一种开关电路、基于开关电路的装置及系统制造方法及图纸

技术编号:23719312 阅读:58 留言:0更新日期:2020-04-08 13:55
本实用新型专利技术公开了一种开关电路、基于开关电路的装置及系统。该开关电路的第一PMOS管的栅极与控制模块的第一输出端连接;第一NMOS管的栅极与控制模块的第二输出端连接;第一PMOS管的源极与信号输入端口连接,第一PMOS管的漏极与信号输出端口连接;第一NMOS管的源极与信号输出端口连接,第一NMOS管的漏极与信号输入端口连接;控制模块用于当控制信号输入端口输入的电压为第一电压时,控制通断模块中的第一PMOS管以及第一NMOS管断开;当控制信号输入端口输入的电压为第二电压时,控制通断模块中的第一PMOS管和/或第一NMOS管导通,以使信号输入端口输入的信号经过通断模块后通过信号输出端口输出。以实现降低成本和功耗的效果。

A switch circuit, device and system based on switch circuit

【技术实现步骤摘要】
一种开关电路、基于开关电路的装置及系统
本技术实施例涉及电力电子器件
,尤其涉及一种开关电路、基于开关电路的装置及系统。
技术介绍
传感器通过输出端口电路将其采集的信号输入至处理器,通过处理器对其采集的信号进行分析,以得到相应的信息。当整个装置出现故障需要排除时,一般也会对输出端口电路进行检测,此时需要将传感器采集的信号与输出端口电路断开,从而保证输出端口电路不受传感器采集的信号的影响。目前,传感器采集的信号与输出端口电路的通断一般采用机械式电磁继电器,通过控制电磁继电器的吸合和断开来控制信号的传输。然而,采用继电器控制传感器采集的信号与输出端口电路的通断成本昂贵,功耗大。
技术实现思路
本技术提供一种开关电路、基于开关电路的装置及系统,以实现降低成本和功耗的效果。第一方面,本技术实施例提供了一种开关电路,该开关电路包括:信号输入端口、控制信号输入端口、控制模块、通断模块以及信号输出端口;所述通断模块包括第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一PMOS管的栅极与所述控制模块的第一输出端连接;所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电路,其特征在于,包括:信号输入端口、控制信号输入端口、控制模块、通断模块以及信号输出端口;所述通断模块包括第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一PMOS管的栅极与所述控制模块的第一输出端连接;所述第一NMOS管的栅极与所述控制模块的第二输出端连接;/n所述第一PMOS管的源极与所述信号输入端口连接,所述第一PMOS管的漏极与所述信号输出端口连接;/n所述第一NMOS管的源极与所述信号输出端口连接,所述第一NMOS管的漏极与所述信号输入端口连接;/n所述控制模块的输入端与所述控制信号输入端口连接;/n所述控制模块用于当所述控制信号输入端口输入的电压为第一电压时,控制所述通断模块中...

【技术特征摘要】
1.一种开关电路,其特征在于,包括:信号输入端口、控制信号输入端口、控制模块、通断模块以及信号输出端口;所述通断模块包括第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一PMOS管的栅极与所述控制模块的第一输出端连接;所述第一NMOS管的栅极与所述控制模块的第二输出端连接;
所述第一PMOS管的源极与所述信号输入端口连接,所述第一PMOS管的漏极与所述信号输出端口连接;
所述第一NMOS管的源极与所述信号输出端口连接,所述第一NMOS管的漏极与所述信号输入端口连接;
所述控制模块的输入端与所述控制信号输入端口连接;
所述控制模块用于当所述控制信号输入端口输入的电压为第一电压时,控制所述通断模块中的所述第一PMOS管以及所述第一NMOS管断开;当所述控制信号输入端口输入的电压为第二电压时,控制所述通断模块中的所述第一PMOS管和/或所述第一NMOS管导通,以使所述信号输入端口输入的信号经过所述通断模块后通过所述信号输出端口输出。


2.根据权利要求1所述开关电路,其特征在于,所述控制模块包括:第一电阻、第二电阻、第二PMOS管和第二NMOS管;
所述控制模块还包括第一电源端和接地端;
所述第二NMOS管的栅极与所述控制信号输入端口连接,所述第二NMOS管的源极分别与所述第一电阻的第一端、所述第二PMOS管的栅极以及所述第一PMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的漏极与接地端连接;
所述第一电阻的第二端与所述第一电源端连接;
所述第二PMOS管的源极与所述第一电源端连接,所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二电阻的第一端连接以及所述第一NMOS管的栅极连接;
所述第二电阻的第二端与接地端连接。


3.根据权利要求2所述开关电路,其特征在于,所述控制模块还包括:
第三电阻和第四电阻;
所述第三电阻的第一端和所述控制信号输入端口连接,所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述第二NMOS管的栅极连接;
所述第四电阻的第二端与接地...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩伟刘国山吴文臣薛矿
申请(专利权)人:上海英恒电子有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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