一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，包括滤波器本体，所述滤波器本体采用晶格结构；所述滤波器本体上设有水平设置的穿过滤波器本体中心的线性波导，其中线性波导的一端为带阻滤波器的输入端口，另一端为带阻滤波器的输出端口；在滤波器本体上设有谐振腔和若干排第一圆形介质柱，在其中一排的第一圆形介质柱的中部设有所述谐振腔，将谐振腔内的第一圆形介质柱用满足晶格失配常数的若干个连续排列的第二类圆形介质柱替换，其中第一类圆形介质柱间距离为第一晶格常数，第二类圆形介质柱之间的距离为第二晶格常数。优点：本发明专利技术具有尺寸小、品质因数高，插入损耗低的优点，在无线通信技术等方面具有重要的应用价值。

A high Q band stop filter based on two-dimensional photonic crystal

【技术实现步骤摘要】
一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器
本专利技术涉及一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，属于微波光子晶体滤波器

技术介绍
随着宽带和超宽带通信系统的发展，由于带阻滤波器可以有效抑制不需要的宽带信号，高性能的射频带阻滤波器研究显得十分重要，带阻滤波器在无线通信、雷达系统、测试等微波领域中，带阻滤波器常常用于滤除混杂在有用信号中的干扰成分，相对于带通滤波器来说，带阻滤波器具有承受功率大、插入损耗低等优势，这种优势使得其除了可以用于指定频段中窄带信号需要高衰减的地方，还可以在电磁兼容系统测试等方面发挥作用。对于传统的带阻滤波器设计，常常采用带状线或者是波导结构来实现，但不管是哪种结构，所设计的带阻滤波器阻带衰减、品质因数等参数都难以达到高性能要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，包括滤波器本体，所述滤波器本体采用晶格结构；所述滤波器本体上设有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，包括滤波器本体，其特征在于，所述滤波器本体采用晶格结构；/n所述滤波器本体上设有水平设置的穿过滤波器本体中心的线性波导，其中线性波导的一端为带阻滤波器的输入端口，另一端为带阻滤波器的输出端口；/n在滤波器本体上设有谐振腔和若干排第一圆形介质柱，在其中一排的第一圆形介质柱的中部设有所述谐振腔，将谐振腔内的第一圆形介质柱用满足晶格失配常数的若干个连续排列的第二类圆形介质柱替换，其中第一类圆形介质柱间距离为第一晶格常数，第二类圆形介质柱之间的距离为第二晶格常数。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，包括滤波器本体，其特征在于，所述滤波器本体采用晶格结构；
所述滤波器本体上设有水平设置的穿过滤波器本体中心的线性波导，其中线性波导的一端为带阻滤波器的输入端口，另一端为带阻滤波器的输出端口；
在滤波器本体上设有谐振腔和若干排第一圆形介质柱，在其中一排的第一圆形介质柱的中部设有所述谐振腔，将谐振腔内的第一圆形介质柱用满足晶格失配常数的若干个连续排列的第二类圆形介质柱替换，其中第一类圆形介质柱间距离为第一晶格常数，第二类圆形介质柱之间的距离为第二晶格常数。


2.根据权利要求1所述的基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，其特征在于，所述正方晶格结构采用光子晶体结构，所述第一晶格常数为600um。


3.根据权利要求1所述的基于二维光子晶体高Q值射频带阻滤波器，其特征在于，若干所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹤鸣，司阳，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32