一种基于低场磁共振T制造技术

技术编号:23757946 阅读:69 留言:0更新日期:2020-04-11 16:04
本发明专利技术公开了一种基于低场磁共振T

A method based on low field MR T

【技术实现步骤摘要】
一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法
本专利技术属于磁纳米材料测试
,更具体地,涉及一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法。
技术介绍
磁学温度测量技术可穿透表面而直接探测物体内部温度,是目前生命、材料与微电子等学科领域具有广泛前景的技术前沿。磁学温度测量可望开启复杂传热结构或者复杂传热过程的物体内部温度测量(监控)新领域。然而,自百年前皮埃尔·居里提出磁学温度测量思想以来,磁学方法实现的温度测量方法及装置始终没有突破。依据居里顺磁定理,顺磁体经非接触测量得到磁化率,进而反比运算可得热力学温度T,但目前仅用于解决1K以下超低温物理的测温难题。如果要提高磁学测温中的信噪比,首先在于寻找比氢核、钆更为高效的温度到磁场的转换元件。近年来出现的磁纳米粒子,是纳米尺度的Fe3O4。磁纳米粒子既保持强磁性又在很宽温度区间表现超顺磁性,是迄今为止已知的最高效的温-磁转换材料之一。自2008年以来,先后有多个研究小组研究了利用磁纳米粒子作为温度敏感元件的单点温度测量技术,利用各种磁测试系统先后实现了0.3度,0.1度测量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于低场磁共振T

【技术特征摘要】
1.一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
S1.选择不同测试温度点,选择粒径、饱和磁化强度、温度敏感性不同的备选氧化铁磁性纳米试剂,测量各测试温度点下各备选氧化铁磁性纳米试剂的M-H磁化曲线;
S2.对各离散激励磁场值μ0H下各备选氧化铁磁性纳米粒子在不同温度T下测量到的感应磁化强度M和温度T进行拟合,得到各备选氧化铁磁性纳米粒子的|dM/dT|-μ0H曲线;
S3.根据所用低场磁共振仪的主磁场值,选择在该主磁场下|dM/dT|取值最大的备选氧化铁磁性纳米粒子,制备该氧化铁磁性纳米粒子水溶液;
S4.在不同测试温度点利用该低场磁共振仪测量该氧化铁磁性纳米粒子水溶液的T2弛豫时间;
S5.基于测量到的各温度下的T2弛豫时间,拟合该氧化铁磁性纳米粒子水溶液的T2弛豫时间和温度的关系T2=f(T);
S6.将测量到的磁纳米粒子水溶液的T2弛豫时间,代入反函数T=f-1(T2),得到温度估计值Test。


2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述低场磁共振仪磁场强度≤0.5T。


3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘文中张亚鹏
申请(专利权)人:华中科技大学
类型:发明
国别省市:湖北;42

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