半导体器件以及制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及制造半导体器件的方法
本专利技术涉及一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
在半导体器件中，半导体层可以用树脂等掩埋，并且布线层可以形成在半导体层上(例如，参见WO2017/212888以及日本专利申请公开No.2012-252290)。
技术实现思路
为了改进树脂的防护性能和防潮性，可以利用无机绝缘膜覆盖树脂的上表面。然而，无机绝缘膜与布线线路和树脂具有不同的线膨胀系数，因此，无机绝缘膜中会出现裂缝。为了解决这个问题，本专利技术的实施例旨在提供一种能够减少或防止无机绝缘膜中的裂缝形成的半导体器件，以及制造该半导体器件的方法。根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在所述半导体层上；第二树脂层，其形成在所述第一树脂层上；第一布线层，其形成在所述半导体层上，并且被掩埋在所述第二树脂层中；第二布线层，其形成在所述第二树脂层和所述第一布线层上，并且与所述第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖所述第二树脂层和所述第二布线层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n半导体层，其形成在基板上；/n第一树脂层，其形成在所述半导体层上；/n第二树脂层，其形成在所述第一树脂层上；/n第一布线层，其形成在所述半导体层上，并且被掩埋在所述第二树脂层中；/n第二布线层，其形成在所述第二树脂层和所述第一布线层上，并且与所述第一布线层电连接；以及/n第一无机绝缘膜，其覆盖所述第二树脂层和所述第二布线层，/n其中，所述第一布线层的面积大于所述第二布线层的面积。/n

【技术特征摘要】
20180928 JP 2018-1845261.一种半导体器件，包括：
半导体层，其形成在基板上；
第一树脂层，其形成在所述半导体层上；
第二树脂层，其形成在所述第一树脂层上；
第一布线层，其形成在所述半导体层上，并且被掩埋在所述第二树脂层中；
第二布线层，其形成在所述第二树脂层和所述第一布线层上，并且与所述第一布线层电连接；以及
第一无机绝缘膜，其覆盖所述第二树脂层和所述第二布线层，
其中，所述第一布线层的面积大于所述第二布线层的面积。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线层的端部位于所述第二布线层的端部的外侧，并且包围所述第二布线层。


3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一布线层的长度比所述第二布线层的长度大4μm以上且14μm以下。


4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一布线层和所述第二布线层包括金。


5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，
所述第一布线层的厚度为0.8μm以上且2.0μm以下，并且
所述第二布线层的厚度为2.5μm以上且5.0μm以下。


6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一无机绝缘膜包括氮化硅、二氧化硅或氧氮化硅。


7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：
第二无机...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边昌崇，河野直哉，菊地健彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP