一种石墨相氮化碳基异质结复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨相氮化碳基异质结复合材料及其制备方法，属于光催化技术领域。本发明专利技术采用硫脲作为石墨相氮化碳的前驱体得到硫掺杂的g‑C

A graphite phase carbon nitride based heterojunction composite and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种石墨相氮化碳基异质结复合材料及其制备方法
本专利技术涉及一种石墨相氮化碳基异质结复合材料及其制备方法，属于光催化

技术介绍
不断增加的环境污染和化石能源危机对人类健康和生活生态系统都是有害的。半导体光催化技术被认为是一种将清洁太阳能生产转化为可再生能源的绿色技术。许多有效的光催化剂被报道用于环境污染物降解和光解水制氢。其中，石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种共轭聚合物半导体材料，因其优异的物理化学稳定性、无毒、低成本、且不含任何金属而被广泛研究，是一种极具吸引力和发展前景的可见光驱动(VLD)光催化剂。通常情况下，石墨化碳氮化物(g-C3N4)都是采用富含碳氮的前驱体材料经高温分解来制备，例如：氰胺、二聚氰胺、三聚氰胺、三聚硫氰酸、尿素等。但是由于可见光利用不足和光生载流子的快速再复合，使得体相g-C3N4的量子效率较低，这极大地限制了其实际应用。异质结复合光催化剂的构建是常用的促进光生载流子快速迁移，从而实现抑制他们再复合的一种常用方法。
技术实现思路
为了解决上述至少一个问题，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种g-C

【技术特征摘要】
1.一种g-C3N4基异质结复合材料，其特征在于，采用硫脲作为石墨相氮化碳的前驱体得到硫掺杂的g-C3N4，简称SCN，以此为基底材料与In2O3耦合构建制得。


2.权利要求1所述的g-C3N4基异质结复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)SCN的制备：将硫脲进行煅烧，得到SCN；
(2)In2O3/SCN的制备：
A：将SCN粉末和六水合硝酸铟In(NO3)3·6H2O溶于去离子水中，混匀形成混合物；
B：将A步骤中混合物的水蒸发，得到块状固体；
C：将B步骤的块状固体进行研磨；
D：将C步骤得到的固体进行煅烧；
E：将D步骤得到的固体洗涤、干燥，得到g-C3N4基异质结复合材料。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的SCN的具体制备方法为：将硫脲置于坩埚中，在空气氛围下加热到550℃并保温3h，马弗炉的升温速率为8℃·min-...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏寄荣，许鹏，周品，庞佳政，
申请(专利权)人：常州工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32