HCD气体的除害方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供ＨＣＤ气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气（Ｌ）在不含有水分的情况下导入反应处理区域（Ｋ），向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域（Ｋ）供给含有若干水分的有氧气体（Ｇ），将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水，在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】HCD气体的除害方法及其装置技术区域本专利技术涉及半导体制造中由CVD (化学气相淀积Chemical Vapor Deposition)装置排出的混入淀积用六氯化二硅(以下称为HCD)的废 气的除害方法及其除害装置。
技术介绍
从作为硅片(Silicon Wafer)的制造装置的CVD装置中排出各种 废气。这些废气有爆炸性的气体、有毒的气体等，必须在排放到大气 中之前进行除害。本除害装置与上述CVD装置连接使用，是用于将从CVD 装置排出的有害废气无害化的装置。作为这样的装置，有特开平 11-33345号中所述的装置。上述CVD装置中使用的气体，有淀积用、清洁用、蚀刻用等各种气 体，这些气体中又存在各种气体。HCD是作为淀积用的气体新开发的气 体。HCD是由化学式ShCh表示的新型的淀积用气体，在常温下因与水 接触的水解反应而形成爆炸性的硅草酸(为反应性二氧化硅，化学式 为(SiOOH) 2)，非常危险。Si2Cl6+4H20— (SiOOH)2+6HCl另一方面，在没有水存在的场合(以下，称为无水)，若加热分 解则出现如下的反应。(a) 无水.无氧2Si2Cl6—3SiCl4+Si(b本文档来自技高网...

【技术保护点】
除害方法，其特征在于，在将含有六氯化二硅的废气在不含有水分的情况下导入高温的反应处理区域的同时，将含有水分的含氧气体供给该反应处理区域，在反应处理区域内至少将废气中的六氯化二硅氧化分解。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：今村启志，竹内裕昭，石川幸二，铃木浩，守谷聪，原田胜可，
申请(专利权)人：康肯科技股份有限公司，东亚合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]