用于主板的上电自启动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于主板的上电自启动电路，第一N沟道MOS管和第四N沟道MOS管的栅极并联于南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚，第一N沟道MOS管的漏极与第二N沟道MOS管的栅极之间并联有第一二极管、第三电阻，第二N沟道MOS管的漏极电连接于逻辑芯片的第一输入引脚，第四N沟道MOS管的漏极与第五N沟道MOS管的栅极之间并联有第二二极管、第七电阻，第五N沟道MOS管的漏极电连接于逻辑芯片的第二输入引脚，逻辑芯片的输出引脚电连接于第三N沟道MOS管的栅极，第三N沟道MOS管的漏极电连接于南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚。本设计仅需要少量的晶体管和逻辑门就可实现，电路简单，成本低，稳定可靠，特别适合紧凑型的板卡设计。

Power on self starting circuit for mainboard

【技术实现步骤摘要】
用于主板的上电自启动电路
本技术涉及电路领域，具体而言，涉及一种用于主板的上电自启动电路，尤其应用于计算机主板、工控设备主板等领域。
技术介绍
目前市面上的来电自启动设计大多采用软件实现的方式，譬如透过SuperIO/EC/CPLD/MCU等载体。例如，透过CPLD或者MCU等芯片模拟开机按钮的动作，给南桥芯片输入这个低脉冲信号。在主板上电的早期，一般需要外部电路产生一个持续时间不小于16ms的低脉冲信号(即ACPI_PWRBTN#)输出给南桥芯片，南桥芯片收到这个低脉冲信号后，才会陆续输出SLP_S5#/SLP_S3#等时序控制信号，开启主板上主要的电源输出，达到自动开机的目的。现有技术的方案硬件成本高，还需要投入额外的软件资源进行内部逻辑设计，时效性和经济性都不高。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种用于主板的上电自启动电路，仅需要少量的晶体管和逻辑门就可实现，解决先前的硬件加软件搭配使用中所存在的一些弊端。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：一种用于主板的上电自启动电路，包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第三N沟道MOS管、第四N沟道MOS管、第五N沟道MOS管以及逻辑芯片，所述第一N沟道MOS管和第四N沟道MOS管的栅极并联于南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚，所述第一N沟道MOS管的漏极与所述第二N沟道MOS管的栅极之间并联有第一二极管、第三电阻，所述第二N沟道MOS管的漏极电连接于所述逻辑芯片的第一输入引脚，所述第四N沟道MOS管的漏极与所述第五N沟道MOS管的栅极之间并联有第二二极管、第七电阻，所述第五N沟道MOS管的漏极电连接于所述逻辑芯片的第二输入引脚，所述逻辑芯片的输出引脚电连接于所述第三N沟道MOS管的栅极，所述第三N沟道MOS管的漏极电连接于南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚，所述第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第四N沟道MOS管和第五N沟道MOS管的源极接地、漏极电连接有第一电源，所述第三N沟道MOS管的源极接地、漏极电连接有第二电源。本技术进一步设置为，所述第一二极管导通方向为所述第一N沟道MOS管的漏极向第二N沟道MOS管的栅极方向导通。本技术进一步设置为，所述第二二极管导通方向为所述第四N沟道MOS管的漏极向第五N沟道MOS管的栅极方向导通。本技术进一步设置为，所述第一电源为5V直流电，所述第二电源为3.3V直流电。本技术进一步设置为，所述第二N沟道MOS管栅极通过第二电容接地。本技术进一步设置为，所述第五N沟道MOS管栅极通过第三电容接地。本技术进一步设置为，所述逻辑芯片电源引脚并联有所述第一电源以及第一电容，所述第一电容接地，所述逻辑芯片接地引脚接地。本技术进一步设置为，所述逻辑芯片为异或逻辑门。本技术进一步设置为，所述第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第四N沟道MOS管和第五N沟道MOS管漏极分别通过第一电阻、第二电阻、第五电阻和第六电阻电连接于所述第一电源。本技术进一步设置为，所述第三N沟道MOS管通过第四电阻电连接于所述第二电源。本技术的有益效果是：1、本设计采用了纯硬件逻辑的方式来产生这个南桥芯片所需的低脉冲信号，仅需要少量的晶体管和逻辑门就可实现，不仅电路简单，成本很低，而且主板空间占用小，稳定可靠，可适应不同平台的应用场景，特别适合紧凑型的板卡设计。2、与现有技术的硬件加软件的方案相比,本设计无需采用任何软件干预，即提高了电路工作的可靠性，人力成本投入少，又降低了开发成本，节省了产品开发周期，性价比更高。3、本电路中第一电源+5VSB和第二电源+3.3VSB在插入外部电源后就会产生，此时南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚处于低电平逻辑，第一N沟道MOS管和第四N沟道MOS管为关闭状态，第二N沟道MOS管和第五N沟道MOS管会被打开，因为有第一二极管和第一二极管的存在，第三电阻和第七电阻被短路，所以第二N沟道MOS管和第五N沟道MOS管的栅极电压上升时间一致，第二N沟道MOS管和第五N沟道MOS管被同时打开，逻辑芯片(异或逻辑门)的输出引脚输出是低电平，第三N沟道MOS管截止，输出给南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚此时为高电平状态。一段时间后，南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚会从低电平变成高电平，将第一N沟道MOS管和第四N沟道MOS管打开，使第一N沟道MOS管和第四N沟道MOS管的漏极拉为低电平，但此时第一二极管和第一二极管为反向工作状态，无法导通，同时因为有了第三电阻、第七电阻和第三电容的存在，导致第二N沟道MOS管和第五N沟道MOS管的栅极电压从5V电压放电到0V的速度不一致，从而使第二N沟道MOS管和第五N沟道MOS管的关断时间不一致。而逻辑芯片的第一输入引脚和第二输入引脚同一时刻的状态不同，所以逻辑芯片的输出引脚输出由先前的低电平变为高电平，此时第三N沟道MOS管导通，南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚从高电平变成了低电平状态。直到RC(电容放电时间常数)时刻后，第二N沟道MOS管和第五N沟道MOS管都已截止，逻辑芯片的第一输入引脚和第二输入引脚同时刻的状态相同，逻辑芯片的输出引脚重新又变回为低电平，第三N沟道MOS管截止，南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚从低电平变回高电平，这样的整个过程使南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚完成了从高电平到低电平再到高电平的变化，即为低脉冲信号输出给南桥芯片，南桥芯片即开始了开机上电的后续动作。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为用于主板的上电自启动电路示意图。具体实施方式为了完全理解本技术，将参考附图描述本技术的优选实施例。可以以各种形式修改本技术的实施例，并且本技术的范围不应被解释为限于下面详细描述的实施例。提供本技术的实施例是为了使本领域技术人员能够更全面地理解本技术。因此，可以夸大附图中的元件的形状等，以便强调更清楚的解释。应注意，在附图中，相同的构件由相同的附图标记表示。此外，省略了可能由本技术的主旨不必要地模糊的已知功能和配置的详细描述。下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本技术。参照图1所示，一种用于主板的上电自启动电路，包括第一N沟道MOS管Q1、第二N沟道MOS管Q2、第三N沟道MOS管Q3、第四本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于主板的上电自启动电路，其特征在于：包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第三N沟道MOS管(Q3)、第四N沟道MOS管(Q4)、第五N沟道MOS管(Q5)以及逻辑芯片(U1)，所述第一N沟道MOS管(Q1)和第四N沟道MOS管(Q4)的栅极并联于南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚，所述第一N沟道MOS管(Q1)的漏极与所述第二N沟道MOS管(Q2)的栅极之间并联有第一二极管(D1)、第三电阻(R3)，所述第二N沟道MOS管(Q2)的漏极电连接于所述逻辑芯片(U1)的第一输入引脚，所述第四N沟道MOS管(Q4)的漏极与所述第五N沟道MOS管(Q5)的栅极之间并联有第二二极管(D2)、第七电阻(R7)，所述第五N沟道MOS管(Q5)的漏极电连接于所述逻辑芯片(U1)的第二输入引脚，所述逻辑芯片(U1)的输出引脚电连接于所述第三N沟道MOS管(Q3)的栅极，所述第三N沟道MOS管(Q3)的漏极电连接于南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚，所述第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第四N沟道MOS管(Q4)和第五N沟道MOS管(Q5)的源极接地、漏极电连接有第一电源，所述第三N沟道MOS管(Q3)的源极接地、漏极电连接有第二电源。/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于主板的上电自启动电路，其特征在于：包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第三N沟道MOS管(Q3)、第四N沟道MOS管(Q4)、第五N沟道MOS管(Q5)以及逻辑芯片(U1)，所述第一N沟道MOS管(Q1)和第四N沟道MOS管(Q4)的栅极并联于南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚，所述第一N沟道MOS管(Q1)的漏极与所述第二N沟道MOS管(Q2)的栅极之间并联有第一二极管(D1)、第三电阻(R3)，所述第二N沟道MOS管(Q2)的漏极电连接于所述逻辑芯片(U1)的第一输入引脚，所述第四N沟道MOS管(Q4)的漏极与所述第五N沟道MOS管(Q5)的栅极之间并联有第二二极管(D2)、第七电阻(R7)，所述第五N沟道MOS管(Q5)的漏极电连接于所述逻辑芯片(U1)的第二输入引脚，所述逻辑芯片(U1)的输出引脚电连接于所述第三N沟道MOS管(Q3)的栅极，所述第三N沟道MOS管(Q3)的漏极电连接于南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚，所述第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第四N沟道MOS管(Q4)和第五N沟道MOS管(Q5)的源极接地、漏极电连接有第一电源，所述第三N沟道MOS管(Q3)的源极接地、漏极电连接有第二电源。


2.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第一二极管(D1)导通方向为所述第一N沟道MOS管(Q1)的漏极向第二N沟道MOS管(Q2)的栅极方向导通。


3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维，何建伟，陈小兵，黎小兵，辛大勇，
申请(专利权)人：昆山嘉提信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32