【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】超支化聚二有机硅氧烷-聚乙二酰胺聚合物
本公开涉及超支化硅氧烷基聚合物以及用于制备这些聚合物的方法。
技术介绍
硅氧烷聚合物具有多种独特的特性，这些特性主要源自硅氧烷键的物理和化学特性。这些特性包括低玻璃化转变温度、热稳定性和氧化稳定性、抗紫外线辐射、低表面能和疏水性、对许多气体的高度可渗透性以及生物相容性。然而，硅氧烷聚合物通常缺乏抗拉强度。可以通过形成嵌段共聚物而使得硅氧烷聚合物的低拉伸强度得到改善。一些嵌段共聚物包含“软”硅氧烷聚合嵌段或链段，以及任意多种类的“硬”嵌段或链段。聚二有机硅氧烷-聚酰胺和聚二有机硅氧聚脲为示例性的嵌段共聚物。聚二有机硅氧烷-聚酰胺可通过氨基封端的有机硅与短链二羧酸的缩合反应来制备。作为另外一种选择，这些共聚物可通过羧基封端的有机硅与短链二胺的缩合反应来制备。由于聚二有机硅氧烷(如聚二甲基硅氧烷)和聚酰胺通常具有显著不同的溶解度参数，因此难以获得可产生高聚合度的制备硅氧烷基聚酰胺的反应条件，尤其是在与较大的聚有机硅氧烷链段同系物发生反应时更是如此。许多已知的硅氧烷基聚酰胺共聚...
【技术保护点】
1.一种超支化聚合物，所述超支化聚合物由包含下列物质的反应混合物制备：/nAX
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170831 US 62/552,5161.一种超支化聚合物，所述超支化聚合物由包含下列物质的反应混合物制备：
AXg和BZm
其中每个X包括：下式的乙二酰氨基官能团：
–NH-(CO)-(CO)-OR2，
其中每个R2独立地为烷基、卤代烷基、芳基、或者被烷基、烷氧基、卤素或烷氧基羰基取代的芳基；并且
-(CO)为羰基基团-C＝O；或者
下式的氨基官能团：
–NHR3，
其中R3为H、烷基或芳基基团；
A包括：具有下式的基团：
W(-[-OSi(R1)2-]n-O-Si(R1)2-Y-)g
其中W为单键或g价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
每个R1独立地为烷基、卤代烷基、芳烷基、烯基、芳基、或者被烷基、烷氧基或卤素取代的芳基；
每个Y独立地为亚烷基、亚芳烷基或它们的组合；并且
每个下标n独立地为0至1500的整数；并且
g为2或更大的整数；或者
g价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
其中g为2或更大的整数；
B包括：m价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；或者
具有下式的基团：
W(-[-OSi(R1)2-]n-O-Si(R1)2-Y-)m
其中W为m价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
每个R1独立地为烷基、卤代烷基、芳烷基、烯基、芳基、或者被烷基、烷氧基或卤素取代的芳基；
每个Y独立地为亚烷基、亚芳烷基或它们的组合；并且
每个下标n独立地为0至1500的整数；并且
m为3或更大的整数；
每个Z包括：下式的氨基官能团：
-NR3H
其中R3为H、烷基或芳基基团；或者
下式的乙二酰氨基官能团：
–NH-(CO)-(CO)-OR2，
其中每个R2独立地为烷基、卤代烷基、芳基、或者被烷基、烷氧基、卤素或烷氧基羰基取代的芳基；
-(CO)为羰基基团-C＝O；并且
m为3或更大的整数；
使得X和Z形成乙二酰氨基官能团和氨基官能团的反应性组合。
2.根据权利要求1所述的超支化聚合物，其中AXg包括式I的分子：
其中每个R1独立地为烷基、卤代烷基、芳烷基、烯基、芳基、或者被烷基、烷氧基或卤素取代的芳基；
每个R2独立地为烷基、卤代烷基、芳基、或者被烷基、烷氧基、卤素或烷氧基羰基取代的芳基；
每个Y独立地为亚烷基、亚芳烷基或它们的组合；
所述下标n独立地为0至1500的整数；并且
所述下标p为1至10的整数；并且
BZm包括分子，其中：
B包括m价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
Z包括-NR3H类型的胺基团，其中R3为H、烷基或芳基基团；
m为3或更大的整数。
3.根据权利要求2所述的超支化聚合物，其中至少50％的R1基团为甲基。
4.根据权利要求2所述的超支化聚合物，其中Y为具有1个至4个碳原子的亚烷基。
5.根据权利要求2所述的超支化聚合物，其中p为至少2。
6.根据权利要求2所述的超支化聚合物，其中n为至少40。
7.根据权利要求2所述的超支化聚合物，其中B包括m价亚烷基或杂亚烷基基团；
Z包括-NR3H类型的胺基团，其中R3为H；并且
m为3的整数。
8.根据权利要求2所述的超支化聚合物，其中m为大于3的整数。
9.根据权利要求1所述的超支化聚合物，其中AXg包括基团，其中：
A包括g价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；并且
每个X包括下式的乙二酰氨基官能团：
–NH-(CO)-(CO)-OR2，
其中每个R2独立地为烷基、卤代烷基、芳基、或者被烷基、烷氧基、卤素或烷氧基羰基取代的芳基；并且
-(CO)为羰基基团-C＝O；
其中g为2或更大的整数；并且
B包括具有下式的m价基团：
W(-[-OSi(R1)2-]n-O-Si(R1)2-Y-)m
其中W为m价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
每个R1独立地为烷基、卤代烷基、芳烷基、烯基、芳基、或者被烷基、烷氧基或卤素取代的芳基；
每个Y独立地为亚烷基、亚芳烷基或它们的组合；并且
每个下标n独立地为0至1500的整数；并且
每个Z包括-NR3H基团；
其中R3为H、烷基或芳基基团；并且
m为3或更大的整数。
10.根据权利要求1所述的超支化聚合物，其中所述AXg化合物包括式II的聚二有机硅氧烷二胺：
其中每个R1独立地为烷基、卤代烷基、芳烷基、烯基、芳基、或者被烷基、烷氧基或卤素取代的芳基；
每个Y独立地为亚烷基、亚芳烷基或它们的组合；并且
所述下标n独立地为0至1500的整数；并且
B包括m价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；并且
每个Z包括下式的乙二酰氨基官能团：
–NH-(CO)-(CO)-OR2，
其中每个R2独立地为烷基、卤代烷基、芳基、或者被烷基、烷氧基、卤素或烷氧基羰基取代的芳基；并且
-(CO)为羰基基团-C＝O；并且
其中m为3或更大的整数。
11.根据权利要求1所述的超支化聚合物，其中所述反应混合物包含相对于Xg基团摩尔过量的Zm基团。
12.一种形成超支化聚合物的方法，所述方法包括：
提供含有通式AXg的化合物的组合物，
其中每个X包括：下式的乙二酰氨基官能团：
–NH-(CO)-(CO)-OR2，
其中每个R2独立地为烷基、卤代烷基、芳基、或者被烷基、烷氧基、卤素或烷氧基羰基取代的芳基；并且
-(CO)为羰基基团-C＝O；或者
下式的氨基官能团：
–NHR3，
其中R3为H、烷基或芳基基团；
A包括：具有下式的基团：
W(-[-OSi(R1)2-]n-O-Si(R1)2-Y-)g
其中W为单键或g价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
每个R1独立地为烷基、卤代烷基、芳烷基、烯基、芳基、或者被烷基、烷氧基或卤素取代的芳基；
每个Y独立地为亚烷基、亚芳烷基或它们的组合；并且
每个下标n独立地为0至1500的整数；并且
g为2或更大的整数；或者
g价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳基基团；
其中g为2或更大的整数；
提供含有通式BZm的化合物的组合物，
其中B包括：m价亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或杂亚芳...
【专利技术属性】
技术研发人员：克拉里·哈特曼汤普森，奥德蕾·A·舍曼，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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