TO46探测器制造技术

技术编号:23764585 阅读:99 留言:0更新日期:2020-04-11 19:09
本实用新型专利技术提供了一种TO46探测器,包括管座,管座的顶面上设有雪崩二极管、跨阻放大器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及二极管匹配电阻,雪崩二极管的正极与跨阻放大器的输入端电连接,雪崩二极管的负极与管座的VAPD输入端电连接,跨阻放大器的接地端与管座的VCC输入端电连接,第一电容和第三电容为低容值打线电容,第二电容和第四电容为高容值打线电容。本实用新型专利技术在雪崩二极管的负极与管座的VAPD输入端之间以及在跨阻放大器的接地端与管座的VCC输入端之间采用了高、低容值的两个电容来连接,通过第一电容和第三电容滤除高频率的杂波信号,通过第二电容和第四电容滤除低频率的杂波信号,从而解决了TO46探测器的抗杂波干扰能力弱的技术问题。

TO46 detector

【技术实现步骤摘要】
TO46探测器
本技术属于光信号传输装置
,更具体地说,是涉及一种TO46探测器。
技术介绍
TO46探测器是高速APD-TIA光电组件中的一种,被广泛应用于光通信行业,如:无源光网络、光同步数字传输网、以太网、光纤传输通道以及其它长途传输系统中,其传输速率可以达到10Gb/s。目前,TO46探测器一般应用在大型基站中,由于电子设备较多,应用环境中存在的杂波很多,而杂波会直接影响TO46探测器的性能,因此如何提高TO46探测器的抗杂波干扰能力是光通信行业普遍存在技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种TO46探测器,包括但不限于解决TO46探测器的抗杂波干扰能力弱的技术问题。为了实现上述目的,本技术提供了一种TO46探测器,包括管座和管帽,所述管帽封盖于所述管座的顶部,并与所述管座围合形成有密封腔,所述管座的顶面上设有雪崩二极管、跨阻放大器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及二极管匹配电阻,所述雪崩二极管的正极与所述跨阻放大器的输入端电连接,所述雪崩二极管的负极通过所述二极管匹配电阻、所述第一电容和所述第二电容与所述管座的VAPD输入端电连接,所述跨阻放大器的输出端与所述管座的OUTN输出端和OUTP输出端电连接,所述跨阻放大器的接地端通过所述第三电容和所述第四电容与所述管座的VCC输入端电连接,所述第一电容和所述第三电容为低容值打线电容,所述第二电容和所述第四电容为高容值打线电容。进一步地,所述第一电容与所述二极管匹配电阻组合成阻容。进一步地,所述阻容设于所述管座顶面的中部,所述雪崩二极管贴装于所述阻容的顶面上。可选地,所述第一电容的击穿电压为100伏,所述第二电容的击穿电压为63伏,所述第三电容的击穿电压为63伏,所述第四电容的击穿电压为10伏,在1KHz、1Vrms条件下,所述第一电容的电容值为100皮法,所述第二电容的电容值为1纳法,所述第三电容的电容值为220皮法,所述第四电容的电容值为10纳法;所述二极管匹配电阻的阻值为50欧。可选地,所述雪崩二极管的正极与所述跨阻放大器的输入端之间、所述雪崩二极管的负极与所述管座的VAPD输入端之间、所述跨阻放大器的输出端与所述管座的OUTN输出端和OUTP输出端之间、所述跨阻放大器的接地端与所述管座的VCC输入端之间分别通过0.25微米金丝连接。进一步地,所述管帽的中央镶嵌有球面透镜,所述球面透镜的光轴经过所述雪崩二极管的光敏面中心。进一步地,所述管帽与所述管座同轴,所述管帽的轴线不经过所述雪崩二极管的光敏面中心。可选地,所述雪崩二极管的光敏面中心朝远离所述跨阻放大器的一侧偏离所述管帽的轴线60微米。本技术提供的TO46探测器的有益效果在于:在雪崩二极管的负极与管座的VAPD输入端之间以及在跨阻放大器的接地端与管座的VCC输入端之间采用了高、低容值的两个电容来连接,通过第一电容和第三电容滤除高频率的杂波信号,通过第二电容和第四电容滤除低频率的杂波信号,从而有效地解决了TO46探测器的抗杂波干扰能力弱的技术问题,提高了TO46探测器的抗杂波干扰能力,确保了在10Gbps的速率下实现80公里光纤信号传输。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例提供的TO46探测器的局部剖面示意图;图2为本专利技术实施例提供的TO46探测器中管座的立体示意图;图3为本专利技术实施例提供的TO46探测器中管座的俯视示意图;图4为本专利技术实施例提供的TO46探测器使用过程中的光路示意图。其中,图中各附图标记:1—TO46探测器、2—光纤、11—管座、12—管帽、13—雪崩二极管、14—跨阻放大器、15—阻容、16—第二电容、17—第三电容、18—第四电容、100—密封腔、111—VAPD输入端、112—VCC输入端、113—OUTN输出端、114—OUTP输出端、115—PIN脚、120—球面透镜、130—光敏面。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。需说明的是:当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件,它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件,它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。当一个部件被称为与另一个部件“电连接”,它可以是导体电连接,或者是无线电连接,还可以是其它各种能够传输电信号的连接方式。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。术语“第一”、“第二”等仅用于便于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。术语“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。现对本技术提供的TO46探测器进行说明。请参阅图1至图2,该TO46探测器1包括管座11和管帽12,管帽12封盖在管座11的顶部,并且管帽12与管座11围合形成有密封腔100,即管座11的顶面容置在密封腔100内,在管座11的顶面上设置有雪崩二极管(APD)13、跨阻放大器(TIA)14、第一电容、第二电容16、第三电容17、第四电容18以及二极管匹配电阻,其中,雪崩二极管13的正极与跨阻放大器14的输入端电连接,雪崩二极管13的负极通过二极管匹配电阻、第一电容和第二电容16与管座的VAPD输入端111电连接,跨阻放大器14的输出端与管座的OUTN输出端113和OUTP输出端114电连接,跨阻放大器14的接地端通过第三电容17和第四电容18与管座的VCC输入端112电连接,此处,第一电容和第三电容17为低容值打线电容,第二电容16和第四电容18为高容值打线电容。可以理解的是,管座11的VAPD输入端111、VCC输入端112、OUTN输出端113和OUTP输出端114分别与穿设在管座11的四个PIN脚电连接,电流和电压信号通过PIN脚传输。TO46探测器1的工作原理:先给VCC输入端112加3.3伏的工作电压使跨阻放大器14工作,在此过程中第三电容17和第四电容18分别滤除低频率和高频率的杂波信号,接着给VAPD输入端111加-3伏的雪崩电压,该反向偏压使雪崩二极管13工作,在此过程中第一电容和第二电容16分别滤除低频率和高频率的杂波信号;当雪崩二极管13收到光信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.TO46探测器,包括管座和管帽,所述管帽封盖于所述管座的顶部,并与所述管座围合形成有密封腔,其特征在于,所述管座的顶面上设有雪崩二极管、跨阻放大器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及二极管匹配电阻,所述雪崩二极管的正极与所述跨阻放大器的输入端电连接,所述雪崩二极管的负极通过所述二极管匹配电阻、所述第一电容和所述第二电容与所述管座的VAPD输入端电连接,所述跨阻放大器的输出端与所述管座的OUTN输出端和OUTP输出端电连接,所述跨阻放大器的接地端通过所述第三电容和所述第四电容与所述管座的VCC输入端电连接,所述第一电容和所述第三电容为低容值打线电容,所述第二电容和所述第四电容为高容值打线电容。/n

【技术特征摘要】
1.TO46探测器,包括管座和管帽,所述管帽封盖于所述管座的顶部,并与所述管座围合形成有密封腔,其特征在于,所述管座的顶面上设有雪崩二极管、跨阻放大器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及二极管匹配电阻,所述雪崩二极管的正极与所述跨阻放大器的输入端电连接,所述雪崩二极管的负极通过所述二极管匹配电阻、所述第一电容和所述第二电容与所述管座的VAPD输入端电连接,所述跨阻放大器的输出端与所述管座的OUTN输出端和OUTP输出端电连接,所述跨阻放大器的接地端通过所述第三电容和所述第四电容与所述管座的VCC输入端电连接,所述第一电容和所述第三电容为低容值打线电容,所述第二电容和所述第四电容为高容值打线电容。


2.如权利要求1所述的TO46探测器,其特征在于,所述第一电容与所述二极管匹配电阻组合成阻容。


3.如权利要求2所述的TO46探测器,其特征在于,所述阻容设于所述管座顶面的中部,所述雪崩二极管贴装于所述阻容的顶面上。


4.如权利要求1所述的TO46探测器,其特征在于,所述第一电容的击穿电压为100伏,所述第二电容的击穿电压为63伏,所述第三电容的击穿...

【专利技术属性】
技术研发人员:温永阔陈开帆
申请(专利权)人:武汉东飞凌科技有限公司
类型:新型
国别省市:湖北;42

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