一种电压采集电路、采集方法及电子设备技术

本申请公开了本申请提供一种电压采集电路，用于采集电芯组的待测电芯的电压值，待测电芯到电芯组的负极之间的电芯数量为至少两节，电压采集电路包括MOS管、补偿电阻以及检测模块；其中，MOS管至少包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，补偿电阻至少包括第一补偿电阻R1、第二补偿电阻R2；检测模块包括检测端，检测端连接至第一补偿电阻R1与第二补偿电阻R2之间用于获得检测电压值，检测模块根据检测电压值确定待测电芯与电芯组的负极之间的目标电压值。本申请实施例可以在避免使待测电芯耗电的前提下，较为精确地采集待测电芯的电压值。

A voltage acquisition circuit, acquisition method and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种电压采集电路、采集方法及电子设备
本申请涉及电子领域，特别涉及一种电压采集电路、采集方法及电子设备。
技术介绍
随着各类电子装置的广泛应用，这些电子装置内部均包括相应的电源，这些电源通常采用由多节电芯组成的电芯组。在电芯组的使用中，需要对电芯组的电量进行监控，以根据电芯组的电量情况在电芯组电量不足或者过充时发出提醒信息。而为了更加精确地监控电芯组的电量，一般会对每节电芯进行单独监控。现有的电芯监控方式，通过并接采样电阻，使得通过检测该采样电阻的电压值来估算对应电芯的电压值。但是，因为电路形式的限制，采样电阻在电量采集过程中会消耗一定的电芯电量，且会导致电芯在电量采集时出现消耗不均的现象，长久会使得每节电芯的电量难以把控，影响对电芯组的电量管理效果。
技术实现思路
本申请提供一种电压采集电路、采集方法及电子设备，可以避免在电量采集过程中出现耗电。本申请提供一种电压采集电路，用于采集电芯组的待测电芯的电压值，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为至少两节，所述电压采集电路包括MOS管、补偿电阻以及检测模块；其中，所述MOS管至少包括第一MOS管、第二MOS管，所述补偿电阻至少包括第一补偿电阻、第二补偿电阻；所述第一MOS管与所述第二MOS管串联于所述电芯组的正极与负极之间，所述第一MOS管与所述第二MOS管之间串联有所述第一补偿电阻、所述第二补偿电阻；其中，所述第一MOS管的漏极与所述电芯组的正极连接，所述第一MOS管的栅极与所述电芯组中的待测电芯的正极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一补偿电阻的一端连接；所述第二MOS管的漏极与所述第二补偿电阻的一端连接，所述第二MOS管的栅极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与所述电芯组的负极连接；所述检测模块包括检测端，所述检测端连接至所述第一补偿电阻与所述第二补偿电阻之间用于获得检测电压值，所述检测模块根据所述检测电压值确定所述待测电芯与所述电芯组的负极之间的目标电压值。在一实施例中，所述MOS管的数量与所述补偿电阻的数量相同，且与所述电芯组中待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量相同。在一实施例中，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为三节，所述MOS管还包括第三MOS管，所述补偿电阻还包括第三补偿电阻；所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的源极与所述第一补偿电阻的一端连接；所述第三补偿电阻串联于所述第一补偿电阻与所述第二补偿电阻之间；所述检测模块的检测端连接至所述第二补偿电阻与所述第三补偿电阻之间。在一实施例中，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为四节，所述MOS管还包括第四MOS管，所述补偿电阻还包括第四补偿电阻；所述第四MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极连接，所述第四MOS管的栅极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第一补偿电阻的一端连接；所述第四补偿电阻串联于所述第三补偿电阻与所述第二补偿电阻之间；所述检测模块的检测端连接至所述第二补偿电阻与所述第四补偿电阻之间。在一实施例中，所述MOS管的栅极与源极之间的开启电压值相同。在一实施例中，所述补偿电阻的阻值相同。本申请还提供一种电压采集方法，应用于如上任意一项所述的电压采集电路，所述方法包括：通过检测模块的检测端获取检测电压值；根据所述检测电压值获得第一MOS管的源极电压值；将所述第一MOS管的源极电压值作为待测电芯与电芯组的负极之间的目标电压值。在一实施例中，若所述MOS管的数量为N，所述检测电压值为M，则所述待测电芯的电压值VB＝N*M。本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括多节电芯组成的电芯组以及与所述电芯组连接的电压采集电路，其中：所述电芯组包括多个待测电芯，每一待测电芯均与所述电压采集电路连接，所述电压采集电路为如上所述的电压采集电路。由上可知，本申请中的电压采集电路、采集方法及电子设备，通过MOS管与补偿电阻的配合，将待测电芯的电压加到MOS管的栅极，从而把待测电芯的电压采集转为对MOS管的源极电压采集，进而可以在避免使待测电芯耗电的前提下，较为精确地采集待测电芯的电压值。附图说明图1为本申请实施例提供的电压采集电路的结构示意图。图2为本申请实施例提供的电压采集电路的另一结构示意图。图3为本申请实施例提供的电压采集电路的再一结构示意图。图4为本申请实施例提供的电压采集方法的实现流程图。图5为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本申请的较佳实施例进行详细阐述，以使本申请的优点和特征更易被本领域技术人员理解，从而对本申请的保护范围作出更为清楚的界定。请参阅图1，图中示出了本申请实施例提供的电压采集电路的结构。如图1所示，该电压采集电路，用于采集电芯组的待测电芯的电压值，该待测电芯到电芯组的负极之间的电芯数量为两节，该电压采集电路包括MOS管、补偿电阻以及检测模块。该电芯组共包括三节电芯，其待测电芯为第二节电芯B2。其中，MOS管包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，该补偿电阻至少包括第一补偿电阻R1、第二补偿电阻R2。具体的，该MOS管可以是NPN型MOS管，该MOS管以及补偿电阻的具体规格、型号可以根据电路设计需要进行采用。具体的，该第一MOS管Q1与第二MOS管Q2串联于电芯组的正极与负极之间，第一MOS管Q1与第二MOS管Q2之间串联有第一补偿电阻R1、第二补偿电阻R2。其中，第一MOS管Q1的漏极与电芯组的正极连接，第一MOS管Q1的栅极G与电芯组中的待测电芯B2的正极连接，第一MOS管Q1的源极S与第一补偿电阻R1的一端连接；第二MOS管Q2的漏极与第二补偿电阻R2的一端连接，第二MOS管Q2的栅极G与第二MOS管Q2的漏极连接，第二MOS管Q2的源极S与电芯组的负极连接。检测模块包括检测端AD，检测端AD连接至第一补偿电阻R1与第二补偿电阻R2之间用于获得检测电压值，检测模块根据检测电压值确定待测电芯B2与电芯组的负极之间的目标电压值VB2。在一实施例中，为了提高检测精准度，该第一MOS管Q1以及第二MOS管Q2的栅极G与源极S之间的开启电压值可以相同，以使其补偿效果更加理想。进一步的，该第一MOS管Q1以及第二MOS管Q2可以是封装在一起的同个晶体，使得其两者的开启电压值差值尽量小。在另一实施例中，MOS管的数量与补偿电阻的数量相同，且与电芯组中待测电芯B2到电芯组的负极之间的电芯数量相同。因为检测模块的检测端AD正常的工作电压值有限，将MOS管的数量、补偿电阻的数量以及电芯组中待测电芯B2到电芯组的负极之间的电芯数量之间进行关联，使其可以根据该待测电芯B2到电芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压采集电路，用于采集电芯组的待测电芯的电压值，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为至少两节，其特征在于，所述电压采集电路包括MOS管、补偿电阻以及检测模块；其中，所述MOS管至少包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，所述补偿电阻至少包括第一补偿电阻R1、第二补偿电阻R2；/n所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2串联于所述电芯组的正极与负极之间，所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2之间串联有所述第一补偿电阻R1、所述第二补偿电阻R2；其中，/n所述第一MOS管Q1的漏极与所述电芯组的正极连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述电芯组中的待测电芯的正极连接，所述第一MOS管Q1的源极与所述第一补偿电阻R1的一端连接；/n所述第二MOS管Q2的漏极与所述第二补偿电阻R2的一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述电芯组的负极连接；/n所述检测模块包括检测端，所述检测端连接至所述第一补偿电阻R1与所述第二补偿电阻R2之间用于获得检测电压值，所述检测模块根据所述检测电压值确定所述待测电芯与所述电芯组的负极之间的目标电压值。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电压采集电路，用于采集电芯组的待测电芯的电压值，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为至少两节，其特征在于，所述电压采集电路包括MOS管、补偿电阻以及检测模块；其中，所述MOS管至少包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，所述补偿电阻至少包括第一补偿电阻R1、第二补偿电阻R2；
所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2串联于所述电芯组的正极与负极之间，所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2之间串联有所述第一补偿电阻R1、所述第二补偿电阻R2；其中，
所述第一MOS管Q1的漏极与所述电芯组的正极连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述电芯组中的待测电芯的正极连接，所述第一MOS管Q1的源极与所述第一补偿电阻R1的一端连接；
所述第二MOS管Q2的漏极与所述第二补偿电阻R2的一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述电芯组的负极连接；
所述检测模块包括检测端，所述检测端连接至所述第一补偿电阻R1与所述第二补偿电阻R2之间用于获得检测电压值，所述检测模块根据所述检测电压值确定所述待测电芯与所述电芯组的负极之间的目标电压值。


2.如权利要求1所述的电压采集电路，其特征在于，所述MOS管的数量与所述补偿电阻的数量相同，且与所述电芯组中待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量相同。


3.如权利要求2所述的电压采集电路，其特征在于，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为三节，所述MOS管还包括第三MOS管Q3，所述补偿电阻还包括第三补偿电阻R3；
所述第三MOS管Q3的漏极与所述第一MOS管Q1的源极连接，所述第三MOS管Q3的栅极与所述第三MOS管Q3的漏极连接，所述第三MOS管Q3的源极与所述第一补偿电阻R1的一端连接；
所述第三补偿电阻R3串联...

【专利技术属性】
技术研发人员：何瑞坚，马东生，任素云，戴清明，尹志明，
申请(专利权)人：惠州市蓝微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44