【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高灵敏度电容传感器电路
本专利技术涉及用于检测在接近传感器等接近物体生成的电容容量值的电容传感器,更详细地说,涉及高灵敏度电容传感器电路,制作利用电容器的充/放电的多个检测电路,将其中一个用作基准电压的同时峰值检波感应信号,进而可提高检测灵敏度。
技术介绍
通常,接近传感器(ProximitySensor)作为能够以非接触感应被检测物体的接近的传感器,根据感应方式区分为利用电磁感应的高频振荡型、用于检测被检测物体与传感器之间的电容容量变化的电容容量型、利用磁铁的磁场型。另外,根据感应头的结构也区分为屏蔽型(嵌入型)和非屏蔽型(凸出型);根据输出电路也区分为DC2线型,DC3线型(NPN、PNP)或交流非接触型等。高频振荡型接近传感器从接近传感器的前端的感应线圈产生高频磁场,当被检测物体接近磁场时,因为电磁感应现象通过金属中的感应磁场产生过电流,据此检测振荡衰减或停止。电容容量型接近传感器是感应部具有感应电极并且在物体接近电极时检测感应部的感应电极与地面之间电容容量发生较大变化。这种电容容量型响应速度快,而且还可检测除 ...
【技术保护点】
1.一种高灵敏度电容传感器电路,包括:/n振荡部,生成控制时钟;/n第一充放电部,与传感器部端子连接,按照所述控制时钟充放电的同时生成感应信号;/n第二充放电部,与所述第一充放电部并联连接,按照所述控制时钟充放电的同时生成基准信号;及/n检测部,比较所述第一充放电部的感应信号和所述第二充放电部的基准信号,检测传感器部端子侧的电容容量变化。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170801 KR 10-2017-00976991.一种高灵敏度电容传感器电路,包括:
振荡部,生成控制时钟;
第一充放电部,与传感器部端子连接,按照所述控制时钟充放电的同时生成感应信号;
第二充放电部,与所述第一充放电部并联连接,按照所述控制时钟充放电的同时生成基准信号;及
检测部,比较所述第一充放电部的感应信号和所述第二充放电部的基准信号,检测传感器部端子侧的电容容量变化。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度电容传感器电路,其特征在于,
所述第一充放电部包括:
第一电容器,一端连接传感器部端子,按照控制时钟进行充放电;
第一恒定电流源,对所述第一电容器供应预定大小的恒定电流,以用于充电所述第一电容器;及
第一开关,按照所述控制时钟控制所述第一电容器,以时钟的半周期单位反复进行所述第一电容器的充电和放电。
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