一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头制造技术

本发明专利技术公开了一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座、晶体上盖和晶体基座，弹性缓冲座上安装有安装座，安装座远离弹性缓冲座的一侧通过安装螺钉安装有预装点焊吸头，预装点焊吸头的两侧均安装有预装点焊焊轮，预装点焊吸头上吸附设置有晶体上盖。本发明专利技术中，通过将预装点焊吸头的压痕设置在晶体上盖的边缘处，使得该压痕区域会在后续滚动焊接时，会被滚动焊接的焊痕区域覆盖，避免产生多余的痕迹，使晶体焊接设备的产品品质得到提高，并且，该预装点焊吸头允许产生压痕，对吸附平面的粗糙度要求大幅下降，制作成本下降，提高了晶体焊接设备的经济性。

A pre assembled spot welding sucker for optimizing the indentation of crystal top cover

【技术实现步骤摘要】
一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头
本专利技术属于自动化晶体焊接装置
，具体为一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头。
技术介绍
现有技术中，预装点焊吸头用于吸附晶体上盖的吸附平面有两种形状，一种为用于吸附大规格晶体上盖的圆形吸附平面，一种为用于吸附小规格晶体上盖的方形吸附平面，预装点焊吸头在吸附晶体上盖后，此两种形状吸附平面均在晶体上盖的外边缘以内，即吸附平面比晶体上盖小，预装点焊吸头在将晶体上盖放在晶体基座的焊接环上时，由于晶体基座内部为空腔，吸附平面带动晶体上盖下压，晶体上盖向晶体基座空腔内下凹变形，使得吸附平面会在晶体上盖上留下压痕，为减轻这种压痕，预装点焊吸头的吸附平面通常会镜面抛光至粗糙度0.025微米以内，并需人工调整吸附平片与晶体基座所在料盘的平行度，严苛的镜面抛光要求使得预装点焊吸头的制作成本高，当适用于更小规格的晶体上盖时，过小的吸附平面制作难度更大，且在设备的生产过程中需定期拆下预装点焊吸头进行吸附平面的修整，维护成本高，随着技术的发展，电子产业中的晶体尺寸越小，预装点焊吸头的制作难度和成本越大，维护周期越短，维护成本越大，操作人员的调整难度越大，此种预装点焊吸头的弊端日益明显，需要进行优化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于：提供一种并非消除压痕而是优化压痕位置、粗糙度要求降低至0.1微米、加工成本和难度下降、扩展性好、修整频率下降的预装点焊吸头。本专利技术采用的技术方案如下：一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座、晶体上盖和晶体基座，所述弹性缓冲座上安装有安装座，所述安装座远离弹性缓冲座的一侧通过安装螺钉安装有预装点焊吸头，所述预装点焊吸头的两侧均安装有预装点焊焊轮，所述预装点焊吸头上吸附设置有晶体上盖。其中，所述晶体基座包括焊接环和基座基体，且焊接环焊接于基座基体的内侧。其中，所述预装点焊吸头的吸附平面在宽度方向的宽度大于所吸附的晶体上盖的宽度。其中，所述预装点焊吸头在吸附晶体上盖，并将晶体上盖摆放在晶体基座的焊接环上时，所述预装点焊吸头的吸附平面会在下压过程中搭在晶体基座的焊接环上。其中，所述预装点焊吸头的吸附平面会将压痕留在晶体上盖与焊接环的交互区域，且压痕会在后续滚动焊接过程中被滚动焊接的焊痕所覆盖。其中，所述预装点焊吸头不会因为吸附平面过压使晶体上盖向晶体基座内腔发生下凹变形。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术中，通过将预装点焊吸头的压痕设置在晶体上盖的边缘处，使得该压痕区域会在后续滚动焊接时，会被滚动焊接的焊痕区域覆盖，避免产生多余的痕迹，使晶体焊接设备的产品品质得到提高。2、本专利技术中，因为允许产生压痕，对吸附平面的粗糙度要求大幅下降，制作成本下降，提高了晶体焊接设备的经济性。3、本专利技术中，通过将预装点焊吸头的吸附平面在宽度方向设置成宽于所吸附的晶体上盖的宽度，使得此方向的金属结构相对稳固，进而使预装点焊吸头的制作难度下降，提高了晶体焊接设备的扩展性能。4、本专利技术中，因为预装点焊吸头更换修整频率相比传统预装点焊吸头大幅下降，维护成本下降，提高了客户的满意度。附图说明图1为本专利技术的晶体上盖示意图；图2为本专利技术的晶体基座示意图；图3为本专利技术的晶体上盖与晶体基座拼装示意图；图4为本专利技术的机构爆炸图；图5为本专利技术的预装点焊吸头与晶体上盖吸附后示意图；图6为本专利技术的预装点焊压痕区域和滚动焊接焊痕区域重合示意图。图中标记：101、弹性缓冲座；102、安装座；103、预装点焊吸头；104、安装螺钉；105、预装点焊焊轮；106、晶体上盖；107、晶体基座；1071、焊接环；1072、基座基体。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一，参照图1-4：一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座101、晶体上盖106和晶体基座107，弹性缓冲座101上的作用为在预装点焊吸头103吸附晶体上盖106并组装在晶体基座107的下压过程中提供缓冲，弹性缓冲座101上安装有安装座102，安装座102远离弹性缓冲座101的一侧通过安装螺钉104安装有预装点焊吸头103，预装点焊吸头103的两侧均安装有预装点焊焊轮105，预装点焊吸头103上吸附设置有晶体上盖106，预装点焊吸头103，由预装点焊吸头103的安装螺钉104锁紧在预装点焊吸头103的安装座102上，点焊吸头的安装座102负责单一定位预装点焊吸头103和给预装点焊吸头103通吸附所用真空，点焊吸头的安装座102安装在点焊吸头的弹性缓冲座101上，点焊吸头的弹性缓冲座101负责在预装点焊吸头103吸附晶体上盖106并组装在晶体基座107焊接环1071上的下压过程中提供缓冲。实施例二，参照图3-6：晶体基座107包括焊接环1071和基座基体1072，且焊接环1071焊接于基座基体1072的内侧，预装点焊吸头103的吸附平面在宽度方向的宽度大于所吸附的晶体上盖106的宽度，使得此方向的金属结构相对稳固，进而使预装点焊吸头103的制作难度下降，提高了晶体焊接设备的扩展性能，预装点焊吸头103在吸附晶体上盖106，并将晶体上盖106摆放在晶体基座107的焊接环1071上时，预装点焊吸头103的吸附平面会在下压过程中搭在晶体基座107的焊接环1071上，预装点焊吸头103的吸附平面会将压痕留在晶体上盖106与焊接环1071的交互区域，且压痕会在后续滚动焊接过程中被滚动焊接的焊痕所覆盖，预装点焊吸头103不会因为吸附平面过压使晶体上盖106向晶体基座107内腔发生下凹变形，预装点焊吸头103的吸附平面在宽度方向宽于所吸附的晶体上盖106的宽度，预装点焊吸头103在吸附一个晶体上盖106，并将该晶体上盖106摆放在晶体基座107的焊接环1071上时，预装点焊吸头103的吸附平面会在下压过程中搭在晶体基座107的焊接环1071上，晶体上盖106没有向晶体基座107空腔内下凹，吸附平面的压痕留在晶体上盖106与焊接环1071的交互区域，此处的压痕会在后续滚动焊接过程中被滚动焊接的焊痕所覆盖，两套预装点焊焊轮105安装在预装点焊吸头103的两侧，当预装点焊吸头103完成拼装动作后，两套预装点焊焊轮105会通电，并将晶体上盖106焊接在晶体基座107的焊接环1071上，完成预装点焊工序，产品流入下一个滚动焊接工序，在滚动焊接工序内，滚动焊接焊痕会覆盖预装点焊吸头103在晶体上盖106上留下的压痕。工作原理：该装置使用时，预装点焊吸头103在吸附一个晶体上盖106后，并将该晶体上盖106摆放在晶体基座107的焊接环1071上时，预装点焊吸头103的吸附平面会在下压过程中搭在焊接环1071上，当预装点焊吸头103完成拼装动作后，两套预装点焊焊轮105会通电，并将晶体上盖106本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座(101)、晶体上盖(106)和晶体基座(107)，其特征在于：所述弹性缓冲座(101)上安装有安装座(102)，所述安装座(102)远离弹性缓冲座(101)的一侧通过安装螺钉(104)安装有预装点焊吸头(103)，所述预装点焊吸头(103)的两侧均安装有预装点焊焊轮(105)，所述预装点焊吸头(103)上吸附设置有晶体上盖(106)。/n

【技术特征摘要】
1.一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，包括弹性缓冲座(101)、晶体上盖(106)和晶体基座(107)，其特征在于：所述弹性缓冲座(101)上安装有安装座(102)，所述安装座(102)远离弹性缓冲座(101)的一侧通过安装螺钉(104)安装有预装点焊吸头(103)，所述预装点焊吸头(103)的两侧均安装有预装点焊焊轮(105)，所述预装点焊吸头(103)上吸附设置有晶体上盖(106)。


2.权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述晶体基座(107)包括焊接环(1071)和基座基体(1072)，且焊接环(1071)焊接于基座基体(1072)的内侧。


3.权利要求1所述的一种优化晶体上盖压痕的预装点焊吸头，其特征在于：所述预装点焊吸头(103)的吸附平面在宽度方向的宽度大于所吸附的晶体上...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱雅祉，刘金波，付玉磊，李向前，付廷喜，
申请(专利权)人：天津伍嘉联创科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12