用于准单能中子参考辐射场的准直器制造技术

本发明专利技术的实施例提供了一种用于准单能中子参考辐射场的准直器，其包括贴合设置的两个或更多个准直部，准直部上开设有贯穿准直部的准直孔，所有准直孔一同形成准直通道，准直通道将中子整合成为中子束并将中子束沿准直通道的轴线方向射出。通过将准直器分解设置为多个准直部便于准直器的生产加工和安装，多个准直部安装完成后的准直器的长度能够满足准单能中子参考辐射场的要求，得到中子单色性良好的高能中子束。

Collimator for reference radiation field of quasi single energy neutron

【技术实现步骤摘要】
用于准单能中子参考辐射场的准直器
本专利技术涉及准直器领域，具体涉及一种用于准单能中子参考辐射场的准直器。
技术介绍
目前，中子探测器广泛应用于安检和航天领域，人们对宇宙中辐射的探测的方法是使用空间辐射中子探测器对宇宙中的辐射进行探测，为了确保中子探测器的探测精度能够达到探测要求，需要使用中子参考辐射场对中子探测器进行校验。中子探测器需要在中子参考辐射场中经过校验和校准之后再进行使用。中子探测器中，中子能量在20MeV以上的高能中子探测器的校准尤为重要，但由于20MeV以上能区的高能中子的反应机制复杂，截面不确定度相比20MeV以下能区要大得多。现有技术中对高能中子探测器的校准需要采用准单能中子参考辐射场进行。现有的高能中子的产生一般是质子与其他元素直接反应产生中子，这样产生的中子具有强烈的前冲性，即前角方向上的高能中子成分更多。因此为了获得较好的中子单色性(中子单色性即中子束中某一能量中子占所有中子的比例，本专利技术中为高能中子的比例，中子单色性越好，中子束中的高能中子的比例越高)，即，获得纯度高的高能中子束，通常采用准直器来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于准单能中子参考辐射场的准直器，其特征在于，所述准直器包括：/n贴合设置的两个或更多个准直部(1)，所述准直部(1)上开设有贯穿所述准直部(1)的准直孔(2)，所有所述准直孔(2)一同形成准直通道，所述准直通道将中子整合成为中子束并将中子束沿所述准直通道的轴线方向射出。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于准单能中子参考辐射场的准直器，其特征在于，所述准直器包括：
贴合设置的两个或更多个准直部(1)，所述准直部(1)上开设有贯穿所述准直部(1)的准直孔(2)，所有所述准直孔(2)一同形成准直通道，所述准直通道将中子整合成为中子束并将中子束沿所述准直通道的轴线方向射出。


2.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述两个或更多个准直部(1)包括：
第一准直部(11)；
第二准直部(12)，所述第二准直部(12)设置在所述第一准直部(11)的一侧；以及
第三准直部(13)，所述第三准直部(13)设置在所述第二准直部(12)的背离所述第一准直部(11)的一侧；
其中，所述第一准直部(11)上开设有第一准直孔(21)；
所述第二准直部(12)上开设有第二准直孔(22)；
所述第三准直部(13)上开设有第三准直孔(23)。


3.根据权利要求2所述的准直器，其特征在于：
所述第一准直部(11)为长方体；
所述第一准直孔(21)的开设方向垂直于所述第一准直部(11)的与所述第二准直部(12)贴合的表面。


4.根据权利要求3所述的准直器，其特征在于：
所述第二准直部(12)为长方体；
所述第二准直孔(22)的开设方向垂直于所述第二准直部(12)的与所述第三准直部(13)贴合的表面。


5.根据权利要求4所述的准直器，其特征在于：
所述第三准直部(13)为长方体；
所述第三准直孔(23)的开设方向垂直于所述第三准直部(13)的与所述第二准直部(12)贴合的表面。


6.根据权利要求5所述的准直器，其特征在于：
所述第一准直孔(21)、所述第二准直孔(22)和所述第三准直孔(23...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦听雨，李玮，李晓博，石斌，秦茜，张书峰，刘蕴韬，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11