【技术实现步骤摘要】
一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统
本技术属于化学材料制备
,具体涉及一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统。
技术介绍
近年来,随着高新技术的不断发展,纳米粉体作为新兴精细材料越来越受到人们的关注。燃烧法合成纳米粉体是一种新兴的纳米材料制备方法,因其只需极低的点火分解温度,一旦点燃,分解或燃烧就会自发进行,能够有效降低反应温度,烧结小粒径和活性高的纳米粉体,大大缩短纳米粉体制备周期,节省能源损耗而广受关注。目前该方法主要应用在制备燃料电池材料、铁氧体材料、超导粉体材料、介电陶瓷粉体材料、热敏陶瓷材料等方面。在燃烧法制备纳米粉体过程中,反应物一旦点燃就需及时停止加热,确保反应生成的纳米颗粒均匀分散而不团聚。目前在实验过程中,均靠人工控制断电时间,还没有实现自动控制技术。人工控制断电时间不仅增加人工成本,也无法精确控制停止加热的时间节点。基于以上情况,本技术提出了一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决燃烧法制备纳米粉体无法控制断电时间的问题,提出了一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统。本技术的技术方案是:一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,包括单片机模块、电源模块、显示模块、火焰传感器模块、温度传感器模块、滤波模块、下载及复位模块、继电器模块和稳压模块;电源模块和单片机模块电性连接;显示模块、火焰传感器模块、温度传感器模块、滤波模块、下载及复位模块、继电器模块和稳压模块均与单片机模块通信连接。本技术的有益效果是:本技术的智能控制系统能 ...
【技术保护点】
1.一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,其特征在于,包括单片机模块(1)、电源模块(2)、显示模块(3)、火焰传感器模块(4)、温度传感器模块(5)、滤波模块(6)、下载及复位模块(7)、继电器模块(8)和稳压模块(9);所述电源模块(2)和单片机模块(1)电性连接;所述显示模块(3)、火焰传感器模块(4)、温度传感器模块(5)、滤波模块(6)、下载及复位模块(7)、继电器模块(8)和稳压模块(9)均与单片机模块(1)通信连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,其特征在于,包括单片机模块(1)、电源模块(2)、显示模块(3)、火焰传感器模块(4)、温度传感器模块(5)、滤波模块(6)、下载及复位模块(7)、继电器模块(8)和稳压模块(9);所述电源模块(2)和单片机模块(1)电性连接;所述显示模块(3)、火焰传感器模块(4)、温度传感器模块(5)、滤波模块(6)、下载及复位模块(7)、继电器模块(8)和稳压模块(9)均与单片机模块(1)通信连接。
2.根据权利要求1所述的燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,其特征在于,所述单片机模块(1)的主控芯片采用型号为STM32F030F4P6的芯片U1;所述芯片U1的BOOTO引脚和VSS引脚接地。
3.根据权利要求2所述的燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,其特征在于,所述电源模块(2)包括接地电解电容E1、接地电解电容E2、接地电容C1、接地电容C2、双控开关S1、电阻R1、电源指示灯LED1、端口P1和型号为LM7805的接地稳压芯片U2;所述端口P1的第1引脚和第2引脚接地,所述端口P1的第3引脚分别与双控开关S1的动端和第一不动端连接;所述双控开关S1的第二不动端分别与接地电解电容E1、接地电容C1和芯片U1的Vin引脚连接;所述芯片U2的GND引脚接地;所述芯片U2的Vout引脚分别与接地电解电容E2、接地电容C2、电阻R1的一端、芯片U1的VDD引脚以及VDDA引脚连接;所述电阻R1的另一端和电源指示灯LED1的正极连接;所述电源指示灯LED1的负极接地。
4.根据权利要求2所述的燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,其特征在于,所述显示模块(3)包括型号为XH2.54-3AW的端口P2和型号为Header-Male-2.54_1x4的端口H1;所述端口P2的第1引脚和芯片U1的PA6引脚连接,其第2引脚接地,其第3引脚和芯片U1的VDD引脚以及VDDA引脚连接;所述端口H1的第1引脚和芯片U1的VDD引脚以及VDDA引脚连接,其第2引脚接地,其第3引脚和芯片U1的PA0引脚连接,其第4引脚和芯片U1的PA1引脚连接。
5.根据权利要求2所述的燃烧法制备纳米粉体的智能控制系统,其特征在于,所述火焰传感器模块(4)包括型号为LM393的主控芯片U3、电阻R2、接地滑动变阻器R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、接地电容C3、接地电容C4、发光二极管D1、发光二极管D2、NPN型三极管Q1和端口P3;所述芯片U3的OUTA引脚分别与电阻R5的一端、电阻R6的一端和芯片U1的PA2引脚连接,其连接点还和端口P3的第2引脚连接;所述芯片U3的INA-引脚和接地滑动变阻器R3的滑动端连接;所述芯片U3的引脚INA+分别与接地电容C4、电阻R2的一端、三极管Q1的集电极、端口P3的第1引脚和芯片U1的PA3引脚连接;所述电阻R2的另一端和芯片U1的VDD引脚以及VDDA引脚连接;所述三极管Q1的发射极接地;所述芯片U3的GND引脚接地;所述芯片U3的VCC引脚与接地电容C3、芯片U1的VDD引脚以及VDDA引脚连接;所述端口P3的第3引脚和电阻R4的一端连接并接地;所述端口P3的第4引脚分别与发光二极管D1的正极、发光二极管D2的正极、电阻R6的另一端、...
【专利技术属性】
技术研发人员:林彬,罗天勇,廖颖晴,戴淯全,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:新型
国别省市:四川;51
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