【技术实现步骤摘要】
一种导电膜
本技术涉及一种导电膜的
,尤其涉及一种导电膜。
技术介绍
电容位移传感器具有动态特性好、分辨力高、结构简单等优点非常适合高精度、非接触动态测量,已被广泛用于位移、压力等领域的高精度测量。在电容位移传感器中,电容(C)与电极之间距离(d)之间的关系可表示为:C=εrε0A/d(1)其中,εr为电极之间介质相对介电常数,ε0为真空介电常数,A为极板间覆盖面积,d为极板间距。极板间距离变化,引起电容传感器电容变化,从而实现位移、压力等测量。上述方程(1)成立的条件是电容位移传感器极板间电场均匀分布。由于边缘电场存在会导致电容位移传感器两极板之间电场分布不均匀,而是随着空间变化,导致电容位移传感器信号扭曲。为了尽量减小电场边缘效应,提高电场分布的均匀度,电容传感器探头中一般采用文献[1]JournalAppliedPhysics1975,46,2486-2490[W.C.Heerens,F.C.Vermeulen,Capacitanceofkelvinguard-ringcapacitorswith ...
【技术保护点】
1.一种导电膜,其特征在于,导电膜具有开尔芬保护环结构,由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成;所述开尔芬保护环结构的导电膜(2)由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜(201)和表面完整的环形导电膜(202)组成;所述表面完整的圆形导电膜(201)与一个填充有导电材料(4)的贯穿孔相连;所述表面完整的环形导电膜(202)与另一个填充有导电材料(4)的贯穿孔相连。/n
【技术特征摘要】
1.一种导电膜,其特征在于,导电膜具有开尔芬保护环结构,由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成;所述开尔芬保护环结构的导电膜(2)由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导...
【专利技术属性】
技术研发人员:林新华,何晓业,曹妍,王巍,邵叔芳,王英先,张海艇,
申请(专利权)人:中国科学技术大学,中国科学院合肥物质科学研究院,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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