HCD气体的除害方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供ＨＣＤ气体的除害方法及其装置。通过使含有六氯化二硅的废气（Ｌ）在不含有水分的情况下导入反应处理区域（Ｋ），向保持在六氯化二硅的分解温度的反应处理区域（Ｋ）供给含有若干水分的有氧气体（Ｇ），将六氯化二硅分解成盐酸、二氧化硅和水，在既不产生硅草酸也不产生氯的情况下安全地进行含有六氯化二硅的废气处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】HCD气体的除害方法及其装置技术区域本专利技术涉及半导体制造中由CVD (化学气相淀积Chemical Vapor Deposition)装置排出的混入淀积用六氯化二硅(以下称为HCD)的废 气的除害方法及其除害装置。
技术介绍
从作为硅片(Silicon Wafer)的制造装置的CVD装置中排出各种 废气。这些废气有爆炸性的气体、有毒的气体等，必须在排放到大气 中之前进行除害。本除害装置与上述CVD装置连接使用，是用于将从CVD 装置排出的有害废气无害化的装置。作为这样的装置，有特开平 11-33345号中所述的装置。上述CVD装置中使用的气体，有淀积用、清洁用、蚀刻用等各种气 体，这些气体中又存在各种气体。HCD是作为淀积用的气体新开发的气 体。HCD是由化学式ShCh表示的新型的淀积用气体，在常温下因与水 接触的水解反应而形成爆炸性的硅草酸(为反应性二氧化硅，化学式 为(SiOOH) 2)，非常危险。Si2Cl6+4H20— (SiOOH)2+6HCl另一方面，在没有水存在的场合(以下，称为无水)，若加热分 解则出现如下的反应。(a) 无水.无氧2Si2Cl6—3SiCl4+Si(b) 无水.有氧Si2Cl6+202—2Si02+3Cl2在此，在有氧气氛下加热分解ShCh的场合，如(b)所示生成氯， 腐蚀除害装置(l)。为了防止氯的产生，存在一定程度的水是必不可少的，但如前迷那样水分量多则产生爆炸性的硅草酸。专利文献l:特开平ll-33345号
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的解决课题在于开发不产生爆炸性的硅草酸，也不产生有 毒、腐蚀性氯气的HCD的加热分解方法及其装置。 用于解决课题的方法项l是本专利技术的除害方法，其特征在于，在将含有六氯化二硅的废 气(L)不含有水分地导入反应处理区域(K)的同时，将含有水分的 含氧气体(G)供给到该反应处理区域(K)，在反应处理区域(K)内 至少将废气(L)中的六氯化二硅氧化分解。项2是用于实施上述方法的除害装置(1),其特征在于包括与 将含有六氯化二硅的废气(L )在不含有水分的情况下排出的半导体制 造装置连接，具有加热分解废气(L)的反应处理区域(K)的反应塔 (6);向反应塔(6)的反应处理区域(K)供给水分和含氧气体(G) 的湿润有氧气体供给部(5);对由反应塔(6)出来的处理气体(H) 进行水洗的洗涤塔(7 );和回收洗涤水(8 )的洗涤水槽(4 )。专利技术效果根据本专利技术，通过向保持在HCD的分解温度的反应处理区域(K) 供给含有若干水分的有氧气体(一般为空气(G))和含有HCD的废气 (L)，能够在不产生酸又不产生氯的情况下，在反应处理区域(K) 中将HCD分解成盐酸与二氧化硅和水，因此，能够安全地进行含有HCD 的废气处理。附图说明图l是本专利技术的第l实施例中涉及的装置的概略构成图。 图2是本专利技术的第2实施例中涉及的装置的概略构成图。 图3是本专利技术的第3实施例中涉及的装置的概略构成图。图4是本专利技术的第4实施例中涉及的装置的概略构成图。图5是图4的反应塔的横截面图。符号说明(L)废气，(K)反应处理区域，(G)含有水分的含氧气体，(H) 处理气体，(l)除害装置，(4)洗涤水槽，(5)湿润有氧气体供给 部，(6)反应塔，(7)洗涤塔，(8)洗涤水具体实施例方式以下，按照图示实施例对本专利技术的除害装置进行详述。图l是本发 明所涉及的除害装置(1)的第l实施例的概略构造图，图2是第2实施 例的概略构造图，图3是第3实施例的概略构造图，从CVD装置(未图示) 的各处理过程(未图示)排出的废气(L)由废气配管(10)连接。第 l实施例中，在内筒(3)的周围从反应塔(6)的顶部吊设(未图示， 可以从反应塔(6)的底面在内筒(3)的周围立设)1至多个加热器(30)。 与此相反，第2实施例与第3实施例中内筒(3)代替加热器(30)兼作 加热器。图l的加热器(30)可以是如陶资加热器(未图示)的加热器，根 据使用气体(在此为HCD气体)，可以是由镍制(可以是哈斯特洛伊(HASTELLOY)这样的镍合金)的护套(鞘管(30c ))、配"i殳在护套 内的镍铬合金线(镍与铬的合金线材)这样的发热体(30a )、填充在 护套内的绝缘材料(30b)构成的铠装加热器(Sheathed heater)之 类的加热器。此外，第2实施例和第3实施例只是含有水分的含氧气体(G)向炉中的流入通路不同。再者，第l实施例的场合，与笫2和第3 实施例同样，也可以使含有水分的含氧气体(G)向炉中的流入通路不 同。其它的构造大致相同，因此具有相同功能的部分使用相同的序号， 以第l实施例为中心进行说明，笫2和第3实施例只说明不同的部分，在 第2和第3实施例的说明中援用与笫1实施例相同的部分。除害装置(1)，大致由设置在下部的洗涤水槽(4)、立设在洗 涤水槽(4)的上面中央的反应塔(6)、与反应塔(6)邻接设置的湿润空气供给塔(5a)以及跨越反应塔(6)在湿润空气供给塔(5a)的 相反侧设置的洗涤塔(7 )构成。在除害装置(1)的反应塔(6)的中心配置内筒(3)，以包围或 沿着其周围的方式从反应塔(6)的顶部(6a)吊设加热器(30)。(当 然，也可以在不阻碍反应塔(6)内的气流的状态下向反应塔(6)内 延出洗涤水槽(4)的上面(4a),从该延出底部(未图示)立设加热 器，使之包围或沿着内筒(3)的周围)。内筒(3)有陶瓷制(材质为例如氧化铝(alumina)质或莫来石 (mul 1 i te )质)或者镍制或哈斯特洛伊之类的镍合金制的筒状的内筒， 在图2、 3的放大图中表示的加热器内装型的内筒(3)(由(30a)表 示发热体，由(30b)表示绝缘材料，由(30c)表示相当于鞘管的内、 外皮)或者其自身由筒状的陶瓷加热器(未图示)构成的内筒(3)。 加热器内装型的内筒(3)的内、外皮(30c)由氧化铝质或莫来石质 或镍或哈斯特洛伊之类的镍合金构成，在内部配置镍铬合金线之类的 发热电线(-发热体(30a))并且填充有绝缘材料(30b)。该内筒(3) 从反应塔(6)的底部向塔顶立设，上端部分设计成最高温度，将该部 分称反应处理区域(K)。外筒(2)的内面由氧化铝质或莫来石质制的陶瓷形成，筒的外周 全部成为由绝热材料覆盖的绝热结构体。另外，使外筒(2)的内面为 镍制或哈斯特洛伊之类的镍合金制，其外周全部也可以成为由绝热材 料覆盖的绝热结构体。此外，内面部分也可以成为陶瓷加热器型(即， 外筒(2)的陶瓷部分为陶瓷加热器)或加热器内装型(未图示)。加 热器内装型的场合，由在镍制或哈斯特洛伊之类的镍合金制内皮与设 置在其外侧的绝热材料之间填充绝缘材料，再在该绝缘材料内填充镍 铬合金线之类的发热体的绝热结构体(与图2和图3的放大图同样的构 造)构成。该场合，内筒(3)、外筒(2)以及加热器(30)，可以将上述 构成的内筒(3)、外筒(2)以及加热器(30)各个全部组合使用。 其中外筒(2)的内面部分的陶瓷部分与内筒(3)均为陶瓷加热器或外筒(2)的内面部分与内筒(3)中内装发热体的构造的场合，被外 筒(2)和内筒(3)包围的空间变成从内外被加热，从内筒(3)的上 端部附近到内筒(3)的内部上端部分的空间在除害装本文档来自技高网...

【技术保护点】
除害方法，其特征在于，在将含有六氯化二硅的废气在不含有水分的情况下导入高温的反应处理区域的同时，将含有水分的含氧气体供给该反应处理区域，在反应处理区域内至少将废气中的六氯化二硅氧化分解。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：今村启志，竹内裕昭，石川幸二，铃木浩，守谷聪，原田胜可，
申请(专利权)人：康肯科技股份有限公司，东亚合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]