压敏电阻器制造技术

本发明专利技术提供一种压敏电阻器，所述压敏电阻器包括：压敏电阻器主体；第一端子，设置在所述压敏电阻器主体的一侧上；第二端子，设置在所述压敏电阻器主体的另一侧上；第一电极，设置在所述压敏电阻器主体的上部上，电连接到所述第一端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述另一侧延伸；以及第二电极，设置在所述压敏电阻器主体的下部上，电连接到所述第二端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述一侧延伸。

Varistor

【技术实现步骤摘要】
压敏电阻器本申请要求于2018年10月1日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0116805号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种压敏电阻器。
技术介绍
通常，诸如先进的IT终端等的信息通信装置被设计为具有增大的集成密度，以使用其中应用了精细线宽技术的半导体器件/芯片/模块，并且使用诸如用以减小尺寸并使用小功率的多层陶瓷电容器(MLCC)的高效无源组件。然而，这样的半导体器件/芯片/模块可能易受耐受电压等的影响，使得半导体器件/芯片/模块由于在各种路径中引发的浪涌或静电放电(ESD)而可能被损坏或可能发生故障。压敏电阻器可用于吸收浪涌或过滤静电放电。此外，近来，汽车已被开发为基于ICT(信息通信技术)融合的高度先进的电子产品，而不是机械产品。包括在汽车中的半导体器件/芯片/模块和无源组件也可能由于浪涌或静电放电而被损坏或发生故障。例如，如果自动智能车由于这样的原因而发生故障，则驾驶员和行人的安全可能受到威胁。因此，防止浪涌流入电路中并控制浪涌可能是重要的。因此，汽车可使用压敏电阻器来保护半导体器件/芯片/模块。如上所述，压敏电阻器已被越来越多地用于各种领域中，因此，压敏电阻器可能需要根据保护对象和保护目的而具有不同特性。例如，与在IT终端中使用的压敏电阻器相比，用作车辆组件的压敏电阻器可被设计为具有相对高的击穿电压和电容，并且在IT终端中使用的压敏电阻器可被设计为具有相对低的电容以减少高频信号损耗。此外，当要保护的对象为小尺寸时，压敏电阻器可被设计为具有几伏至几十伏的低的击穿电压，并且也可根据要保护的对象而被设计为具有几百伏至几千伏的击穿电压。
技术实现思路
本公开的一方面在于提供一种可调整其各种特性(例如，击穿电压、电容、I-V曲线斜率、ESD噪声吸收能力、最大电流等)中的至少一种的压敏电阻器。根据本公开的一方面，提供一种压敏电阻器，所述压敏电阻器包括：压敏电阻器主体；第一端子，设置在所述压敏电阻器主体的一侧上；第二端子，设置在所述压敏电阻器主体的另一侧上；第一电极，设置在所述压敏电阻器主体的上部上，电连接到所述第一端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述另一侧延伸；以及第二电极，设置在所述压敏电阻器主体的下部上，电连接到所述第二端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述一侧延伸。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1A和图1B是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的透视图；图2A和图2B是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的侧视图；图3A是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的单个电极的延伸长度改变的侧视图；图3B是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的两个电极的延伸长度改变的侧视图；图3C是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的使第一电极和第二电极重叠的延伸长度改变的侧视图；图4A是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的延伸长度改变的平面图；图4B是示出根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的宽度的平面图；图5A是示出根据本公开的示例实施例的依据压敏电阻器的电极的延伸长度的电容和击穿电压的曲线图；图5B是示出根据本公开的示例实施例的依据压敏电阻器的电极的延伸长度的电压瞬变(voltagetransient)的曲线图；图5C是示出根据本公开的示例实施例的依据压敏电阻器的非重叠电极的延伸长度的I-V特性的曲线图；图5D是示出根据本公开的示例实施例的依据压敏电阻器的重叠电极的延伸长度的I-V特性的曲线图；图6A是示出制造根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的工艺的示图；以及图6B是示出制造根据本公开的示例实施例的压敏电阻器的工艺的流程图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。这些实施例被足够详细地描述，以使本领域的技术人员能够实践本专利技术。应理解的是，本专利技术的各种实施例虽然不同，但不一定是相互排斥的。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本公开中的实施例中作为示例所描述的结构、形状和尺寸可在另一示例实施例中实现。为了描述的清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且相同的元件将由相同的附图标记表示。为了描述的清楚，可省略或简要地示出一些元件，并且可放大元件的厚度以清楚地表示层和区域。将理解的是，当一部分“包括”元件时，除非另有说明，否则它还可包括其他元件而不排除其他元件。关于六面体的方向，附图中所示的L、W和T分别被定义为长度方向、宽度方向和厚度方向。厚度方向可与层叠介电层所沿的层叠方向相同。图1A和图1B是示出根据示例实施例的压敏电阻器的透视图。参照图1A，示例实施例中的压敏电阻器100a可包括压敏电阻器主体110、第一电极121a、第二电极122a、第一端子131a以及第二端子132a，并且第一电极121a和第二电极122a可被构造为在厚度方向T上不重叠。参照图1B，示例实施例中的压敏电阻器100b可包括压敏电阻器主体110、第一电极121b、第二电极122b、第一端子131a以及第二端子132a，并且第一电极121b和第二电极122b可被构造为在厚度方向T上重叠。在压敏电阻器主体110中，多个点之间的电阻值可根据施加在多个点之间的电压而改变。因此，压敏电阻器主体110的I-V(电流-电压)特性可以是非线性的。例如，压敏电阻器主体110可包括氧化锌(ZnO)并可被实现为ZnO-Bi2O3基压敏电阻器主体或ZnO-Pr6O11基压敏电阻器主体，并且可包括诸如Zn、Bi、Sb、Co、Mn、Si、Ni和Zr的添加剂。添加剂可与压敏电阻器主体110的二次结晶相的形成和液相的形成有关。第一端子131a可设置在压敏电阻器主体110的一侧上。第二端子132a可设置在压敏电阻器主体110的另一侧上。第一电极121a和121b可设置在压敏电阻器主体110的上部上、可电连接到第一端子131a并且可朝向压敏电阻器主体110的另一侧延伸。第二电极122a和122b可设置在压敏电阻器主体110的下部上、可电连接到第二端子132a并且可朝向压敏电阻器主体110的一侧延伸。第一电极121a和第二电极122a可彼此电分离。当施加在第一电极121a和第二电极122a之间的电压相对低时，压敏电阻器主体110可具有相对高的电阻值，使得第一电极121a和第二电极122a可彼此绝缘。类似地，第一电极121b和第二电极122b可彼此电分离。当施加在第一电极121b和第二电极122b之间的电压相对低时，压敏电阻器主体110可具有相对高的电阻值，使得第一电极121b和第二电极122b可彼此绝缘。施加在第一电极121a和第二电极122a之间的电压越高，压敏电阻器主体110的电阻值会越低，并且当电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压敏电阻器，包括：/n压敏电阻器主体；/n第一端子，设置在所述压敏电阻器主体的一侧上；/n第二端子，设置在所述压敏电阻器主体的另一侧上；/n第一电极，设置在所述压敏电阻器主体的上部上，电连接到所述第一端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述另一侧延伸；以及/n第二电极，设置在所述压敏电阻器主体的下部上，电连接到所述第二端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述一侧延伸。/n

【技术特征摘要】
20181001 KR 10-2018-01168051.一种压敏电阻器，包括：
压敏电阻器主体；
第一端子，设置在所述压敏电阻器主体的一侧上；
第二端子，设置在所述压敏电阻器主体的另一侧上；
第一电极，设置在所述压敏电阻器主体的上部上，电连接到所述第一端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述另一侧延伸；以及
第二电极，设置在所述压敏电阻器主体的下部上，电连接到所述第二端子，并朝向所述压敏电阻器主体的所述一侧延伸。


2.根据权利要求1所述的压敏电阻器，
其中，所述压敏电阻器主体包括氧化锌(ZnO)，并且
其中，所述压敏电阻器主体的内部空间利用不导电的材料或半导体材料填充，并且不包括设置在所述内部空间中的内电极。


3.根据权利要求1所述的压敏电阻器，所述压敏电阻器还包括：
第一绝缘层，设置在所述压敏电阻器主体和所述第一电极的上部上；以及
第二绝缘层，设置在所述压敏电阻器主体和所述第二电极的下部上。


4.根据权利要求3所述的压敏电阻器，所述压敏电阻器还包括：
第三绝缘层，设置在所述第一绝缘层的上部上并且比所述第一绝缘层坚硬；以及
第四绝缘层，设置在所述第二绝缘层的下部上并且比所述第二绝缘层坚硬。


5.根据权利要求3所述的压敏电阻器，所述压敏电阻器还包括：
第三绝缘层，设置在所述第一绝缘层的上部上并具有比所述第一绝缘层的熔点低的熔点；以及
第四绝缘层，设置在所述第二绝缘层的下部上并具有比所述第二绝缘层的熔点低的熔点。


6.根据权利要求3所述的压敏电阻器，
其中，所述第一绝缘层与所述第一端子和所述第二端子接触，所述第二绝缘层与所述第一端子和所述第二端子接...

【专利技术属性】
技术研发人员：金益燮，金正逸，金龙性，吴银珠，裵秀林，金海仁，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR