一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线制造技术

技术编号:23896321 阅读:47 留言:0更新日期:2020-04-22 08:40
本申请公开了一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线,微带天线由下至上依次为金属底板、馈电单元、介质框和寄生单元组成,寄生单元,包括:寄生元介质基板和寄生元贴片;寄生元贴片蚀刻在寄生元介质基板上方,寄生元贴片上方设置有匹配槽,匹配槽用于改变寄生元贴片上的电流分布;馈电单元上设置有馈电贴片,馈电贴片位于寄生元贴片的正下方,且馈电贴片的形状与寄生元贴片的形状相同。通过本申请中的技术方案,提供一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线,它可以实现较大的相对带宽,良好的宽角扫描能力,同时,采用了优化的填充介质,实现了微带天线的低剖面需求,并且结构简单,成本低,装配效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线
本申请涉及电流检测装置的
,具体而言,涉及一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线。
技术介绍
随着5G时代到来,宏基站天线通道数增加、系统集成度提升、有源化等对天线设计提出了更高的要求,结合性能需求和系统指标分解,天线辐射单元小型化及轻量化成为关注的焦点。常见的微带天线有边馈式微带天线、探针馈电式微带天线及缝隙耦合馈电微带天线等形式,其中,常规边馈式微带天线带宽相对较窄,约8%,在剖面降低到0.07λ0左右时,其带宽缩小到3%左右,适用范围较小,λ0为天线的中心频率。并且现有技术中,探针馈电式微带天线结构复杂,加工装配难度大;缝隙耦合馈电微带天线,需有专门的馈电反射结构,层数多、剖面高,结构复杂,成本也显著高于其他类型。特别是对于采用天线板卡形式的5G宏基站设备,64通道、192单元为主流天线类型,单元数多,结构尺寸及重量要求严格,迫切需要实现天线辐射单元的低剖面、宽带化、低成本化等目标,以克服上述弊端。
技术实现思路
本申请的目的在于:提供一种低剖面宽带双极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线,其特征在于,所述微带天线由下至上依次为金属底板、馈电单元、介质框和寄生单元组成,所述寄生单元,包括:寄生元介质基板和寄生元贴片;/n所述寄生元贴片蚀刻在所述寄生元介质基板上方,所述寄生元贴片上方设置有匹配槽,所述匹配槽用于改变所述寄生元贴片上的电流分布;/n所述馈电单元上设置有馈电贴片,所述馈电贴片位于所述寄生元贴片的正下方,且所述馈电贴片的形状与所述寄生元贴片的形状相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种低剖面宽带双极化介质填充微带天线,其特征在于,所述微带天线由下至上依次为金属底板、馈电单元、介质框和寄生单元组成,所述寄生单元,包括:寄生元介质基板和寄生元贴片;
所述寄生元贴片蚀刻在所述寄生元介质基板上方,所述寄生元贴片上方设置有匹配槽,所述匹配槽用于改变所述寄生元贴片上的电流分布;
所述馈电单元上设置有馈电贴片,所述馈电贴片位于所述寄生元贴片的正下方,且所述馈电贴片的形状与所述寄生元贴片的形状相同。


2.如权利要求1所述的低剖面宽带双极化介质填充微带天线,其特征在于,所述馈电贴片为正方形,所述馈电单元还包括:馈电元介质基板和两个馈电点;
所述馈电元介质基板设置于所述馈电单元的下方,连接于所述金属底板,所述馈电元介质基板的中心位置处蚀刻有所述馈电贴片,所述馈电元介质基板上还设置有安装孔,所述安装孔用于将所述介质框和所述寄生单元安装于所述金属底板上;
两个所述馈电点之间的夹角为90度,两个所述馈电点分别位于所述馈电贴片相邻的两个顶点处,或者,两个所述馈电点分别位于所述馈电贴片相邻的两条边线上。


3.如权利要求2所述的低剖面宽带双极化介质填充微带天线,其特征在于,所述寄生元贴片的边长为0.32λ0,所述匹配槽的长度为0.28λ0,所述匹配槽的两端为1/2所述匹配槽的槽宽的45度倒角,
所述匹配槽的外边线位于所述馈电贴片边线的正上方,
其中,λ0为天线的中心频率,所述匹配槽的槽宽由所述馈电贴片的边长和所述介质框的边长之差确定。


4.如权利要求1至3中任一项所述的低剖面宽带双极化介质填充微带天线,其特征在于,所述金属底板的中心位置处设置有压铆螺柱,所述馈电单元和所述寄生单元的中心位置处设置有通孔,所述馈电单元和所述寄生单元通过螺钉连接于所述压铆螺柱。


5.如权利要求1至3中任一项所述的低剖面宽带双极化介质填充微带天线,其特征在于,所述微带天线采用权利要求7中所述的方法进行频带展宽确...

【专利技术属性】
技术研发人员:王华刘滔徐伟彪潘军程亮
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十四研究所
类型:发明
国别省市:江苏;32

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