一种铁皮石斛的培育装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种铁皮石斛的培育装置，包括底座，设置在底座上的吸水层，吸水层上设有培育层，培育层上种植铁皮石斛植株；所述吸水层为中空结构，内部填充营养物质；所述吸水层的中空结构和培育层连通；所述底座为浅口盆。其中，所述底座的高度不能超过吸水层的三分之一；只要保持底座的浅口盆中有水，即可保证石斛的需水量，而高于底座的吸水层能够保证石斛不会浇水过多导致涝死。本实用新型专利技术公开的铁皮石斛的培育装置，结构简单，降低培育要求，减轻人工成本，大大提高石斛的成活率。

A cultivation device of Dendrobium candidum

【技术实现步骤摘要】
一种铁皮石斛的培育装置
本技术涉及一种植株培育装置，特别是一种铁皮石斛的培育装置。
技术介绍
铁皮石斛生于海拔达1600米的山地半阴湿的岩石上。主要分布于中国安徽西南部(大别山)、浙江东部(鄞县、天台、仙居)、福建西部(宁化)、广西西北部(天峨)、四川、云南东南部(石屏、文山、麻栗坡、西畴)。其茎入药，属补益药中的补阴药：益胃生津，滋阴清热。极具药用价值和观赏价值。但是，其生长条件苛刻，喜欢半阴半阳的环境，温度太高和太低都不利于其生长，水分太多和太少也会制约其生长。现有技术培育石斛主要是两种方式：1、树干种植，用绷带将铁皮石斛绑在树干上，但对培育环境要求较高。2、大棚种植，石斛在培育床上平面生长，但是对培育工作人员的要求比较高，需要根据石斛状况来浇水调控，培育成本高。
技术实现思路
专利技术目的：针对现有技术的不足，本技术公开了一种简便低成本的铁皮石斛的培育装置。技术方案：本技术公开了一种铁皮石斛的培育装置，包括底座，设置在底座上的吸水层，吸水层上设有培育层，培育层上种植铁皮石斛植本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁皮石斛的培育装置，其特征是，包括底座(1)，设置在底座(1)上的吸水层(2)，吸水层(2)上平铺培育层(3)，培育层(3)上种植铁皮石斛植株；所述吸水层(2)为中空结构，内部填充营养物质(4)；所述吸水层(2)的中空结构和培育层(3)连通；所述底座(1)为浅口盆。/n

【技术特征摘要】
1.一种铁皮石斛的培育装置，其特征是，包括底座(1)，设置在底座(1)上的吸水层(2)，吸水层(2)上平铺培育层(3)，培育层(3)上种植铁皮石斛植株；所述吸水层(2)为中空结构，内部填充营养物质(4)；所述吸水层(2)的中空结构和培育层(3)连通；所述底座(1)为浅口盆。


2.根据权利要求1所述的铁皮石斛的培育装置，其特征是，所述底座(1)的高度不能超过吸水层(2)的三分之一。


3.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏奇强，谈燕红，夏彬城，
申请(专利权)人：夏奇强，
类型：新型
国别省市：江苏;32