成膜装置和温度控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置和温度控制方法。一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备载置台、载置台加热器、顶板加热器、控制装置。载置台设置于收容被处理基板的处理容器内，用于载置被处理基板。载置台加热器设置于载置台内，对被载置于载置台上的被处理基板进行加热。顶板加热器设置于与载置台相向的处理容器的顶板。控制装置对载置台加热器和顶板加热器的温度进行控制。另外，控制装置通过以第一温度单位控制载置台加热器的温度来以第一温度单位控制被处理基板的温度。另外，控制装置通过以第二温度单位控制顶板加热器的温度来通过经由顶板放射的辐射热以比第一温度单位更精细的温度单位控制被处理基板的温度。

Film forming device and temperature control method

【技术实现步骤摘要】
成膜装置和温度控制方法
本公开的各个方面和实施方式涉及一种成膜装置和温度控制方法。
技术介绍
已知如下一种技术：将包含两种单体的气体供给至收容有被处理基板的处理容器内，从而通过两种单体的聚合反应来在被处理基板形成聚合物的有机膜。例如，已知一种通过芳香族烃基(日语：芳香族アルキル)、脂环状或脂肪族的二异氰酸酯单体与芳香族烃基、脂环状或脂肪族的二胺单体之间的真空蒸镀聚合反应来在被处理基板形成聚合物的膜的技术(例如参照下述专利文献1)。专利文献1：国际公开第2008/129925号
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够高精度地控制被处理基板的温度的技术。用于解决问题的方案本公开的一个方面为一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备载置台、载置台加热器、顶板加热器、控制装置。载置台设置于收容被处理基板的处理容器内，用于载置被处理基板。载置台加热器设置于载置台内，对被设置于载置台上的被处理基板进行加热。顶板加热器设置于与载置台相向的处理容器的顶板。控制装置对载置台加热器和顶板加热器的温度进行控制。另外，控制装置通过以第一温度单位控制载置台加热器的温度来以第一温度单位控制被处理基板的温度。另外，控制装置通过以第二温度单位控制顶板加热器的温度，来通过经由顶板放射的辐射热以比第一温度单位更精细的温度单位控制被处理基板的温度。专利技术的效果根据本公开的各个方面和实施方式，能够高精度地控制被处理基板的温度。附图说明图1是表示本公开的第一实施方式中的成膜装置的一例的图。图2是表示晶圆的温度与沉积速率(D/R)之间的关系的一例的图。图3是表示晶圆的温度分布的一例的图。图4是表示顶板加热器的温度与晶圆的温度之间的关系的一例的图。图5是表示顶板与载置台之间的间隔同晶圆的温度之间的关系的一例的图。图6是表示第一实施方式中的温度控制方法的一例的流程图。图7是表示温度测定用晶圆的一例的图。图8是表示本公开的第二实施方式中的成膜装置的一例的图。图9是表示第二实施方式中的温度控制方法的一例的流程图。图10是表示分割后的顶板加热器的一例的图。图11是表示进行分割所得到的侧壁加热器的一例的图。具体实施方式下面，基于附图来详细地说明公开的成膜装置和温度控制方法的实施方式。此外，并不通过下面的实施方式来限定公开的成膜装置和温度控制方法。另外，在蒸镀聚合中，成膜速度会根据被处理基板的温度而大幅度地变化。因此，要求以更高的精度来控制被处理基板的温度，以控制所要成膜的聚合物的膜厚度。因此，本公开提供一种能够高精度地控制被处理基板的温度的技术。(第一实施方式)[成膜装置1的结构]图1是表示本公开的第一实施方式中的成膜装置1的一例的图。本实施方式中的成膜装置1通过蒸镀聚合在作为被处理基板的一例的晶圆W上形成聚合物的膜。成膜装置1具备装置主体10和控制装置100。装置主体10具备具有大致圆筒形状的处理空间S的处理容器11。在处理容器11内收容晶圆W。将由处理容器11形成的大致圆筒状的处理空间S的中心轴定义为轴X。处理容器11包括顶板11a、侧壁11b和底部11c。顶板11a、侧壁11b和底部11c例如由铝、不锈钢、镍合金等具有耐腐蚀性的金属构成。顶板11a例如为平板状，侧壁11b例如为圆筒状。另外，顶板11a、侧壁11b和底部11c例如可以由石英、陶瓷等构成。在顶板11a与侧壁11b之间以及侧壁11b与底部11c之间分别配置有隔热构件12。由此，抑制顶板11a与侧壁11b之间以及侧壁11b与底部11c之间的热的移动。在处理容器11内，在与顶板11a相向的位置设置有载置台14。在载置台14的上表面载置晶圆W。晶圆W为大致圆板状，将晶圆W以使晶圆W的中心轴与轴X一致的方式载置于载置台14上。载置台14由支承棒15进行支承。升降机构30通过使支承棒15沿轴X上下移动来使载置台14升降。升降机构30通过使载置台14升降来变更载置台14与顶板11a之间的距离。通过变更载置台14与顶板11a之间的距离来变更载置台14上的晶圆W与顶板11a之间的间隔。由控制装置100对利用升降机构30进行的载置台14的升降进行控制。在载置台14内设置有用于对被载置于载置台14上的晶圆W进行加热的载置台加热器14a。另外，在载置台14内形成有供热传导液等制冷剂流通的流路14b。流路14b经由配管41a及配管41b来与冷却装置40连接。从冷却装置40经由配管41a来向载置台14的流路14b供给被控制为规定温度的制冷剂。流过流路14b的制冷剂经由配管41b返回冷却装置40。通过利用载置台加热器14a进行的加热和利用在流路14b中流动的制冷剂进行的冷却，来对被载置于载置台14上的晶圆W的温度进行控制。下面，将通过利用载置台加热器14a进行的加热和利用在流路14b中流动的制冷剂进行的冷却而被控制的晶圆W的温度记载为载置台温度。由控制装置100对载置台加热器14a和冷却装置40进行控制。在本实施方式中，以第一温度单位的分辨率来控制基于载置台加热器14a和冷却装置40的温度。即，以第一温度单位的分辨率来控制载置台温度。第一温度单位例如为1℃单位。在顶板11a的上表面设置有顶板加热器13a。顶板加热器13a用于对顶板11a进行加热。以使顶板加热器13a的大致圆板状的外形的中心轴与轴X一致的方式将顶板加热器13a配置在顶板11a上。通过利用顶板加热器13a对顶板11a进行加热，来从顶板11a向处理空间S内放射辐射热。载置台14上的晶圆W被从顶板11a放射的辐射热加热。由控制装置100对顶板加热器13a进行控制。在侧壁11b的侧面且处理容器11的外侧设置有侧壁加热器13b。侧壁加热器13b用于对侧壁11b进行加热。通过利用侧壁加热器13b对侧壁11b进行加热，来从侧壁11b向处理空间S内放射辐射热。载置台14上的晶圆W被从侧壁11b放射的辐射热加热。由控制装置100对侧壁加热器13b进行控制。在本实施方式中，以第二温度单位的分辨率来对顶板加热器13a及侧壁加热器13b的温度进行控制。第二温度单位例如为1℃单位。另外，通过利用升降机构30使载置台14升降，来变更载置台14上的晶圆W与顶板11a之间的间隔。另外，通过利用升降机构30使载置台14升降，也变更载置台14上的晶圆W与侧壁11b之间的间隔。由此，变更从顶板11a和侧壁11b照射到晶圆W的辐射热的量。在侧壁11b形成有用于搬入和搬出晶圆W的未图示的开口，通过未图示的闸阀来对该开口进行打开和关闭。在顶板11a设置有用于向处理容器11的处理空间S内供给气体的气体供给口17a和气体供给口17b。气体供给口17a经由配管24a来与阀23a、流量控制器22a、气化器21a以及原料供给源20a连接。气体供给口17b经由配管24b来与阀23b、流量控制器22b、气化器2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备：/n载置台，其设置于收容所述被处理基板的处理容器内，用于载置所述被处理基板；/n载置台加热器，其设置于所述载置台内，对被载置于所述载置台上的所述被处理基板进行加热；/n顶板加热器，其设置于与所述载置台相向的所述处理容器的顶板；以及/n控制装置，其通过以第一温度单位控制所述载置台加热器的温度来以所述第一温度单位控制所述被处理基板的温度，通过以第二温度单位控制所述顶板加热器的温度，来通过经由所述顶板放射的辐射热以比所述第一温度单位更精细的温度单位控制所述被处理基板的温度。/n

【技术特征摘要】
20180927 JP 2018-1819551.一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备：
载置台，其设置于收容所述被处理基板的处理容器内，用于载置所述被处理基板；
载置台加热器，其设置于所述载置台内，对被载置于所述载置台上的所述被处理基板进行加热；
顶板加热器，其设置于与所述载置台相向的所述处理容器的顶板；以及
控制装置，其通过以第一温度单位控制所述载置台加热器的温度来以所述第一温度单位控制所述被处理基板的温度，通过以第二温度单位控制所述顶板加热器的温度，来通过经由所述顶板放射的辐射热以比所述第一温度单位更精细的温度单位控制所述被处理基板的温度。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述被处理基板为大致圆板状，
在以所述被处理基板的中心轴为中心的圆的径向和周向中的至少任一方向上对所述顶板加热器进行分割，
所述控制装置以所述第二温度单位分别独立地控制进行分割所得到的各个顶板加热器的温度。


3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
还具备侧壁加热器，所述侧壁加热器设置于所述处理容器的侧壁，
所述控制装置通过以所述第二温度单位控制所述侧壁加热器的温度，来通过经由所述侧壁放射的辐射热以比所述第一温度单位更精细的温度单位控制所述被处理基板的温度。


4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述被处理基板为大致圆板状，
在以所述被处理基板的中心轴为中心的圆的周向上对所述侧壁加热器进行分割，
所述控制装置以所...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽秀二，山口达也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP