直流低频脉冲旋转磁场治疗设备制造技术

本发明专利技术公开了一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备，包括两个平行且同轴的亥姆霍兹线圈，两个所述亥姆霍兹线圈均与直流脉冲控制器相连；所述直流脉冲控制器包括达林顿反相驱动器、单片机和数码显示元件；所述单片机的引脚P1.0和引脚P1.1输出两组完全相同的脉冲至达林顿反相驱动器中，由达林顿反相驱动器以正弦脉冲输出至亥母霍兹线圈中；所述单片机输出三路信号至数码显示元件中；通过公式B

DC low frequency pulse rotating magnetic field treatment equipment

【技术实现步骤摘要】
直流低频脉冲旋转磁场治疗设备
本专利技术涉及电场治疗仪领域，具体涉及一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备。
技术介绍
近十年来电场疗法在治疗癌症及其他疾病上有了较多的应用。电场疗法通过低强度，低频率的直流电脉冲直接传递到肿瘤病灶，在电场覆盖之处，癌细胞会通过两种方式被“引爆”。第一种，在癌细胞分裂的中期，电场影响纺锤体微管的形成，导致染色体分离异常，使癌细胞无法分裂直至凋亡；第二种，在癌细胞分裂末期，电场将电荷推向分裂细胞颈部，破坏癌细胞结构，最终导致细胞死亡。这两种最终导致的结果就是癌细胞无法正常分裂，细胞膜起泡，细胞死亡。与正常细胞相比，肿瘤细胞的电学性质与正常细胞不同，电场疗法并不会对正常细胞有很大的损伤，其原因是因为肿瘤细胞具有相对较高的导电性和电容率。因此，与正常细胞相比，肿瘤细胞对外电场相对更加敏感，尤其是胶质瘤。糖尿病发病率远高于癌症发病率，所以电场疗法用于高血糖症的治疗就更有意义。根据传统中医经络学理论，磁场作用于人体的经络穴位后，能够调节人体的生物效应，提高脏腑细胞活性，增强自身免疫功能及修复能力，改善代谢紊乱，实现代谢平衡，进而实现恢复胰岛功能。在磁场作用下，可剥离被糖化的血红蛋白质，降低血粘度，调节蛋白质、糖、脂肪代谢，实现机体代谢平衡。同时，磁场作用可以打通经络气血，活化细胞，恢复脏腑功能，进而改善末端循环和神经传递，避免各种心血管症、高血脂症等并发症的发生。实践证明旋转磁场较稳态磁场，对抑制病症，有着良好的医学应用和的治疗效果。医疗使用的直流脉冲电场，通常频率为100Hz以内，磁感应强度为100Gs以内，属低强度，低频率的安全磁场。
技术实现思路
本专利技术公开了一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备，该设备通过将电场设置了足够低的强度和频率，使其在细胞的有丝分裂过程中只影响肿瘤细胞，使肿瘤细胞无法正常分裂，从而遏制并治疗癌症。本专利技术采用的技术方案为：一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备，包括两个平行且同轴的亥姆霍兹线圈，两个所述亥姆霍兹线圈均与直流脉冲控制器相连；所述直流脉冲控制器包括达林顿反相驱动器、单片机和数码显示元件；所述单片机的引脚P1.0和引脚P1.1输出两组完全相同的脉冲至达林顿反相驱动器中，由达林顿反相驱动器以正弦脉冲输出至亥母霍兹线圈中；所述单片机输出三路信号至数码显示元件中。通过公式BP＝(0.724K/R)NI计算两个所述亥姆霍兹线圈之间的磁场强度，得出电流I与匝数N之间的关系；其中，BP为两个亥姆霍兹线圈圆心之间中点的磁场强度，其范围值为0.002～0.005T；K为真空磁导率系数＝4π×10-7特斯拉·米/安培；N为线圈匝数；R为亥母霍兹线圈的半径。进一步，所述达林顿反相驱动器的型号为ULN2003。进一步，所述单片机由连接在引脚P1.6上的开关K1调节脉冲频率，所述脉冲频率为50～80Hz。进一步，所述单片机由连接在引脚P1.7上的开关K2调节磁感应强度，所述磁感应强度为30～50Gs。本专利技术还提供了一种腰围式直流低频脉冲旋转磁场治疗仪。本专利技术还提供了一种平躺式直流低频脉冲旋转磁场治疗仪。本专利技术产生的有益效果是：在对近20种不同的癌细胞进行实验后发现，这种电场对癌细胞都能起到勒抑制作用；更重要的是，这些肿瘤治疗电场对分裂较慢的正常细胞几乎没有影响。本专利技术所使用的是频率为1000Hz以内，磁感应强度为100Gs以内的低频率、低强度动态旋转磁场。稳态与动态磁感应强度磁场对细胞的影响会有着多方面的差异。旋转磁场属于动态磁场，包括由电磁场产生的旋转磁场。目前研究显示，旋转磁场对抑制肿瘤，有着良好的医学应用和的治疗效果。本专利技术可主要治疗高胆固醇血症、骨质疏松、糖尿病、心脑血管患者、胶质母细胞瘤、恶性胸膜间皮瘤；非小细胞肺癌、胰腺癌和卵巢癌等。附图说明图1为本专利技术中第一种实施例的结构示意图；图2为载流圆线圈轴线上的磁场强度示意图；图3为亥姆霍兹线圈轴线中点的磁场强度示意图；图4为本专利技术中第二种实施例的结构示意图；图5为直流脉冲控制器的电路结构图；图6为本专利技术中脉冲波形的示意图；图中：1-亥姆霍兹线圈、2-可滑动床板、3-带滑轨床板、4-直流脉冲控制器、5-达林顿反相驱动器、6-单片机、7-数码显示元件。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。如图1所示，本专利技术的第一种实施例包括两个平行且同轴的亥姆霍兹线圈1，两个亥姆霍兹线圈均与直流脉冲控制器4相连，用于产生直流低频脉冲旋转磁场，并控制亥姆霍兹线圈1的脉冲频率和磁场强度。本实施例中的亥姆霍兹线圈组的线圈半径R为200mm，由直径0.5mm漆包线绕制，线圈共有N匝，直流低频脉冲为50～100Hz，磁感应强度为20～50Gs。腰围由纯棉织物制作，可根据人体体型不同，制成大、中、小多种型号，亥姆霍兹线圈的半径也随之改变。直流脉冲控制器产生频率、磁场强度可调的直流低频脉冲旋转磁场。如图2所示，载流圆线圈轴线上的磁感应强度其中，BP为P点的磁感应强度；K为真空磁导率系数＝4π×10-7特斯拉·米/安培；N为线圈匝数；R为线圈半径。如图3所示，由公式(1)可计算亥姆霍兹线圈轴线中点的磁场强度其中，带入公式得：在本实施例中，腰围式直流低频脉冲旋转磁场治疗仪由纯棉织物制作，可根据人体体型不同，制成大、中、小多种型号，亥姆霍兹线圈的半径也随之改变。其具体参数为：线圈半径R＝0.2m，线圈匝数为N，线圈电流为I(I<1A)，磁感应强度BP为0.005T，真空磁导率系数K＝4π×10-7特斯拉·米/安培，带入公式(3)得：Bp＝0.724KNI/RNI＝(0.005R)/(0.724K)＝(0.005×0.20)/0.724×4×3.14×10-7＝(107×0.005×0.20)/0.724×4×3.14＝(107×0.001)/9.093＝1099.74若I＝0.5A，那么N＝2199匝，线径可用0.3mm。如图4所示，本专利技术的第二种实施例是一种平躺式直流低频脉冲旋转磁场治疗仪，将亥母霍兹线圈1安装在PPS工程塑料所制成的直径为0.5m的骨架中，并由直径为1mm的漆包线绕制。亥母霍兹线圈1垂直安装在带滑轨床板3上，在带滑轨床板3上安装有可滑动床板2，直流脉冲控制器4与亥母霍兹线圈1共同产生直流低频脉冲旋转磁场，频率和磁场强度可调节。直流低频脉冲为50～100Hz，磁感应强度为20～50Gs。根据公式(3)可得，Bp＝0.724KNI/R，当半径R＝0.25m时，NI＝(0.005R)/0.724K＝(0.005×0.18)/0.724×4×3.14×10-7＝(107×0.005×0.25)/0.724×4×3.14＝(107×0.0012本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备，其特征在于：包括两个平行且同轴的亥姆霍兹线圈，两个所述亥姆霍兹线圈均与直流脉冲控制器相连；/n所述直流脉冲控制器包括达林顿反相驱动器、单片机和数码显示元件；所述单片机的引脚P1.0和引脚P1.1输出两组完全相同的脉冲至达林顿反相驱动器中，由达林顿反相驱动器以正弦脉冲输出至亥母霍兹线圈中；所述单片机输出三路信号至数码显示元件中；/n通过公式B

【技术特征摘要】
1.一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备，其特征在于：包括两个平行且同轴的亥姆霍兹线圈，两个所述亥姆霍兹线圈均与直流脉冲控制器相连；
所述直流脉冲控制器包括达林顿反相驱动器、单片机和数码显示元件；所述单片机的引脚P1.0和引脚P1.1输出两组完全相同的脉冲至达林顿反相驱动器中，由达林顿反相驱动器以正弦脉冲输出至亥母霍兹线圈中；所述单片机输出三路信号至数码显示元件中；
通过公式BP=(0.724K/R)NI计算两个所述亥姆霍兹线圈之间的磁场强度，得出电流I与匝数N之间的关系；
其中，BP为两个亥姆霍兹线圈圆心之间中点的磁场强度，其范围值为0.002～0.005T；K为真空磁导率系数=4π×10-7特斯拉·米/安培；N为线圈匝数；R为亥母霍兹线圈的半径。


2.根据权利要求1所述的一种直流低频脉冲旋转磁场治疗设备，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾元元，崔楠，
申请(专利权)人：郑州和济生物科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41