一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明专利技术的技术方案要点为：一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，由具有1T相结构的二硫化钒及2H相的二硫化钼单层构成一个侧面异质结结构，且漏极施加在1T相的二硫化钒单层区域，源极施加在2H相的二硫化钼单层区域，构成一个二极管结构，其施加有限偏压时，正向电压在超过0.4V阈值时可以导通，而反向电压则始终保持不导通状态，表现出极好的整流性质，整流比率高达10

Nanoscale rectifier based on side heterojunction of transition metal disulfide

【技术实现步骤摘要】
一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器
本专利技术属于纳米尺度电子器件
，具体涉及一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器。
技术介绍
电子器件朝着更快(即反应速度更快)、更冷(即功耗低、发热少)和更小(即结构尺度更小)的微型化趋势发展，甚至越来越接近于分子或原子尺度。纳米尺度电子器件的研发已引起世界范围内的极大兴趣。近几年来，二维层状材料以其新奇的几何和电子结构、力学和光电等性质吸引了物理、化学和材料等众多领域科学家的广泛研究兴趣。例如，石墨烯、硅烯、氮化硼、过渡金属二硫化物、MX烯、磷烯、锡烯、锗烯，以及硼烯等已陆续被制备出来。研究发现诸多二维材料具有优异的力、热、光、电、磁等性质，它们有望成为新一代的高性能纳米器件的关键材料，并已开辟了一个又一个全新的研究和应用领域。过渡金属二硫化物单层主要存在三种相结构，即1T、2H、1T′相[详见：T.Heine,TransitionMetalChalcogenides:UltrathinInorganicMaterialswithTunableElectr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，其特征在于：该纳米尺度整流器由具有金属特性的1T相结构的二硫化钒单层与呈现半导体特性的2H相结构的二硫化钼单层组成的单层侧面异质结构成。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，其特征在于：该纳米尺度整流器由具有金属特性的1T相结构的二硫化钒单层与呈现半导体特性的2H相结构的二硫化钼单层组成的单层侧面异质结构成。


2.根据权利要求1所述的基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，其特征在于：所述1T相结构的二硫化钒单层和2H相结构的二硫化钼单层沿着它们的锯齿形方向耦合成侧面异质结结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：安义鹏，朱明甫，马传琦，马天里，刘尚鑫，赵永，武大鹏，赵传熙，康军帅，焦照勇，
申请(专利权)人：河南师范大学，
类型：发明
国别省市：河南;41