【技术实现步骤摘要】
一种基于铂配合物的有机发光器件的湿法制备方法
本专利技术涉及有机电致发光器件领域,尤其涉及一种基于铂配合物的有机发光器件的湿法制备方法。
技术介绍
在上世纪八十年代,C.W.Tang公开了双层结构OLED(有机发光二极管)(US4356429;Appl.Phys.Lett.1987,51,12,913)。这种发现基于使用包括发光电子传输层(emissiveelectron-transportinglayer)和合适的有机材料的空穴传输层的多层结构。选择Alq3(q:脱质子8-羟基哇琳基)作为发光电子传输材料。尽管铂在天然丰度和成本方面好于铱,但目前只有铱(III)发射体用于OLED显示面板。这是因为,在铂(II)发射体可用于OLED显示面板制造之前,有很多必须解决的技术问题。效率滚降是铂(II)发射体遇到的最严重的问题之一。在此,本领域仍然对含有Pt(II)配合物的高效率且低效率滚降的OLED器件及其制备存在需求。
技术实现思路
本专利技术人针对现有技术的不足,提供了一种高效率且低效率滚降 ...
【技术保护点】
1.一种OLED的制备方法,其包括以下步骤:/n1)将空穴传输层旋涂在基板上,并干燥;/n2)将发光层旋涂在空穴传输层上;/n3)将步骤2)得到的器件退火烘干,然后转移到真空沉积系统避免接触空气;以及/n4)通过热蒸发依次沉积空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。/n
【技术特征摘要】
1.一种OLED的制备方法,其包括以下步骤:
1)将空穴传输层旋涂在基板上,并干燥;
2)将发光层旋涂在空穴传输层上;
3)将步骤2)得到的器件退火烘干,然后转移到真空沉积系统避免接触空气;以及
4)通过热蒸发依次沉积空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
2.权利要求1的制备方法,其中步骤2)中所述发光层由主体材料和Pt(II)配合物的共混物构成;优选地,所述主体材料选自m-TPAPy、o-TPAPy和o-CzPy,优选地,所述主体材料的浓度为5-20wt%;优选地,所述Pt(II)配合物选自tetra-Pt-N、tetra-Pt-S1、tetra-Pt-S2和tetra-Pt-S3,优选地,所述Pt(II)配合物的浓度为0.5-5wt%;优选地,所述发光层的厚度为10-100nm;优选地,所述旋涂在N2填充的手套箱内用氯苯进行。
3.权利要求1或2的制备方法,其中步骤4)中所述空穴阻挡层为TmPyPb,优选地,其厚度为10nm;优选地,其中所述电子传输层为TPBi,优选地,其厚度为40nm;优选地,其中所述电子注入层为LiF,优选地,其厚度为1.2nm;优选地,其中所述阴极为Al,优选地...
【专利技术属性】
技术研发人员:毛茂,程刚,支志明,
申请(专利权)人:香港大学深圳研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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