内埋元件封装结构及其制造方法技术

一种内埋元件封装结构的制造方法，包括下列步骤。提供一载板，并形成一半固化的第一介电层于载板上，半固化的第一介电层具有一第一表面。提供一元件于半固化的第一介电层上，且分别自元件的上方及下方提供一热源以固化第一介电层。形成一第二介电层于第一介电层上，以覆盖元件。形成一图案化线路层于第二介电层上，图案化线路层与元件电性连接。

【技术实现步骤摘要】
内埋元件封装结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种元件封装结构及其制造方法，且特别是有关于一种内埋元件封装结构及其制造方法。
技术介绍
在系统级封装结构中，将半导体芯片埋入封装基板中的内埋元件技术(SemiconductorEmbeddedinSUBstrate)，简称SESUB，因为具有降低封装基板产品受到噪声干扰及产品尺寸减小的优点，近年来已成为本领域制造商的研发重点。为了提高生产的良率，内埋元件必须固定在封装基板内，以利于后续制作的图案化导电线路能与内埋元件电性连接。因此，如何提高内埋元件固晶及封装制程的可靠度，使内埋元件不易脱落，乃业界亟欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术系有关于一种内埋元件封装结构及其制造方法，可提高封装制程的可靠度。根据本专利技术的一方面，提出一种内埋元件封装结构的制造方法，包括下列步骤。提供一载板，并形成一半固化的第一介电层于载板上，半固化的第一介电层具有一第一表面。提供一元件于半固化的第一介电层上，且分别自元件的上方及下方提供一热源以固化第一介电层。形成一第二介电层于第一介电层上，以覆盖元件。形成一图案化线路层于第二介电层上，图案化线路层与元件电性连接。根据本专利技术的一方面，提出一种内埋元件封装结构。内埋元件封装结构包括一第一介电层、一元件、一第二介电层以及一图案化线路层。第一介电层具有一第一表面。元件设置于第一介电层上，其中第一介电层包覆元件周围的一侧面，第一介电层相对于第一表面具有一包覆高度，包覆高度大于3微米。第二介电层设置于第一介电层上且覆盖元件。图案化线路层设置于第二介电层上，图案化线路层与元件电性连接。根据本专利技术的一方面，提出一种内埋元件封装结构。内埋元件封装结构包括一第一介电层、一元件、一第二介电层以及一图案化线路层。第一介电层具有一第一表面。元件设置于第一介电层上，其中元件的底面低于第一表面。第二介电层设置于第一介电层上且覆盖元件。图案化线路层设置于第二介电层上，图案化线路层与元件电性连接。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式详细说明如下：附图说明图1及2绘示内埋元件封装结构的制造方法的示意图。图3绘示依照本专利技术一实施例的内埋元件封装结构的示意图及局部放大图。图4至8绘示依照本专利技术一实施例的内埋元件封装结构的制造方法的示意图。图9绘示形成一图案化线路层于一载板上的示意图。图10A及10B绘示形成另一图案化线路层于一载板上的示意图。图11绘示依照本专利技术另一实施例的内埋元件封装结构的示意图。符号说明100：载板110：第一介电层120：元件130：第二介电层200A-200D：内埋元件封装结构200：载板202：导电线路层210：第一介电层212：第一表面220：元件222：接垫230：第二介电层240、250：图案化线路层242、252：电性接点260、270：图案化绝缘保护层B：底面S1：侧面H1：包覆高度H2：高度差W：厚度Ha、Hb：热能VO：空洞V1、V2、V3：开孔具体实施方式以下系提出实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本专利技术欲保护的范围。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。请参照图1及2，欲将一元件120(以半导体芯片为例)埋入封装结构之前，首先将元件120放置于载板100的一第一介电层110上，第一介电层110例如是半固化预浸材(prepreg)。载板100的下方借由一支撑平台(图未绘示)支撑，并借由一加热机台(图未绘示)提供热能，以使第一介电层110到达一预定温度。加热机台提供的温度较高(约80℃)，可使预热的第一介电层110具有预定的爬胶特性及流动性，有利于元件120与第一介电层110之间的固晶接合，以将元件120固着于第一介电层110上，但第一介电层温度较高也会造成固化速度过快。如图2所示，待第一介电层110完全固化之后，再形成一第二介电层130于第一介电层110上。第二介电层130覆盖于元件120的上方。在上述封装制程中，当吸附头10吸附元件120时，由于元件120本身内部应力作用造成翘曲，以致于元件120的底面与第一介电层110无法紧密接合(未完全接合)而造成元件120的固着力不足。同时，在后续的固化制程中，第一介电层110因温度过高(例如约80℃或更高)而导致固化速度太快，因此第一介电层110无法有效包覆元件120的周围表面(即侧面)，造成第一介电层110对元件120的包覆力不够，而容易造成脱落，因此无法执行后续的第二介电层130的层压及图案化线路的制程。为了解决上述的问题，本实施例提出一种内埋元件封装结构。请参照图3，内埋元件封装结构200A包括一载板200、一第一介电层210、一元件220、一第二介电层230、一图案化线路层240以及一图案化绝缘保护层260。载板200例如为一线路基板，其具有一导电线路层202。第一介电层210设置于载板200上，且第一介电层210具有一第一表面212。元件220设置在第一介电层210的第一表面212上。元件220的底面B低于第一表面212，以使元件220(例如半导体芯片)能被稳定地固持在第一介电层210上。第二介电层设置于第一介电层尚且覆盖元件。图案化线路层240电性连接元件220。图案化绝缘保护层260覆盖在图案化线路层240上。在一实施例中，第一介电层210包覆元件220周围的一侧面S1，且第一介电层210相对于第一表面212具有一包覆高度H1，包覆高度H1可大于3微米，以使元件220(例如半导体芯片)能被稳定地固持在第一介电层210上。在一实施例中，元件220的底面B与第一表面212具有一高度差H2，此高度差H2例如大于3微米。在一实施例中，第一介电层210的包覆高度H例如大于或等于5微米，且小于元件220的厚度W。为了解决上述的问题，本实施例提出一种内埋元件封装结构的制造方法，可同时自内埋元件的上方及下方分别提供一热能至第一介电层，且内埋元件以预热的吸附头吸附并加热之后可改善翘曲现象，因此可使内埋元件更贴近或完全接合在第一介电层上，增加对内埋元件包覆的面积及高度，使内埋元件不易脱落。请参照图4至9，依照本专利技术的一实施例，内埋元件封装结构200B的制造方法包括下列步骤。提供一载板200，并形成一半固化的第一介电层210于载板200上，半固化的第一介电层210具有一第一表面212。提供一元件220于半固化的第一介电层210上，且同时自元件220的上方及下方分别提供一热能Ha、Hb以固化第一介电层210。形成一第二介电层230于第一介电层210上，以覆盖元件220。形成一图案化线路层240于第二介电层230上，图案化线路层240与元件220电性连接。以下配合图式说明各个制程步骤。请参照图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内埋元件封装结构的制造方法，包括：/n提供一载板，并形成一半固化的第一介电层于该载板上，该半固化的第一介电层具有一第一表面；/n提供一元件于该半固化的第一介电层上，且分别自该元件的上方及下方提供一热源以固化该第一介电层；/n形成一第二介电层于该第一介电层上，以覆盖该元件；以及/n形成一图案化线路层于该第二介电层上，该图案化线路层与该元件电性连接。/n

【技术特征摘要】
20181012 US 16/159,2641.一种内埋元件封装结构的制造方法，包括：
提供一载板，并形成一半固化的第一介电层于该载板上，该半固化的第一介电层具有一第一表面；
提供一元件于该半固化的第一介电层上，且分别自该元件的上方及下方提供一热源以固化该第一介电层；
形成一第二介电层于该第一介电层上，以覆盖该元件；以及
形成一图案化线路层于该第二介电层上，该图案化线路层与该元件电性连接。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该载板为一线路基板。


3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该线路基板具有一导电线路层，且该第一介电层覆盖该导电线路层。


4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，该元件具有至少一接垫，该制造方法于形成该第二介电层之后，更包括形成一开孔贯穿该第二介电层，以露出该至少一接垫。


5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该图案化线路层自该元件的该接垫延伸于该开孔中及该第二介电层上。


6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，放置该元件于该第一表面后，该元件的底面直接连接该第一介电层，且该元件的该底面低于该第一表面。


7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，由该元件上方传递该热能的温度高于由该元件下方传递该热能的温度。


8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，由该元件上方传递的该热能由一预热的吸附头提供，该预热的吸附头吸附该元件并放置该元件于该第一表面，其中该元件将该热能传递至该第一表面，以使该元件220下方的该第一介电层吸附该热能，且元件周围的一侧面被加热的该第一介电层包覆。


9.一种内埋元件封装结构，包括：
一第一介电层，具有一第一表面；
一元件，设置于该第一介电层上，其中该第一介电层包覆该元件周围的一侧面，该第一介电层相对于该第一表面具有一包覆高度，该包覆高度大于3微米；
一第二介电层，设置于该第一介电层上且覆盖该元件；以及
一图案化线路层，设置于该第二介电层上，该图案化线路层与该元件电性连接。


10.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，该包覆高度大于或...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建泛，王建皓，
申请(专利权)人：日月旸电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71