一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，还包括：第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第二极接地；DC/DC模块N1，该DC/DC模块N1的电源输入端连接第二电容C2的第一极，该DC/DC模块N1的接地端接地；第二磁珠FB2，该第二磁珠FB2的首端连接DC/DC模块N1的电源输出端，第二磁珠FB2的末端连接该产品的电源输出端。有效地降低了MEI辐射强度。

A product power circuit with low Mei radiation intensity

【技术实现步骤摘要】
一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路
本技术涉及产品电源电路领域，尤其涉及一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路。
技术介绍
当前，在针对多数的产品电源电路做EMI辐射测试时，通常要求产品的EMI辐射位于30MHZ～1GHZ之间，不能超出标准CLASSB30dB值。但是，在实际的测试过程中，现有产品电源电路的MEI辐射强度却难以满足行业标准所要求的数值范围，导致这些产品被认定为MEI辐射强度不合格产品。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，其特征在于，还包括：第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，其特征在于，还包括：/n第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；/n第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；/n第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第二极接地；/nDC/DC模块N1，该DC/DC模块N1的电源输入端连接第二电容C2的第一极，该DC/DC模块N1的接地端接地；/n第二磁珠FB2，该第二磁珠FB2的首端连接DC/DC模块N1的电源输出端，第二磁珠FB2的末端连接该产品...

【技术特征摘要】
1.一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，其特征在于，还包括：
第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；
第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；
第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第二极接地；
DC/DC模块N1，该DC/DC模块N1的电源输入端连接第二电容C2的第一极，该DC/DC模块N1的接地端接地；
第二磁珠FB2，该第二磁珠FB2的首端连接DC/DC模块N1的电源输出端，第二磁珠FB2的末端连接该产品的电源输出端。


2.根据权利要求1所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一磁珠FB1和第二磁珠FB2均为贴片磁珠。


3.根据权利要求2所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一磁珠FB1的规格参数和第二磁珠FB2的规格参数相同。


4.根据权利要求3所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一磁珠FB1的规格参数分别是：频率为100MHz、电流为1.5A以及阻值为1K。


5.根据权利要求4所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一电容C1的容量为10nF，所述第二电容C2的容量为100nF。


6.根据权利要求5所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述DC/DC模块N1包括：
DC/DC芯片，该DC/DC芯片包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚、第八引脚和第九引脚，第九引脚接地；
电容CE1，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈恢云，
申请(专利权)人：宁波三星智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33