【技术实现步骤摘要】
耐高压的电源钳位电路
本专利技术涉及静电保护电路领域，尤其涉及一种耐高压的电源钳位电路。
技术介绍
当电子元器件在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等过程中，静电会积累在人体、仪器、存放设备等之中，甚至电子器件本身也会积累电荷。当静电源与其它物体接触时，存在着电荷流动，将产生潜在的破坏性电压、电流以及电磁场，因为静电释放的瞬间电压非常高，通常大于几千伏，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁，这就是静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge)，所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。随着集成电路技术和工艺水平的不断进步，芯片上的晶体管以及器件尺寸越做越小，芯片的集成度越来越高，器件的工作电压越来越低，而很多应用对电压的要求是固定的，比如28nm工艺的器件只能承受1.8V电压，而很多外围应用仍然为3.3V。因此，使用耐低压的器件设计出耐高压的静电保护电路成为迫切的需求。电源钳位电路在静电保护电路中扮演着至关重要的角色，传统的电源钳位电路由于耐压的问题已经不能满足先进工艺的需求。现...
【技术保护点】
1.一种耐高压的电源钳位电路，其特征在于，包括分压模块(100)、静电检测模块(200)、逻辑控制模块(300)以及静电泄放模块(400)，所述分压模块(100)分别连接电源(VDD)、地(GND)、静电检测模块(200)以及逻辑控制模块(300)，所述静电检测模块(200)分别连接电源(VDD)、分压模块(100)以及逻辑控制模块(300)，所述逻辑控制模块(300)分别连接电源(VDD)、地(GND)、静电检测模块(200)以及静电泄放模块(400)，所述静电泄放模块(400)分别连接电源(VDD)、地(GND)和逻辑控制模块(300)。/n
【技术特征摘要】
1.一种耐高压的电源钳位电路，其特征在于，包括分压模块(100)、静电检测模块(200)、逻辑控制模块(300)以及静电泄放模块(400)，所述分压模块(100)分别连接电源(VDD)、地(GND)、静电检测模块(200)以及逻辑控制模块(300)，所述静电检测模块(200)分别连接电源(VDD)、分压模块(100)以及逻辑控制模块(300)，所述逻辑控制模块(300)分别连接电源(VDD)、地(GND)、静电检测模块(200)以及静电泄放模块(400)，所述静电泄放模块(400)分别连接电源(VDD)、地(GND)和逻辑控制模块(300)。
2.如权利要求1所述的耐高压的电源钳位电路，其特征在于，所述分压模块(100)包括第一场效应管(M1)与第二场效应管(M2)，所述第一场效应管(M1)的源极与电源(VDD)连接，所述第二场效应管(M2)的栅极与地(GND)连接，第一场效应管(M1)的栅极与漏极短接，第二场效应管(M2)的栅极与漏极短接，第一场效应管(M1)与第二场效应管(M2)之间接出0.5VDD线路，并与所述静电检测模块(200)以及逻辑控制模块(300)连接。
3.如权利要求2所述的耐高压的电源钳位电路，其特征在于，所述静电检测模块(200)包括第一电阻(R1)和第一电容(C1)，所述第一电阻(R1)的一端与电源(VDD)连接，另一端与所述第一电容(C1)连接，第一电容(C1)的另一端与所述0.5VDD线路连接，第一电阻(R1)和第一电容(C1)之间接出线路，并与所述逻辑控制模块(300)连接。
4.如权利要求3所述的耐高压的电源钳位电路，其特征在于，所述逻辑控制模块(300)包括第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)以及分压子模块(301)，所述第一反相器(INV1)的电源端、第二反相器(INV2)的电源端以及第三场效应管(M3)的源极连接到电源(VDD)，所述第三反相器(INV3)的地端以及第六场效应管(M6)的源极接地(GND)，第一反相器(INV1)的地端、第二反相器(INV2)的地端、第四场效应管(M4)的栅极、第三反相器(INV3)的电源端以及第五场效应管(M5)栅极连接到所述0.5VDD线路，所述第一反...
【专利技术属性】
技术研发人员：李天柱，
申请(专利权)人：珠海亿智电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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