【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括多个组件的无引线堆叠
本专利技术涉及电子组件以及制作电子组件的方法。更具体而言，本专利技术涉及电子组件以及制作电子组件的方法，特别是包括多个电子元件的堆叠的无引线电子组件，所述电子元件包括至少一个多层陶瓷电容器(MLCC)并且优选包括其他的无源或有源电子元件。电子组件具有改进的端子，用于连接外部引线或引线框架，或用于电子组件的直接无引线连接，使得随后可以通过各种二级连接材料和方法将电子组件连接到电子电路中。甚至更具体而言，本专利技术涉及包括多个电子组件的堆叠，所述电子组件包括电子元件并且优选包括至少一个多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器可为无引线的堆叠电容器，具有减小的颤噪噪声。
技术介绍
通常，形成导电端子的方法和所使用的材料对于稳定性是非常关键的。当随后安装在电子电路中时，使用性能直接与导电端子相关。以前，基于铅(Pb)的焊料已经用于将组件附接到电子电路板上或用于将外部导线附接到电子组件上。最近，以欧洲RoHS法规为代表的，对于有害物质在电气和电子设备中的使用的法规限制了铅(Pb)在焊料中的使用，这导致制造业界寻找各种替代方案。例如，美国专利No.6,704,189描述了具有10-30％的Sb的基于Sn的焊料，用于在外部引线与电镀的多层陶瓷电容器(MLCC)组件之间形成接触。但是，所描述的焊料具有低于270℃的液相线。相比之下，诸如Sn10/Pb88/Ag2的高Pb焊料具有约290℃的液相线。在制造业界中通常认为，至少比任何后继处理温度高30℃的熔点会保证外部引线附接的稳定性。获得高熔点的能力已经变得...
【技术保护点】
1.一种电子组件堆叠，包括：/n至少一个多层陶瓷电容器，包括：/n交替平行地布置的第一电极和第二电极，电介质在相邻的所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述第一电极具有第一极性并且端接于所述多层陶瓷电容器的第一侧，并且所述第二电极具有第二极性并且端接于所述多层陶瓷电容器的第二侧；/n位于所述第一侧上并且与各所述第一电极电接触的第一瞬时液相烧结相容材料；/n位于所述第二侧上并且与各所述第二电极电接触的第二瞬时液相烧结相容材料；/n电子元件，包括：/n第一外部端子，包括位于所述第一外部端子上的第三瞬时液相烧结相容材料；以及/n第二外部端子，包括位于所述第二外部端子上的第四瞬时液相烧结相容材料；以及/n位于所述第一瞬时液相烧结相容材料和所述第三瞬时液相烧结相容材料之间的冶金结合。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170807 US 15/670,2471.一种电子组件堆叠，包括：
至少一个多层陶瓷电容器，包括：
交替平行地布置的第一电极和第二电极，电介质在相邻的所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述第一电极具有第一极性并且端接于所述多层陶瓷电容器的第一侧，并且所述第二电极具有第二极性并且端接于所述多层陶瓷电容器的第二侧；
位于所述第一侧上并且与各所述第一电极电接触的第一瞬时液相烧结相容材料；
位于所述第二侧上并且与各所述第二电极电接触的第二瞬时液相烧结相容材料；
电子元件，包括：
第一外部端子，包括位于所述第一外部端子上的第三瞬时液相烧结相容材料；以及
第二外部端子，包括位于所述第二外部端子上的第四瞬时液相烧结相容材料；以及
位于所述第一瞬时液相烧结相容材料和所述第三瞬时液相烧结相容材料之间的冶金结合。
2.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，进一步包括在所述第一侧和所述第一瞬时液相烧结导电层之间或者在所述第一外部端子和所述第三瞬时液相烧结相容材料之间中的至少一者的导电层。
3.根据权利要求2所述的电子组件堆叠，其中所述第一瞬时液相烧结相容材料层或所述第三瞬时液相烧结相容材料中的至少一者包含选自铟、锡、锑、铋、镉、锌、镓、碲、汞、铊、硒或钋、铅中的至少一种低熔点金属。
4.根据权利要求2所述的电子组件堆叠，其中所述导电层包含选自由银、铜、铝、金、铂、钯、铍、铑、镍、钴、铁和钼组成的组中的高温金属。
5.根据权利要求2所述的电子组件堆叠，其中所述导电层包含用选自由Ag、Sn、Au或SnPb组成的组中的元素镀覆的镍。
6.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，其中所述多层陶瓷电容器进一步包括外部端子。
7.根据权利要求6所述的电子组件堆叠，其中所述外部端子或所述第一外部端子中的至少一者包含用选自由Ag、Sn、Au或SnPb组成的组中的元素镀覆的镍。
8.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，进一步包括引线框架。
9.根据权利要求8所述的电子组件堆叠，其中所述第一瞬时液相烧结相容材料或所述第三瞬时液相烧结材料中的至少一者包含低熔点金属，其中所述低熔点金属扩散到所述引线框架中。
10.根据权利要求9所述的电子组件堆叠，其中所述低熔点金属也扩散到所述第一电极中。
11.根据权利要求8所述的电子组件堆叠，其中所述第一瞬时液相烧结相容材料或所述第三瞬时液相烧结相容材料中的至少一者进一步包含高熔点金属。
12.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，其中所述第一瞬时烧结导电层进一步包括非金属填料。
13.根据权利要求12所述的电子组件堆叠，其中所述非金属填料为玻璃熔块。
14.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，进一步包括与所述第一瞬时液相烧结相容材料和所述第三瞬时液相烧结相容材料电接触的第一引线框架。
15.根据权利要求14所述的电子组件堆叠，其中所述第一引线框架包含选自由磷青铜、铜和铁合金组成的组中的材料。
16.根据权利要求15所述的电子组件堆叠，其中所述第一引线框架包括Cu、Ag、Sn、Au、Ni或Pb的引线框架表面精加工。
17.根据权利要求14所述的电子组件堆叠，其中所述第一引线框架包含选自由铍铜、Cu194和Cu192组成的组中的材料。
18.根据权利要求17所述的电子组件堆叠，其中所述第一引线框架包括Cu、Ag、Sn、Au、Ni或Pb的引线框架表面精加工。
19.根据权利要求14所述的电子组件堆叠，其中所述第一引线包含选自由铜合金、合金42和Kovar组成的组中的材料。
20.根据权利要求19所述的电子组件堆叠，其中所述第一引线框架包括Cu、Ag、Sn、Au、Ni或Pb的引线框架表面精加工。
21.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，其中所述第一瞬时液相烧结相容材料或所述第三瞬时液相烧结相容材料中的至少一者包含低熔点金属和高熔点金属。
22.根据权利要求21所述的电子组件堆叠，其中所述低熔点金属扩散到所述高熔点金属和所述第一电极这两者中。
23.根据权利要求21所述的电子组件堆叠，其中所述低熔点金属选自由铟、锡、锑、铋、镉、锌、镓、碲、汞、铊、硒、钋和铅组成的组。
24.根据权利要求21所述的电子组件堆叠，其中所述高熔点金属选自由银、铜、铝、金、铂、钯、铍、铑、镍、钴、铁和钼组成的组。
25.根据权利要求21所述的电子组件堆叠，其中所述低熔点金属选自由铟、锡或铋组成的组，并且所述高熔点金属选自由银、铜或镍组成的组。
26.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，进一步包括位于相邻的多层陶瓷电容器之间的绝缘体。
27.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，进一步包括牺牲芯片。
28.根据权利要求1所述的电子组件堆叠，其中所述电子元件选自由电阻器、变阻器、电感器、二极管、保险丝、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器、半导体和集成电路组成的组。
29.根据权利要求28所述的电子组件堆叠，其中所述电子元件选自由电阻器、变阻器、电感器、二极管、保险丝、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器和集成电路组成的组。
30.一种电子组件堆叠，包括：
包括至少两个电子元件的堆叠，其中所述电子元件中的各电子元件包括第一外部端子和第二外部端子；以及
位于相邻电子元件的各所述第一外部端子之间并且与相邻电子元件的各所述第一外部端子电接触的瞬时液相烧结粘合剂。
31.根据权利要求27所述的电子组件堆叠，其中各电子元件独立地选自由MLCC、电阻器、变阻器、电感器、二极管、保险丝、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器、半导体和集成电路组成的组。
32.根据权利要求31所述的电子组件堆叠，...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·E·麦康奈尔，加里·L·伦纳，约翰·巴尔蒂图德，艾伦·R·希尔，盖伦·W·米勒，
申请(专利权)人：凯米特电子公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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