其特征在于,采用八个圆弧形电极的电容式传感器,八个圆弧形电极呈环形间隔排列地印刷于触摸屏上表面边缘,触摸屏侧表面设置有屏蔽层,电极通过电极引线与外部数据采集系统连接;基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法按照以下步骤顺序进行:/n(一)对电容式传感器的电容信号进行检测;/n(二)通过数据采集系统采集步骤(一)中测得的电容信号,并将其发送至上位机;/n(三)上位机分析接收到的电容信号,采用Calderon算法进行图像重建。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,其特征在于,采用八个圆弧形电极的电容式传感器,八个圆弧形电极呈环形间隔排列地印刷于触摸屏上表面边缘,触摸屏侧表面设置有屏蔽层,电极通过电极引线与外部数据采集系统连接;基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法按照以下步骤顺序进行:
(一)对电容式传感器的电容信号进行检测;
(二)通过数据采集系统采集步骤(一)中测得的电容信号,并将其发送至上位机;
(三)上位机分析接收到的电容信号,采用Calderon算法进行图像重建。


2.根据权利要求1所述的基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,其特征在于,所述电容式传感器电极和电极引线的材质均采用ITO材料。


3.根据权利要求1或2所述的基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,其特征在于,步骤(一)中对电容式传感器的电容信号检测过程为:
①对电容式传感器的电极进行数字编号;
②选取电容式传感器的一个电极作为激励电极,对其施加激励电压后依次检测其余电极,获得电容信号;
③依次更换激励电极,重复步骤②的操作,完成对所有电极的检测。


4.根据权利要求1或2所述的基于Calderon算法对触摸屏图像重建的方法,其特征在于,图像重建算法具体为:对于电容成像系统,敏感场Ω满足式子其中z=x+iy是一个表征敏感场Ω中坐标为(x,y)的复数,σ(z)与分别表示(x,y)处的介电常数与电势;
由散度定理得



v(z)为在Ω敏感场内的任意连续函数,ds为在区域内测得的弧长,ε(z)为Ω敏感场内的介电常数分布,则(x,y)处对应的电压到电流密度的映射为Λε:其中,Λε表示敏感场Ω中存在ε(z)时,电压到电流密度的映射,由此可得



对于变化的介电常数,ε(z)=1+δε(z),其中,δ表示一个变化量,该变化仅存在于敏感场Ω内,则δε(z)的计算公式为
式中,t(k1+ik2)表示散射变换,k1,k2均为实数,根据求得的介电常数的分布进行图像重建。


5.根据权利要求3所述的基于触摸屏应用Calderon算法重建图像的方法,其特征在于,图像重建算法具体为:对于电容成像系统,敏感场Ω满足式子其中z=x+iy是一个表征敏感场Ω中坐标为(x,y)的复数,σ(z)与分别表示(x,y)处的介电常数与电势;
由散度定理得



v(z)为在Ω敏感场内的任意连续函数,ds为在区域内测得的弧长,ε(z)为Ω敏感场内的介电常数分布,则(x,y)处对应的电压到电流密度的映射为Λε:其中,Λε表示敏感场Ω中存在ε(z)时,电压到电流密度的映射,由此可得



对于变化的介电常数,ε(z)=1+δε(z),其中,δ表示一个变化量,该变化仅存在于敏感场Ω内,则δε(z)的计算公式为



式中,t(k1+ik2)表示散射变换,k1,k2均为实数,根据求得的介电常数的分布进行图像重建。


6.根据权利要求4所述的基于触摸屏应用Calderon算法重建图像的方法,其特征在于,δε(z)的计算公式中t(k1+ik2)=t(k),其中,k=k1+ik2,t(k)的计算公式为



敏感场Ω中(x,y)处的电势在z=...

【专利技术属性】
技术研发人员:高硕孙世杰吕瑞函黄安彪徐立军
申请(专利权)人:北京航空航天大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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