废气的处理方法及处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供可不副生ＣＯ、不需复杂的燃烧控制、不影响废气的组成变化地对含有需高温分解的ＰＦＣ的废气进行处理的方法。使向燃烧炉２中的一次燃烧区域送入的燃料气体和至少含有全氟化碳的废气在向一次燃烧区域送入的助燃性气体的存在下不完全燃烧，使燃烧焰为还原焰。在燃烧炉２中的位于相对一次燃烧区域是燃烧气体流程的下流的二次燃烧区域，使由上述不完全燃烧所生成的燃烧气体在助燃性气体的存在下燃烧，从而使燃烧气体中所含的一氧化碳氧化。在上述一次燃烧区域燃烧的气体比低于在上述一次燃烧区域和二次燃烧区域的全部燃烧的空气比。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将例如在半导体制造中的CVD(化学汽相沉积)工序时排出的含有全氟化碳(PFC)的废气、进行无害处理的燃烧处理所使用的废气处理方法和处理装置。
技术介绍
半导体制造时的CVD工序排出含有硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、乙硼烷(B2H6)、磷化氢(PH3)等金属氢化物和氨(NH3)、氧化二氮(N2O)、氧(O2)等含氮化合物或含氧化合物的废气。此外，CVD工序还间隔规定的时间进行反应炉的清洁。清洁时排出含有CF4、C2F6、C2F8、CHF3、NF3等包括全氟化碳的含氟化合物的废气。上述CVD废气为有害气体，因此需经无害化处理后排气。为了处理该废气，在半导体工厂的净化车间中在半导体生产装置的附近设置燃烧式废气处理装置，通过燃烧器形成的火焰使从CVD工序中的多个反应炉送入一个排气处理装置的废气燃烧。在上述废气中，硅烷等金属氢化物有可燃性，氧化二氮和PFC等含氟化合物有助燃性。这些性质不同的废气不定期地被送入废气处理装置，因此为了使废气处理装置中的废气完全燃烧，希望在空气比例如为1.2以上的氧过剩的条件下进行燃烧分解。但与此相反，要分解热本文档来自技高网...

【技术保护点】
废气的处理方法，其特征在于，向燃烧炉中的一次燃烧区域送入燃料气体、助燃性气体和至少含有全氟化碳的废气，使上述一次燃烧区域中的燃料气体和废气在助燃性气体的存在下不完全燃烧、形成还原焰，向上述燃烧炉的位于相对一次燃烧区域是燃烧气 体流程的下流的二次燃烧区域送入助燃性气体，在上述二次燃烧区域，使由上述不完全燃烧所生成的燃烧气体在助燃性气体的存在下燃烧，从而使燃烧气体中所含的一氧化碳氧化，使在上述一次燃烧区域的燃烧的空气比低于在上述一次燃烧区域和二次燃烧 区域的全部燃烧的空气比。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菱池通隆，高田吉则，新滨正敏，中川正明，后藤宏明，
申请(专利权)人：住友精化株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]