【技术实现步骤摘要】
具有本地振荡器泄漏补偿的多核心混频器
所描述的技术一般涉及电子设备,更具体地说涉及混频器。
技术介绍
混频器通常用于各种电路,例如射频(RF)接收器和发送器,用于诸如下变频或上变频的功能。通常,对于混频器,如二极管环混频器或场效应晶体管(FET)环混频器,本地振荡器(LO)泄漏会破坏混频器输出信号的纯度,例如交叉调制、减敏、谐波产生、增益压缩和/或信噪比和失真率(SNDR)的降低。由于混频器元件的各种固有特性,例如物理布局、信号交叉、元件干扰、以及混频器设计中的各种其他设计考虑和权衡,减少混频器中的LO泄漏可以是具有挑战性的。
技术实现思路
权利要求中描述的创新各自具有若干方面,其中没有一个方面单独负责其期望的属性。在不限制权利要求的范围的情况下,现在将简要描述本公开的一些突出特征。在一些方面,公开了一种具有本地振荡器泄漏补偿的混频器。混频器包括:包括差分输出节点的第一双平衡混频器核心,所述第一双平衡混频器核心被配置为将第一输入信号与第一本地振荡器信号混合。混频器还包括:包括第二差分输出节点的第二双平衡混频器核心,所述第二双平衡混频器核心被配置为将第二输入信号与第二本地振荡器信号混合,所述第二输入信号与所述第一输入信号异相大约180°,并且所述第二本地振荡器信号与所述第一本地振荡器信号异相大约180°。所述差分输出节点电连接到所述第二差分输出节点。所述第一双平衡混频器核心和所述第二双平衡混频器核心被布置成补偿所述本地振荡器泄漏。在另一方面,公开一种具有本地振荡器泄漏补偿的发送器。发 ...
【技术保护点】
1.一种具有本地振荡器泄漏补偿的混频器,该混频器包括:/n包括差分输出节点的第一双平衡混频器核心,所述第一双平衡混频器核心被配置为将第一输入信号与第一本地振荡器信号混合;和/n包括第二差分输出节点的第二双平衡混频器核心,所述第二双平衡混频器核心被配置为将第二输入信号与第二本地振荡器信号混合,所述第二输入信号与所述第一输入信号异相大约180°,并且所述第二本地振荡器信号与所述第一本地振荡器信号异相大约180°;/n其中所述差分输出节点电连接到所述第二差分输出节点,并且所述第一双平衡混频器核心和所述第二双平衡混频器核心被布置成补偿所述本地振荡器泄漏。/n
【技术特征摘要】
20181010 US 16/156,6691.一种具有本地振荡器泄漏补偿的混频器,该混频器包括:
包括差分输出节点的第一双平衡混频器核心,所述第一双平衡混频器核心被配置为将第一输入信号与第一本地振荡器信号混合;和
包括第二差分输出节点的第二双平衡混频器核心,所述第二双平衡混频器核心被配置为将第二输入信号与第二本地振荡器信号混合,所述第二输入信号与所述第一输入信号异相大约180°,并且所述第二本地振荡器信号与所述第一本地振荡器信号异相大约180°;
其中所述差分输出节点电连接到所述第二差分输出节点,并且所述第一双平衡混频器核心和所述第二双平衡混频器核心被布置成补偿所述本地振荡器泄漏。
2.权利要求1所述的混频器,其中所述第一双平衡混频器核心和所述第二双平衡混频器核心的差分输出节点被配置为提供差分射频信号。
3.权利要求2所述的混频器,进一步包括组合器,被配置为将所述差分射频信号与由另一对双平衡混频器核心提供的另一差分射频信号组合,所述另一对双平衡混频器核心将所述第一和第二输入信号与所述第三和第四本地振荡器信号混合,所述第三和第四本地振荡器信号彼此异相大约180°并且分别与所述第一和第二本地振荡器信号至少部分异相。
4.权利要求3所述的混频器,其中所述组合器是Wilkinson组合器电路。
5.权利要求1所述的混频器,其中所述第一双平衡混频器核心具有第一布局,所述第二双平衡混频器核心具有第二布局,并且所述第一布局和所述第二布局被布置为使得所述本地振荡器泄漏减少。
6.权利要求5所述的混频器,其中所述第一和第二布局基本上是彼此的镜像,并且有助于由所述第一双平衡混频器核心产生的第一本地振荡器泄漏信号和由所述第二双平衡混频器核心产生的第二本地振荡器泄漏信号的值基本上相等并且符号相反。
7.权利要求1所述的混频器,其中所述混频器是无源混频器。
8.一种具有本地振荡器泄漏补偿的发送器,所述发送器包括:
多核心混频器,被配置为上变频输入信号并提供射频输出信号,所述多核心混频器包括:
第一双平衡混频器核心,被配置为将第一输入信号与第一本地振荡器信号混合;和
第二双平衡混频器核心,被配置为将第二输入信号与第二本地振荡器信号混合,所述第二输入信号与所述第一输入信号异相大约180°,并且所述第二本地振荡器信号与所述第一本地振荡器信号异相大约180°;
其中所述多核心混频器被配置为通过至少将来自所述第一双平衡混频器的第一输出信号与来自所述第二双平衡混频器的第二输出信号组合以产生射频输出信号,以便补偿本地振荡器泄漏;和
射频放大器,包括耦合到所述多核心混频器的输出的输入。
9.权利要求8所述的发送器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·R·S·埃兹,A·E·E·M·阿麦,
申请(专利权)人:亚德诺半导体无限责任公司,
类型:发明
国别省市:百慕大;BM
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