墨液组合物、膜和显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种墨液组合物，其包含(1)含有钙钛矿化合物的半导体纳米粒子和(2)固化性树脂组合物，还可以含有(3)溶剂，所述墨液组合物中，式(a)Z＝(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)中的Z值为0.37以下，所述O2、N2、C2分别表示所述(2)中所含的O原子数、N原子数、C原子数，所述O3、N3、C3分别表示所述(3)中所含的O原子数、N原子数、C原子数。

Ink composition, film and display

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】墨液组合物、膜和显示器
本专利技术涉及墨液组合物、膜和显示器。本申请基于在2017年7月28日于日本申请的特愿2017-146319号要求优先权，在此引用其内容。
技术介绍
近年来，作为波长转换材料，对具有高发光强度的钙钛矿化合物的关注不断提高，例如，作为用于制作波长转换膜的墨液组合物，报道了含有钙钛矿化合物和PMMA的墨液组合物(非专利文献1)。现有技术文献非专利文献非专利文献1：NanoLett.2015,15,3692-3696
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题但是，非专利文献1中记载的墨液组合物的固化物的耐溶剂性未必充分。本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种在维持发光强度的同时固化物的耐溶剂性高的墨液组合物以及将该墨液组合物固化而成的膜。解决技术问题的手段即，本专利技术的实施方式包括下述[1]～[7]的专利技术。[1]一种墨液组合物，其是含有下述(1)和(2)，还可以含有下述(3)的墨液组合物，其中，下述式(a)中的Z值为0.37以下。(1)含有钙钛矿化合物的半导体纳米粒子(2)固化性树脂组合物(3)溶剂式(a)Z＝(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)(O2、N2、C2分别为(2)中所含的O原子数、N原子数、C原子数。O3、N3、C3分别为(3)中所含的O原子数、N原子数、C原子数。其中，在墨液组合物不含有(3)的情况下，O3、N3、C3分别为0。)[2]根据[1]所述的墨液组合物，其中，所述(2)含有选自由下述式(b-1)所示的低分子化合物及含有下述式(b-2)所示的重复单元的聚合物构成的组中的至少一种，以所述(2)的总质量为100质量％计，所述低分子化合物及聚合物的合计的含有比例为50质量％以上。[化1](式(b-1)和(b-2)中，A表示氢原子或甲基。m1表示0～20的整数，m2表示0～2的整数，m3表示0～20的整数，m4表示0～2的整数，m5表示0～20的整数，m1～m5的合计为20以下。Ra表示亚甲基。Rb表示由下式(b-31)～(b-38)中的任意一个表示的二价基团，并且当存在多个Rb时，Rb可以彼此相同或不同。[化2]Rc表示下式(b-41)～(b-48)中的任意一个表示的一价基团。[化3][3]根据[2]所述的墨液组合物，其中，含有上述式(b-2)所示的重复单元的聚合物是以所述聚合物所含的全部重复单元为100摩尔％，含有50摩尔％以式(b-2)所示的重复单元的聚合物。[4]根据[1]～[3]任一项所述的组合物，其中，所述(2)为光固化性树脂组合物。[5]根据[1]～[4]任一项所述的组合物，其中，以墨液组合物的总质量为100质量％，所述(3)的含有比例为25质量％以下，所述(1)、(2)和(3)的合计含有比例为70质量％以上。[6]一种膜，由[4]所述的组合物固化而成。[7]一种显示器，其具备[6]所述的膜。专利技术效果根据本专利技术，可以提供发光特性和耐溶剂性高的墨液组合物。附图说明图1是表示本专利技术的层叠结构体的一个实施方式的剖视图。图2是表示本专利技术的显示器的一个实施方式的剖视图。符号说明1a…第1层叠结构体、1b…第2层叠结构体、10…膜、20…第1基板、21…第2基板、22…密封层、2…发光装置、3…显示器、30…光源、40…液晶面板、50…棱镜片、60…导光板具体实施方式<墨液组合物>本实施方式的墨液组合物是含有下述(1)和(2)，且还可以含有下述(3)的墨液组合物，其特征在于，下述式(a)中的Z值小于0.37。另外，下述式(a)中的Z值可以为0.37以下。(1)含有钙钛矿化合物的半导体纳米粒子(2)固化性树脂组合物(3)溶剂式(a)Z＝(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)(O2、N2、C2分别为(2)中所含的O原子数、N原子数、C原子数。O3、N3、C3分别为(3)中所含的O原子数、N原子数、C原子数。其中，在墨液组合物不含有(3)的情况下，O3、N3、C3分别为0。)本实施方式的墨液组合物可以含有选自下述(1)-2及(1)-3中的至少一种。(1)-2带帽配体(1)-3表面包覆材料从获得良好的耐溶剂性的观点出发，本实施方式的墨液组合物优选以墨液组合物的总质量为100质量％，上述(1)、(2)及(3)的合计的含有比例为70质量％以上，更优选为80质量％以上。作为本专利技术的一个方面，本实施方式的墨液组合物优选以墨液组合物的总质量为100质量％，上述(1)、(2)及(3)的合计的含有比例为70质量％以上且100％以下，更优选为80质量％以上且100％以下。从挥发性的观点出发，本实施方式的墨液组合物优选以墨液组合物的总质量为100质量％，上述(3)的含有比例为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为10质量％以下。作为本专利技术的一个方面，本实施方式的墨液组合物优选以墨液组合物的总质量为100质量％，上述(3)的含有比例为0质量％以上且25％质量以下，更优选为0质量％以上且10质量％以下。上述(1)、(2)和(3)的合计含有比例的优选范围和上述(3)的含有比例的优选范围可以任意组合。例如，本实施方式的墨液组合物优选以墨液组合物的总质量为100质量％，上述(3)的含有比例为25质量％以下，上述(1)、(2)及(3)的合计的含有比例为70质量％以上。《(1)含有钙钛矿化合物的半导体纳米粒子》钙钛矿化合物是以A、B和X为构成成分的具有钙钛矿型晶体结构的化合物。在本专利技术中，A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是一价的阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，是选自由卤化物离子和硫氰酸根离子组成的组中的至少一种阴离子。B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体和将X配置在顶点的八面体的中心的成分，是金属离子。作为以A、B和X为构成成分的钙钛矿化合物，只要具有本专利技术的效果，就没有特别限定，可以是具有三维结构、二维结构、准二维结构中的任一种结构的化合物。在三维结构的情况下，钙钛矿化合物的组成式用ABX(3+δ)表示。在二维结构的情况下，钙钛矿化合物的组成式用A2BX(4+δ)表示。在此，δ是能够根据B的电荷平衡而适当变更的数，是-0.7以上0.7以下。从使晶体结构稳定的观点出发，δ优选为-0.3以上0.3以下，更优选为-0.1以上0.1以下，进一步优选为0。钙钛矿化合物优选为由下述通式(P1)表示的钙钛矿化合物。ABX(3+δ)(-0.7≦δ≦0.7)…本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种墨液组合物，其是含有下述(1)和(2)，还可以含有下述(3)的墨液组合物，下述式(a)中的Z值为0.37以下，/n(1)含有钙钛矿化合物的半导体纳米粒子/n(2)固化性树脂组合物/n(3)溶剂/n式(a)Z＝(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)/nO2、N2、C2分别为(2)中所含的O原子数、N原子数、C原子数，/nO3、N3、C3分别为(3)中所含的O原子数、N原子数、C原子数，/n其中，在墨液组合物不含有(3)的情况下，O3、N3、C3分别为0。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170728 JP 2017-1463191.一种墨液组合物，其是含有下述(1)和(2)，还可以含有下述(3)的墨液组合物，下述式(a)中的Z值为0.37以下，
(1)含有钙钛矿化合物的半导体纳米粒子
(2)固化性树脂组合物
(3)溶剂
式(a)Z＝(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)
O2、N2、C2分别为(2)中所含的O原子数、N原子数、C原子数，
O3、N3、C3分别为(3)中所含的O原子数、N原子数、C原子数，
其中，在墨液组合物不含有(3)的情况下，O3、N3、C3分别为0。


2.根据权利要求1所述的墨液组合物，其中，所述(2)含有选自由下述式(b-1)所示的低分子化合物及含有下述式(b-2)所示的重复单元的聚合物构成的组中的至少一种，以所述(2)的总质量为100质量％计，所述低分子化合物及聚合物的合计的含有比例为50质量％以上；
[化1]



式(b-1)和(b-2)中，A表示氢原子或甲基，
m1表示0～20的整数，m2表示0～2的整数，m3表示0～20的整数...

【专利技术属性】
技术研发人员：金坂将，宫本刚志，内藤翔太，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP