导电盖及半导体装置封装制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种导电盖及半导体器件封装。所述导电盖包含主体。所述主体包含一第一部分，其自所述主体延伸且朝向第一方向弯曲；第二部分，其自所述主体延伸且朝向所述第一方向弯曲；及第三部分，其自所述第二部分延伸且朝向不同于所述第一方向的第二方向弯曲。

Conductive cover and semiconductor device package

【技术实现步骤摘要】
导电盖及半导体装置封装
本公开涉及一种半导体装置封装。更特定地说，本公开涉及具有导电盖的半导体装置封装。
技术介绍
半导体装置封装可包含在载体/衬底上的半导体装置。散热片/散热器用于从半导体装置封装耗散热量。散热片/散热器可与半导体装置及/或用于热耗散的衬底热接触。然而，散热片/散热器与半导体装置之间的接合可为易受损坏的。此外，通过半导体装置封装产生的热量可能未及时耗散，其可损坏半导体装置封装。
技术实现思路
在一些实施例中，导电盖包括主体。所述主体包括第一部分、第二部分，及第三部分。所述第一部分从所述主体延伸且朝向第一方向弯曲。所述第二部分从所述主体延伸且朝向所述第一方向弯曲。所述第三部分从所述第二部分延伸且朝向不同于所述第一方向的第二方向弯曲。在一些实施例中，半导体装置封装包括半导体组件、衬底，及导电盖。所述半导体组件安置于所述衬底上方。所述导电盖安置于所述半导体组件上方且包括主体。所述主体包括：从所述主体延伸且朝向第一方向弯曲的第一部分，从所述主体延伸且朝向所述第一方向弯曲的第二部分，及从所述第二部分延伸且朝向不同于所述第一方向的第二方向弯曲的第三部分。在一些实施例中，半导体装置封装包括半导体组件、第一衬底、第二衬底，及导电盖。所述半导体组件安置于所述第一衬底上方。所述第一衬底安置于所述第二衬底上方。所述导电盖包括主体。所述主体包括：从所述主体延伸且朝向第一方向弯曲的第一部分，从所述主体延伸且朝向所述第一方向弯曲的第二部分，及从所述第二部分延伸且朝向不同于所述第一方向的第二方向弯曲的第三部分。所述第一部分连接到所述第一衬底，且所述第三部分连接到所述第二衬底。还考量本公开的其它方面及实施例。前述
技术实现思路
及以下实施方式并非意味将本公开限于任何特定实施例，而是仅意味描述本公开的一些实施例。附图说明为了更好地理解本公开的一些实施例的本质及目标，应参考与附图结合的以下实施方式。在图式中，除非另外指定，否则相同或功能上相同的元件给定相同参考编号。图1A绘示根据本公开的一些实施例的导电盖的立体图。图1B绘示沿线x-x'截取的图1A的导电盖的横截面图。图1C绘示沿线y-y'截取的图1A的导电盖的横截面图。图2(a)到2(e)绘示制造根据本公开的一些实施例的导电盖1的方法的一或多个步骤。图3绘示根据本公开的一些实施例的导电盖的立体图。图4绘示根据本公开的一些实施例的导电盖的立体图。图5绘示根据本公开的一些实施例的导电盖的立体图。图6A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图6B为图6A中的半导体装置封装的分解透视图。图7A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图7B为图7A中的半导体装置封装的分解透视图。图8A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图8B为图8A的半导体装置封装的分解透视图。图9A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图9B为图9A的半导体装置封装的分解透视图。图10A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图10B为图10A的半导体装置封装的分解透视图。图11A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图11B为图11A的半导体装置封装的分解透视图。图12A绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的立体图。图12B为图12A的半导体装置封装的分解透视图。图13绘示根据本公开的另一实施例的半导体装置封装13的横截面图。图14绘示根据本公开的一些实施例的半导体装置封装14的立体图。具体实施方式图1A绘示根据本公开的一些实施例的导电盖1的立体图。图1B绘示沿线x-x'截取的图1A的导电盖1的横截面图。图1C绘示沿线y-y'截取的图1A的导电盖1的横截面图。如图1A中所示，导电盖1包括主体10。主体10包括部分121、122、123及124。部分121及122从主体10延伸且朝向顺时针方向弯曲。部分123及124从主体10延伸且朝向逆时针方向弯曲。如图1A及1B中所示，部分121、122、123及124朝向主体10的下表面弯曲。在本公开的一些实施例中，部分121、122、123及124形成第一类型的热耗散接触部分。主体10进一步包括部分141、142、143及144。部分141从主体10延伸且朝向顺时针方向弯曲。部分142从第二部分141延伸且朝向逆时针方向弯曲。部分143从主体10延伸且朝向逆时针方向弯曲。部分144从部分143延伸且朝向顺时针方向弯曲。如图1A及1C中所示，部分141及142形成阶梯式形状，且部分143及144也形成阶梯式形状。在本公开的一些实施例中，部分142及144的下表面可连接到外部触点以便形成第二类型的热耗散接触部分。在一些实施例中，部分141、142、143及144的热导率大于部分121、122、123及124的热导率。在此实施例中，导电盖1包括用于容纳锁附配件(lockingaccessory)(例如，推针(pushpin)、螺丝、DIP针、卡鉤(cardhood)等等)的四个孔121o、122o、123o及124o。如图1A中所示，孔121o、122o、123o及124o分别安置在部分121、122、123及124上。请注意，导电盖上的孔的数目可小于或多于四个，其可基于情形需要而确定且不限于此。参考图1B，在此实施例中，部分121的上部部分上的孔121o的宽度W1小于部分121的下部部分上的孔121o的宽度W2。类似地，部分124的上部部分上的孔124o的宽度W1小于部分124的下部部分上的孔124o的宽度W2。在此实施例中，孔121o、122o、123o及124o优选地用于容纳推针。在一些实施例中，部分121、122、123及124的上部部分上的孔中的每一者的宽度W1可等于部分121、122、123及124的下部部分上的孔中的每一者的宽度W2。在一些其它实施例中，部分121、122、123及124的上部部分上的孔中的每一者的宽度W1可大于部分121、122、123及124的下部部分上的孔中的每一者的宽度W2。宽度W1及W2可基于情形需要而确定且不限于此。图2(a)到2(e)绘示制造根据本公开的一些实施例的导电盖1的方法的一或多个步骤。参考图2(a)，提供具有上表面101及下表面102的主体10，且接着通过冲压(stamping)对主体10执行材料释放(materialrelease)。如图2(a)中所示，从主体10去除部分r1、r2、r3及r4。导电盖1的主体10的材料可为例如铜、铝、铝合金(例如铝合金1050、1060、6061、5052、7075等等)、不锈钢或其它金属材料。参考图2(b)，通过冲孔(punching)对主体10执行进一步材料释放，以便在主体10上形成八个孔121o1、121o2、122o1、122o2、123o1、123o2、1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电盖，其包括：/n主体，其包括：/n第一部分，其从所述主体延伸且朝向第一方向弯曲；/n第二部分，其从所述主体延伸且朝向所述第一方向弯曲；及/n第三部分，其从所述第二部分延伸且朝向不同于所述第一方向的第二方向弯曲。/n

【技术特征摘要】
20181010 US 16/156,9841.一种导电盖，其包括：
主体，其包括：
第一部分，其从所述主体延伸且朝向第一方向弯曲；
第二部分，其从所述主体延伸且朝向所述第一方向弯曲；及
第三部分，其从所述第二部分延伸且朝向不同于所述第一方向的第二方向弯曲。


2.根据权利要求1所述的导电盖，其中所述主体进一步包括：
第四部分，其从所述主体延伸且朝向所述第二方向弯曲；
第五部分，其从所述主体延伸且朝向所述第二方向弯曲；及
第六部分，其从所述第五部分延伸且朝向不同于所述第二方向的所述第一方向弯曲。


3.根据权利要求1所述的导电盖，其中所述第一方向为顺时针方向。


4.根据权利要求3所述的导电盖，其中所述第二方向为逆时针方向。


5.根据权利要求2所述的导电盖，其中所述第一部分及所述第四部分中的每一者包括用于容纳锁附配件的孔。


6.根据权利要求2所述的导电盖，其中所述第一部分及所述第四部分连接到衬底。


7.根据权利要求2所述的导电盖，其中所述第三部分及所述第六部分连接到外部触点。


8.一种半导体装置封装，其包括：
半导体组件；
衬底，其中所述半导体组件安置于所述衬底上方；及
导电盖，其安置于所述半导体组件上方且包括主...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈馨恩，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71