集成式VFTO测量母线及其母线筒体制造技术

本发明专利技术涉及一种集成式VFTO测量母线及其母线筒体，所述VFTO测量母线包括母线筒体、设置在母线筒体内的导电杆和用于支撑导电杆的支撑绝缘子，母线筒体上集成有VFTO测量装置，其中，母线筒体用于与GIS/GIL母线对接，且母线筒体内设有支撑绝缘子，支撑绝缘子用于支撑导电杆；VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。本发明专利技术的集成式VFTO母线采用集成式结构，安装时可直接与对应的GIS/GIL母线对接，测量时，直接与对应的测量设备连接即可进行测量，操作简单，测量方便。

Integrated VFTO measuring bus and bus barrel

【技术实现步骤摘要】
集成式VFTO测量母线及其母线筒体
本专利技术涉及输变电设备领域，尤其涉及一种集成式VFTO测量母线及其母线筒体。
技术介绍
GIS设备中的隔离开关、接地开关和断路器在操作时，都会产生幅值较高、陡度很大、频率很高的特快速瞬态过电压（veryfasttransientoveroltage）。因隔离开关操作速度慢且没有灭弧装置，在其分合闸操作过程中会出现多次预击穿，每次预击穿都会伴随着振荡的电磁波，电磁波具有波的各种属性，在传递过程中会出现折反射现象，造成电磁波的叠加，从而引起过电压，所以VFTO的主要来源即可认为是操作隔离开关带来的。VFTO分为内部VFTO、外部VFTO和瞬态外壳过电压（TEV）。这3种类型过电压分别威胁GIS/GIL内部设备、外部连接设备及二次设备的安全。VFTO的危害主要体为4种形式：（1）VFTO自身的破坏作用。高幅值VFTO会直接对GIS内部绝缘产生破坏作用；（2）VFTO的衍生效应。VFTO经过折反射在GIS外部产生快速暂态过电压FTO、壳体地电位升TEV/TPGR、电磁场暂态过程TEMF。FTO对GIS外绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.集成式VFTO测量母线的母线筒体，其特征在于，所述母线筒体上集成有VFTO测量装置，VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。/n

【技术特征摘要】
1.集成式VFTO测量母线的母线筒体，其特征在于，所述母线筒体上集成有VFTO测量装置，VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。


2.根据权利要求1所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体，其特征在于，所述母线筒体上沿其径向凸设有法兰配合筒，法兰配合筒与母线筒体内部空间连通，所述VFTO测量装置包括连接法兰，连接法兰连接在所述法兰配合筒上，以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。


3.根据权利要求2所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体，其特征在于，所述VFTO测量装置包括测量电极、绝缘层、传感器、屏蔽环；
所述连接法兰导电；
所述测量电极固定在连接法兰的朝向母线筒体的一侧，以使测量电极伸入母线筒体内；
所述绝缘层夹设在连接法兰与测量电极之间；
所述传感器固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧，传感器的检测端与测量电极连接；
所述屏蔽环固定连接在连接法兰上，屏蔽环与测量电极处于连接法兰的同一侧且屏蔽环位于远离连接法兰的位置处。


4.根据权利要求3所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体，其特征在于，所述屏蔽环的外周面与其内侧面交接处设有倒圆角。


5.根据权利要求3或4所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体，其特征在于，所述屏蔽环与连接法兰之间设有支撑座，支撑座具有内径大于测量电极外...

【专利技术属性】
技术研发人员：付佳佳，卢鹏，黄坤鹏，王丽娟，王志彪，杨艳辉，随祥旭，王磊，方启，
申请(专利权)人：平高集团有限公司，河南平高电气股份有限公司，国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41